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[導(dǎo)讀]去年年中,漢天下電子有限公司發(fā)布了全球首款單芯片GSM CMOS射頻功放/前端芯片系列產(chǎn)品HS8292(U)/HS8269(U),截止到2014年2月底前近9個月的時間累計出貨量已經(jīng)超過1億顆!經(jīng)過了近一年的市場嚴(yán)酷考驗,HS8292(U)/HS8

去年年中,漢天下電子有限公司發(fā)布了全球首款單芯片GSM CMOS射頻功放/前端芯片系列產(chǎn)品HS8292(U)/HS8269(U),截止到2014年2月底前近9個月的時間累計出貨量已經(jīng)超過1億顆!經(jīng)過了近一年的市場嚴(yán)酷考驗,HS8292(U)/HS8269(U)已經(jīng)成功應(yīng)用于包含展訊和聯(lián)發(fā)科基帶平臺的各類手機中,成為2G功能機/智能機首選的射頻功放/前端芯片解決方案, 目前已經(jīng)占據(jù)全球2G功能機/智能機市場35%左右的份額,市場占有率世界第一。

HS8292(U)/HS8269(U)采用了先進的CMOS PA技術(shù)和功率合成技術(shù),封裝采用LGA Flip-Chip封裝工藝,整個芯片只需要一顆Die,而傳統(tǒng)的GSM GaAs功放/前端芯片一般會采用3-4顆Die才能實現(xiàn),設(shè)計水平遠超其他同類PA產(chǎn)品。HS8292(U)/HS8269(U)具有以下優(yōu)點:

第一、采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝,由于CMOS ESD防護技術(shù)非常成熟,因而芯片具有優(yōu)良的ESD防護性能,ANT端ESD防護能力在8kV以上;

第二、采用Flip-Chip焊接技術(shù),與傳統(tǒng)的GaAs PA通過銀漿接地不同,不存在芯片受潮再焊接后的銀漿脫落現(xiàn)象,芯片的防潮性能更好;

第三、經(jīng)過嚴(yán)格的高低溫負載牽引測試,魯棒性高、性能穩(wěn)定、品質(zhì)可靠;

第四、采用單芯片CMOS PA來實現(xiàn)GSM射頻前端芯片功能,性價比高,生產(chǎn)周期短,供貨充足。
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