華虹宏力榮獲2013年度國家科學技術進步獎二等獎

1月10日，2013年度國家科學技術獎勵大會在北京人民大會堂隆重舉行。中國國家領導人習近平、李克強、劉云山、張高麗出席大會并為獲獎代表頒獎。以上海華虹宏力半導體制造有限公司（以下簡稱“華虹宏力”）為第一完成單位的“高性能嵌入式非易失性存儲器片載芯片制造關鍵技術”獲得2013年度國家科學技術進步獎二等獎。該項目第一完成人、華虹宏力執(zhí)行副總裁徐偉先生代表公司領取獎項?！?

該項目成功研發(fā)了嵌入式浮柵型和電荷捕獲型SONOS結構及0.18微米至0.13微米/90納米的嵌入式非易失性存儲器芯片工藝技術、內核模塊和芯片測試、檢測技術，打破了國外芯片制造巨頭的壟斷，實現(xiàn)了國內該領域集成電路尤其是智能卡芯片的應用和國產(chǎn)化，擁有70%國內市場占有率，25%國際市場占有率，保持了國際先進、國內第一的地位。

徐偉先生表示，“這是國家對公司持續(xù)創(chuàng)新能力的又一次肯定，充分證明了華虹宏力在技術創(chuàng)新及技術成果轉化上的實力。華虹宏力將一如既往，秉承持續(xù)創(chuàng)新，為全球客戶制造“芯”夢想的愿景，為客戶提供最完善、高性價比的晶圓代工解決方案，為發(fā)展壯大自主可控集成電路產(chǎn)業(yè)做出更大的貢獻?！?