[導讀]2014年2月12日存儲在線報道： 中微半導體設備有限公司（簡稱“中微”）宣布獲得韓國先進存儲芯片生產廠商購買Primo SSC AD-RIE?（中微單反應臺等離子體刻蝕設備）的重復訂單。該設備被客戶認可為用于16納米關鍵閃存芯
2014年2月12日存儲在線報道： 中微半導體設備有限公司（簡稱“中微”）宣布獲得韓國先進存儲芯片生產廠商購買Primo SSC AD-RIE?（中微單反應臺等離子體刻蝕設備）的重復訂單。該設備被客戶認可為用于16納米關鍵閃存芯片加工的首選設備（PTOR），將用于大批量芯片生產。此前，中微的Primo SSC AD-RIE?通過客戶生產線上嚴格的驗證，取得了比其他同類競爭產品更加優(yōu)異的結果。中微現在正在和客戶合作研究開發(fā)DRAM和3D NAND工藝。中微刻蝕機獲得韓國先進存儲芯片客戶重復訂單中微單反應臺等離子體刻蝕設備Primo SSC AD-RIE(TM)
中微副總裁兼韓國區(qū)總經理尹敬一表示，中微設備成為“PTOR”標志著中微取得了一項重大進展，他說道：“很明顯，現在處于世界前沿的客戶不單單想從供應商那兒尋找新設備，他們還希望能夠為復雜的生產過程帶來的挑戰(zhàn)尋求全面解決方案。這就要求先進技術和相關專業(yè)知識緊密聯系在一起，正是依靠這種模式，我們?yōu)樵摽蛻艚鉀Q了生產過程中碰到的各種問題，使得客戶的閃存芯片開發(fā)取得新的進展?！?BR>
Primo SSC AD-RIE?是中微Primo系列第三代、也是最新一代刻蝕設備產品，能夠滿足超高產能、優(yōu)異的芯片加工質量和芯片刻蝕技術可延展性等嚴苛的技術要求。Primo SSC AD-RIE?的晶圓傳遞平臺可配置多達6個單晶圓加工反應器，每個反應器可以獨立地設定加工條件，從而靈活地實現精準的工藝控制。每個反應器有極高的抽速，并有多區(qū)氣體分布、動態(tài)射頻功率以及多區(qū)溫度控制等可獨立調節(jié)的工藝參數。而在線工藝微調和穩(wěn)固的腔體設計避免了高深寬比刻蝕工藝中常出現的刻蝕停止現象以及工藝飄移現象的發(fā)生，從而提高刻蝕的重復性并更容易實現反應器之間的良好匹配，能夠大大提高生產效率。
中微刻蝕設備的一大關鍵優(yōu)勢在于它的配置極具靈活性。它在同一個主機系統(tǒng)上可以配備雙反應器實現高產出和低成本，或者也可以配備單反應器以滿足關鍵刻蝕工藝中高抽速等要求。這種配置的靈活性還體現在氣體控制系統(tǒng)的安裝上，他們既可以置于地面以便于維護，也可以置于設備上方以減少占地面積。
Primo SSC AD-RIE和Primo D-RIE是中微的注冊商標。
中微副總裁兼韓國區(qū)總經理尹敬一表示，中微設備成為“PTOR”標志著中微取得了一項重大進展，他說道：“很明顯，現在處于世界前沿的客戶不單單想從供應商那兒尋找新設備，他們還希望能夠為復雜的生產過程帶來的挑戰(zhàn)尋求全面解決方案。這就要求先進技術和相關專業(yè)知識緊密聯系在一起，正是依靠這種模式，我們?yōu)樵摽蛻艚鉀Q了生產過程中碰到的各種問題，使得客戶的閃存芯片開發(fā)取得新的進展?！?BR>
Primo SSC AD-RIE?是中微Primo系列第三代、也是最新一代刻蝕設備產品，能夠滿足超高產能、優(yōu)異的芯片加工質量和芯片刻蝕技術可延展性等嚴苛的技術要求。Primo SSC AD-RIE?的晶圓傳遞平臺可配置多達6個單晶圓加工反應器，每個反應器可以獨立地設定加工條件，從而靈活地實現精準的工藝控制。每個反應器有極高的抽速，并有多區(qū)氣體分布、動態(tài)射頻功率以及多區(qū)溫度控制等可獨立調節(jié)的工藝參數。而在線工藝微調和穩(wěn)固的腔體設計避免了高深寬比刻蝕工藝中常出現的刻蝕停止現象以及工藝飄移現象的發(fā)生，從而提高刻蝕的重復性并更容易實現反應器之間的良好匹配，能夠大大提高生產效率。
中微刻蝕設備的一大關鍵優(yōu)勢在于它的配置極具靈活性。它在同一個主機系統(tǒng)上可以配備雙反應器實現高產出和低成本，或者也可以配備單反應器以滿足關鍵刻蝕工藝中高抽速等要求。這種配置的靈活性還體現在氣體控制系統(tǒng)的安裝上，他們既可以置于地面以便于維護，也可以置于設備上方以減少占地面積。
Primo SSC AD-RIE和Primo D-RIE是中微的注冊商標。
下載文檔
