Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
[導(dǎo)讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻只有4.8m?，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封裝的首款器件。
《今日電子》的編輯根據(jù)創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、在技術(shù)或應(yīng)用方面取得顯著進(jìn)步，以及性價(jià)比的卓越表現(xiàn)，從前一年推出的數(shù)百款產(chǎn)品中進(jìn)行評(píng)選。Vishay的Si7655DN MOSFET因其創(chuàng)新，以及在適配器、電池、負(fù)載開關(guān)和電源管理應(yīng)用中取得的成功而入選。
Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領(lǐng)先P溝道Gen III技術(shù)，最大導(dǎo)通電阻為3.6m?(-10V)、4.8m?(-4.5V)和8.5m?(-2.5 V)。這些性能規(guī)格比最接近的-20V器件高17%或更多。
Si7655DN的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者能夠在電路中實(shí)現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，讓電池運(yùn)行的時(shí)間更長(zhǎng)。器件的PowerPAK 1212-8S封裝標(biāo)稱高度只有0.75mm，比PowerPAK 1212封裝薄28%，可節(jié)省寶貴的電路板空間，同時(shí)保持相同的PCB布版樣式。
《今日電子》的編輯根據(jù)創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、在技術(shù)或應(yīng)用方面取得顯著進(jìn)步，以及性價(jià)比的卓越表現(xiàn)，從前一年推出的數(shù)百款產(chǎn)品中進(jìn)行評(píng)選。Vishay的Si7655DN MOSFET因其創(chuàng)新，以及在適配器、電池、負(fù)載開關(guān)和電源管理應(yīng)用中取得的成功而入選。
Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封裝版本和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領(lǐng)先P溝道Gen III技術(shù)，最大導(dǎo)通電阻為3.6m?(-10V)、4.8m?(-4.5V)和8.5m?(-2.5 V)。這些性能規(guī)格比最接近的-20V器件高17%或更多。
Si7655DN的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者能夠在電路中實(shí)現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，讓電池運(yùn)行的時(shí)間更長(zhǎng)。器件的PowerPAK 1212-8S封裝標(biāo)稱高度只有0.75mm，比PowerPAK 1212封裝薄28%，可節(jié)省寶貴的電路板空間，同時(shí)保持相同的PCB布版樣式。
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