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[導(dǎo)讀]21ic電子網(wǎng)訊:Intel這兩年在消費(fèi)級(jí)領(lǐng)域的進(jìn)步很緩慢,大家紛紛指責(zé)缺乏競(jìng)爭(zhēng)讓Intel變得懶惰了,不過(guò)在服務(wù)器領(lǐng)域,Intel仍將快馬加鞭,每年都會(huì)有新變化。今年九月份,Intel正式發(fā)布了新一代雙路處理器Ivy Bridge-E

21ic電子網(wǎng)訊:Intel這兩年在消費(fèi)級(jí)領(lǐng)域的進(jìn)步很緩慢,大家紛紛指責(zé)缺乏競(jìng)爭(zhēng)讓Intel變得懶惰了,不過(guò)在服務(wù)器領(lǐng)域,Intel仍將快馬加鞭,每年都會(huì)有新變化。

今年九月份,Intel正式發(fā)布了新一代雙路處理器Ivy Bridge-EP Xeon E5-2600 v2,最多12個(gè)核心。雖然比上代提升有限,但依然無(wú)敵(AMD完全無(wú)力抗衡),市場(chǎng)上也大獲成功,賣(mài)得非常好,拿下超級(jí)計(jì)算機(jī)世界第一的天河二號(hào)都用的它。

很快,面向四路和更大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的Ivy Bridge-EX Xeon E7 v2系列也將誕生,最多15個(gè)核心。

值得一提的是,現(xiàn)已確認(rèn),12核心的IVB-EP其實(shí)是15核心IVB-EX屏蔽而來(lái)的,不像10核心、6核心那樣是原生的——總算知道Intel為什么偏偏不公布12核心版本的內(nèi)核照片了。

明年秋天(IDF 2014期間),Intel將推出Haswell-EP Xeon E5-2600 v3系列,最多14個(gè)核心(28個(gè)線(xiàn)程)、35MB三級(jí)緩存(每核心依然對(duì)應(yīng)2.5MB),同時(shí)還會(huì)有原生8核心,但是這個(gè)14核心是原生的,還是Haswell-EX上借用過(guò)來(lái)的上不得而知,后者的核心數(shù)量可能會(huì)超過(guò)16個(gè)。

Haswell-EP仍將基于22nm,但是系統(tǒng)架構(gòu)將出現(xiàn)飛躍式的巨大變化,比如首次引入DDR4內(nèi)存,RDIMM、LPDIMM,四通道,起步頻率2133MHz;QPI總線(xiàn)升級(jí)至1.1版本,最高速率提升至9.6GT/s;原生支持USB 3.0、SAS 12Gbps、PCI-E固態(tài)硬盤(pán)等等。其中不少還會(huì)延續(xù)到桌面發(fā)燒平臺(tái)Haswell-E,尤其是DDR4。

不過(guò),PCI-E 3.0總線(xiàn)還是40條不變。

Haswell-EP研發(fā)順利,工程樣品已經(jīng)寄出測(cè)試,目前一切正常。

之后再過(guò)一年(IDF 2015),Intel將再次帶來(lái)新的Broadwell-EP,正式名稱(chēng)自然是Xeon E5-2600 v4,首次為服務(wù)器和工作站引入14nm,核心數(shù)量最多達(dá)到18個(gè)(36線(xiàn)程),三級(jí)緩存也因此增至最多45MB。

據(jù)猜測(cè),18核心也可能不是原生的,而是從核心肯定更多的Haswell-EX上挪用而來(lái),同時(shí)還有原生16核心版本。這一招真是要用到底啊。

Broadwell-EP的基本架構(gòu)保持不變(主要是提升工藝嘛),但是內(nèi)存會(huì)增加支持立體封裝的3DS LRDIMM,頻率也進(jìn)一步提升至DDR4-2400。通道依然是四個(gè),每通道最多兩條,因此雙路系統(tǒng)最多能裝16條,單條128GB的話(huà)總?cè)萘烤涂蛇_(dá)2TB。

Intel還宣稱(chēng),DDR4-2400相比于DDR3-1866可以帶來(lái)15-25%的性能提升,而且功耗更低(電壓降至1.2V)。

Broadwell-EP還將支持10GbE以太網(wǎng)、Fultonvale 2TB PCI-E 3.0固態(tài)硬盤(pán)、PCI-E 3.0 Xeon Phi協(xié)處理器。

有趣的是,Broadwell-EP、Haswell-EP雖然工藝不同,但是熱設(shè)計(jì)功耗將處在同一級(jí)別,最高都能達(dá)到160W(工作站/現(xiàn)在最高150W),同時(shí)還有145、135、120、105、85、80、70W等等。

按照Intel的估計(jì),雙路18核心Broadwell-EP 145W相比于雙路12核心Ivy Bridge-EP 130W,整數(shù)和浮點(diǎn)吞吐能力可提升將近60%,數(shù)據(jù)庫(kù)性能提升超過(guò)80%。

芯片組方面,Haswell-EP、Broadwell-EP都將搭配Wellsburg C610系列,保持彼此兼容,升級(jí)后者只需刷BIOS即可。

該芯片組支持最多10個(gè)SATA 6Gbps、6個(gè)USB 3.0、8個(gè)USB 2.0、八條PCI-E 2.0。

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