ELEXCON2013之羅姆：為客戶提供高性能器件產(chǎn)品
功率器件
羅姆的SiC器件筆者已經(jīng)多次提及，這次看到各個(gè)產(chǎn)品線的陣容有大大豐富。
SiC肖特基勢壘二極管：低Vf、高速恢復(fù)、開關(guān)損耗大幅降低，這些優(yōu)點(diǎn)已多次提及。目前量產(chǎn)產(chǎn)品提供VR 650V、1200V系列，封裝形式有LPTL（D2-PAK）、TO-220鐵封塑封、TO-247；
SiC-MOSFET：優(yōu)點(diǎn)同樣是Si器件無法比擬的高耐壓、低開關(guān)損耗、高速恢復(fù)。量產(chǎn)的產(chǎn)品中有耐壓最高達(dá)1200V、電流35A，后續(xù)會(huì)做1700V的產(chǎn)品；另外溝槽型工藝的SiC-MOSFET明年春天也會(huì)量產(chǎn)，產(chǎn)品的耐壓更高電流更大，比如650V/100A、1200V/90A，1200V/90A產(chǎn)品明年三四月份開始量產(chǎn)；
SiC功率模塊：目前有兩個(gè)規(guī)格，1200V/120A,1200V/180A。120A規(guī)格有內(nèi)置SiC續(xù)流二極管，180A規(guī)格的只有自己的寄生二極管；
羅姆SiC產(chǎn)品系列展示
Si器件部分有看到羅姆的混合型MOSFET- Hybrid MOS展示，結(jié)合了IGBT、Super Junction MOS兩種產(chǎn)品的優(yōu)勢，Hybrid MOS在大電流，高溫工作，并聯(lián)設(shè)計(jì)，高開關(guān)頻率，低電流等工作環(huán)境下的特性有比較好的平衡。
IGBT、Super Junction MOS、Hybrid MOS特性比較
亞洲首家EnOcean Alliance發(fā)起人
EnOcean技術(shù)號(hào)稱無線、無電池、無局限，與該領(lǐng)域的其他技術(shù)相比，EnOcean技術(shù)最大特點(diǎn)是無需電池，通過能量采集模塊采集周圍環(huán)境產(chǎn)生的能量，為超低功耗的無線通訊模塊供電。羅姆本身的傳感器技術(shù)、能量采集方案以及LAPIS Semiconductor超低功耗MCU也非常契合EnOcean的技術(shù)要求，所以羅姆成為亞洲首家EnOcean Alliance發(fā)起人也是情理之中。展位上基于羅姆技術(shù)的無線控制開關(guān)、門禁等產(chǎn)品都有展示。
羅姆EnOcean產(chǎn)品介紹
世界最小的羅姆產(chǎn)品RASMID（ROHM Advanced Smart Micro Device）
相信大部分人認(rèn)識(shí)羅姆是從電阻開始的，此次羅姆帶來了世界上最小封裝的貼片電阻器03015（0.3*0.15mm），該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，更小封裝的0201（0.2*0.1mm）（開發(fā)中）這次也上了展臺(tái)，相信很快也能量產(chǎn)。
羅姆最小封裝電阻器0201（0.2*0.1mm）（開發(fā)中）展示
當(dāng)然此次展出的不僅僅是電阻，世界最小的肖特基勢壘二極管：0402封裝（0.4*0.2mm，t=0.12）（開發(fā)中），世界最小的晶體管：0806封裝（0.8*0.6mm，t=0.36）（新產(chǎn)品），世界最小的鉭電容器：1005封裝（1.0*0.5mm，t=0.55Max.）（開發(fā)中）……像沙粒一樣的器件，讓人嘆為觀止。
未來羅姆還將繼續(xù)側(cè)重在消費(fèi)、車載、工控等領(lǐng)域，借助自身在半導(dǎo)體生產(chǎn)上的優(yōu)勢繼續(xù)為客戶提供高性能器件產(chǎn)品。
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