2015年開始3D NAND Flash將取代2D NAND Flash

時(shí)間：2014-03-10 10:01:34

關(guān)鍵字： Flash NAND 存儲(chǔ)器線寬

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[導(dǎo)讀]新芯是國內(nèi)一家12英寸集成電路制造企業(yè)。該公司只生產(chǎn)12英寸晶圓，目前產(chǎn)能還比較小(每月有1萬多片)，產(chǎn)品包括NOR Flash和BSI(背照式)圖像傳感器。該公司董事長王繼增表示，公司定位從一開始就是生產(chǎn)NOR Flash，制程

新芯是國內(nèi)一家12英寸集成電路制造企業(yè)。該公司只生產(chǎn)12英寸晶圓，目前產(chǎn)能還比較小(每月有1萬多片)，產(chǎn)品包括NOR Flash和BSI(背照式)圖像傳感器。該公司董事長王繼增表示，公司定位從一開始就是生產(chǎn)NOR Flash，制程覆蓋90nm、65nm、45nm，32nm技術(shù)正在做研發(fā)。NOR Flash的技術(shù)比較特殊，新芯可以在45nm單芯片做到8G的容量。因?yàn)镹OR Flash的量不是很大，全球每年大概就是35~45億美元的市場規(guī)模，而且在一些低容量的市場受到NAND Flash的侵蝕，所以這塊的產(chǎn)能維持在1萬多片，不會(huì)去擴(kuò)容。另外的BSI產(chǎn)品則是與美國的OV公司合作，會(huì)根據(jù)市場需求擴(kuò)一定的量。

“我們也在考慮下一個(gè)做什么。分析了國際國內(nèi)市場，我覺得NAND Flash是一個(gè)方向，特別是3D NAND Flash，集成電路物理制程會(huì)走到一個(gè)極限，再往下縮線寬成本會(huì)很高，用三維技術(shù)就可以避免這個(gè)難題，所以三維是一個(gè)非常好的方向?！蓖趵^增說道。

“預(yù)計(jì)2015年后3D的NAND Flash開始迅速發(fā)展，而傳統(tǒng)的2D NAND Flash會(huì)快速地被3D產(chǎn)品所取代?！蓖趵^增表示，“未來我們的定位是中國的存儲(chǔ)器專業(yè)廠商，計(jì)劃是利用兩年的時(shí)間把3D NAND Flash做出來。NAND Flash全球規(guī)模有350~400億美元，國內(nèi)市場就占了50~60%，市場很大，但是國內(nèi)沒有存儲(chǔ)器廠商。為什么只做3D的而不做2D是因?yàn)樽?D機(jī)會(huì)不大，我們的技術(shù)較國外落后很多，每一代研發(fā)成本也很高，很難在2D成功。3D不需要靠微縮增加容量，而是靠堆疊，也就是靠刻蝕的功底。這方面技術(shù)國外公司也是剛剛開始，所以是很好的一個(gè)切入點(diǎn)?！?BR>
據(jù)了解，3D NAND Flash的堆疊層數(shù)越多，容量越大，與2D技術(shù)相比在同樣面積和線寬下可以拓展很大容量。當(dāng)然，其生產(chǎn)設(shè)備與2D的也不一樣，制造中有一道特殊的刻蝕工藝，即多層一起刻蝕，這個(gè)技術(shù)要求很高，需要重點(diǎn)突破。