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[導(dǎo)讀]全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2012年衰退2.5%后,2013年恢復(fù)成長(zhǎng),年成長(zhǎng)率達(dá)4.9%。2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)額達(dá)3190億美元,較2012年的3029億美元成長(zhǎng)4.9%,成長(zhǎng)主要?jiǎng)恿κ怯蒁RAM及NAND Flash帶動(dòng),DRAM及NAND在2013年的年成長(zhǎng)

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2012年衰退2.5%后,2013年恢復(fù)成長(zhǎng),年成長(zhǎng)率達(dá)4.9%。2013年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)額達(dá)3190億美元,較2012年的3029億美元成長(zhǎng)4.9%,成長(zhǎng)主要?jiǎng)恿κ怯蒁RAM及NAND Flash帶動(dòng),DRAM及NAND在2013年的年成長(zhǎng)率分別為35%及27.7%。

營(yíng)業(yè)額前3甲連莊

2013年全球半導(dǎo)體公司營(yíng)業(yè)額,英特爾(Intel)、三星(Samsung)及高通(Qualcomm)繼蟬聯(lián)前3名,2013年?duì)I業(yè)額合計(jì)977.6億美元,占整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)額30.8%,囊括近3分之1的市場(chǎng),可見(jiàn)其影響力之大。

2013年各家半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額部份,英特爾估469.6億美元,年減1%,不如整體產(chǎn)業(yè)年成長(zhǎng);三星營(yíng)業(yè)額334.6億美元,年成長(zhǎng)7%,DRAM(Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體)及NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)市占率皆全球第一,因此成長(zhǎng)率較英特爾佳;高通營(yíng)業(yè)額173.4億美元,年增31.6%,高通高成長(zhǎng)主要受惠于智慧型手機(jī)市場(chǎng)蓬勃發(fā)展。

2013年能與高通的高成長(zhǎng)抗衡的,是記憶體公司美光(Micron),合并日本爾必達(dá)(Elpida)后,2013年?duì)I業(yè)額激增到141.7億美元,較2012年的67.7億美元成長(zhǎng)109.2%。美光的排名由2012年的第10名,躍升到第4名。

另一家以記憶體為主的SK Hynix(SK海力士),2013年?duì)I業(yè)額133.3億美元,較2012年的89.7億美元成長(zhǎng)48.7%,排名由第7上升到第5。

日本大型半導(dǎo)體公司除東芝(Toshiba)以外,在2013年表現(xiàn)皆很不好,東芝因有NAND Flash的產(chǎn)品線(xiàn),營(yíng)業(yè)額為124.6億美元,較前一年成長(zhǎng)11.9%,全球排名第6。

日廠(chǎng)僅東芝正成長(zhǎng)

日本瑞薩(Renesas)2013年?duì)I業(yè)額78.2億美元,較2012年衰退15.3%,排名退步到第10;索尼(Sony)及羅姆(Rohm)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù),2013年的營(yíng)業(yè)額分別衰退28.1%及14.3%,索尼的排名掉到第15,羅姆半導(dǎo)體跌出前20大排行榜。

美國(guó)德州儀器(TI),2013年的營(yíng)業(yè)額為113.8億美元較前一年衰退5.6%,排名由第4退步到第7。博通(Broadcom)及意法(ST) 2013年的營(yíng)業(yè)額分別為81.2億美元80.8億美元,2013年的排名為第8及第9。

聯(lián)發(fā)科2013年?duì)I業(yè)額預(yù)估為45.2億美元較2012年的33.6億美元成長(zhǎng)34.5%,全球排名由第18名進(jìn)步到14名;晨星半導(dǎo)體2013年預(yù)估營(yíng)業(yè)額為11.1億美元,今(2014)將完成合并的2公司合并營(yíng)業(yè)額為56.3億美元,排名可提升到第11名。
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