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[導(dǎo)讀]鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機,臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù),并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,預(yù)計將于2014~2015年陸續(xù)投入量產(chǎn),讓晶圓代工市

鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機,臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù),并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,預(yù)計將于2014~2015年陸續(xù)投入量產(chǎn),讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。
FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機,并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢,臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù),并已將開戰(zhàn)時刻設(shè)定于2014?2015年;同時也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,期抗衡英特爾和三星等IDM的規(guī)模優(yōu)勢,讓整個晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。
鰭式電晶體(FinFET)技術(shù)可有效控管電晶體閘極漏電流問題,并提高電子移動率,因而能大幅提升晶片運算效能同時降低功耗,現(xiàn)已成為全球晶圓廠邁向下一個制程節(jié)點的唯一途徑。一線大廠正紛紛以混搭20納米制程的方式,加速14或16納米FinFET量產(chǎn)腳步,搶先圈地市場商機。
其中,IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預(yù)計在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米后段金屬導(dǎo)線(BEOL)制程的方式達成試量產(chǎn)目標;而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代,初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù),足見此設(shè)計方式已成為晶圓廠進入FinFET世代的共通策略。
縮短開發(fā)時程 晶圓廠競逐FinFET混搭制程
由于各家廠商均將FinFET視為下一階段的制程布局重點,且邁入16/14納米的起跑點相當靠近,可望打破臺積電在28納米制程一支獨秀的局面,使晶圓廠之間的競爭態(tài)勢更加激烈且膠著。
聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤表示,14或16納米FinFET對晶圓代工廠而言系重大技術(shù)革新,無論是立體電晶體結(jié)構(gòu)設(shè)計、材料摻雜比例、溫度和物理特性掌握的難度均大幅攀升;尤其在BEOL方面,要在短時間內(nèi)將金屬導(dǎo)線制程微縮至1x納米的密度相當不容易,因此各家晶圓廠遂計劃在晶圓前段閘極制程(FEOL)先一步導(dǎo)入FinFET,并沿用20納米BEOL方案,以縮短開發(fā)時程和減輕投資負擔(dān)。
其中,聯(lián)電、格羅方德和三星已先后在2012年與IBM簽訂14納米FinFET合作計劃,并分別預(yù)定于2014年底~2015年,以14納米FinFET FEOL混搭20納米MEOL/BEOL的方式導(dǎo)入量產(chǎn)。
黃克勤認為,混搭方案將是推進半導(dǎo)體制程提早1年演進到1x納米FinFET的關(guān)鍵布局,不僅能加速設(shè)計與測試流程,亦有助控制成本,預(yù)估晶圓代工業(yè)者初期都將采用此一架構(gòu),待技術(shù)日益成熟后才會全面升級為純16或14納米制程?,F(xiàn)階段,聯(lián)電已授權(quán)引進IBM在半導(dǎo)體材料研究方面的Know-how與技術(shù)支援,將用來優(yōu)化自行研發(fā)的14和20納米混搭制程,將于2015年正式投產(chǎn)。
格羅方德全球業(yè)務(wù)行銷暨設(shè)計品質(zhì)執(zhí)行副總裁Mike Noonen也強調(diào),該公司將于2014年底搶先業(yè)界推出14nm-XM制程,可充分利用現(xiàn)有20納米設(shè)備和技術(shù)資源,降低FinFET研發(fā)和制造成本,并簡化客戶新一代處理器的設(shè)計難度,盡速實現(xiàn)以立體電晶體結(jié)構(gòu)減輕閘極漏電流的目標,進而延伸摩爾定律(Moore"s Law)至新境界。
此外,臺積電近期也宣布2014年量產(chǎn)20納米后,將提前1年至2015年發(fā)表16納米FinFET制程,業(yè)界也預(yù)估其第一個量產(chǎn)版本將導(dǎo)入20納米BEOL混搭方案,才能順利在短短1年內(nèi)實現(xiàn)16納米。由此可見,一線晶圓代工業(yè)者在挺進FinFET領(lǐng)域的時間和成本壓力下,采用混搭結(jié)構(gòu)已成為一門顯學(xué)。
除了與同業(yè)互尬FinFET制程量產(chǎn)速度外,臺積電亦考量純晶圓代工廠進入高投資、高技術(shù)門檻的FinFET世代后,與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈,因此正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance),串連矽智財(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料,以及電子設(shè)計自動化(EDA)供應(yīng)商等合作夥伴的力量,強化其在FinFET市場的競爭力。
臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀提到,今年臺積電雖屢創(chuàng)季營收新高,但第四季因客戶調(diào)整庫存可能出現(xiàn)微幅下滑的情形。
臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀坦言,隨著一線晶圓廠紛紛于2015年進入14或16納米FinFET制程后,臺積電將面臨更大的競爭壓力,特別是來自三星、英特爾等IDM大廠的威脅力道最劇,必須提早發(fā)動因應(yīng)策略。
由于FinFET技術(shù)更復(fù)雜、投資金額也更巨大,晶圓代工廠很難再以孤軍奮戰(zhàn)的策略進行研發(fā),因此臺積電正如火如荼組織產(chǎn)業(yè)同盟,目前已與益華電腦(Cadence)、明導(dǎo)國際(Mentor Graphics)等EDA工具商,以及安謀國際(ARM)和Imagination等IP業(yè)者達成共識,未來將共同在臺積電開放創(chuàng)新平臺(OIP)上挹注創(chuàng)新技術(shù)能量,加速優(yōu)化16納米FinFET制程。
張忠謀認為,產(chǎn)業(yè)大聯(lián)盟重要性在于相互融合不同廠商的長處,以研制最出色的制程解決方案,這將是臺積電與IDM較勁最關(guān)鍵的優(yōu)勢。除聯(lián)合異業(yè)夥伴共同出擊外,臺積電在今明兩年都將以95?100億美元的高額資本支出,不斷擴充FinFET研發(fā)團隊和產(chǎn)能,現(xiàn)已與大客戶展開合作,搶先掌握許多16納米FinFET設(shè)計定案(Tape Out)。
張忠謀也強調(diào),在FinFET時代,臺積電以晶圓代工廠的定位與IDM角逐市場還算有競爭力,但比較辛苦;若以產(chǎn)業(yè)大聯(lián)盟的方式將非常有競爭力,有信心能提供更完整的制程服務(wù)和更高品質(zhì)的晶片。
確保與IBM合作有成 聯(lián)電緊握14/10nm主導(dǎo)權(quán)
至于聯(lián)電近期則進一步擴大與IBM的合作計劃,全力沖刺14和10納米FinFET制程量產(chǎn)。不過,聯(lián)電也不忘記取當初發(fā)展0.13微米時,授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行,反遭臺積電大幅超前進度的教訓(xùn);此次在14/10納米的合作僅將采用IBM基礎(chǔ)技術(shù)平臺與材料科技,并將主導(dǎo)大部分制程研發(fā),以結(jié)合先進科技和具成本效益的量產(chǎn)技術(shù),避免重蹈覆轍。
聯(lián)電執(zhí)行長顏博文認為,聯(lián)電2013年第二季整體營運表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期,而第三季也可望延續(xù)成長動能。
聯(lián)電執(zhí)行長顏博文表示,隨著IC設(shè)計業(yè)者對于更新、更先進技術(shù)的需求日益增高,聯(lián)電日前已宣布加入IBM 10納米FinFET互補式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)聯(lián)盟,將與IBM協(xié)同努力,克服現(xiàn)階段的研發(fā)障礙。
事實上,格羅方德和三星在14納米FinFET制程發(fā)展方面,亦與IBM有相當密切的合作往來,因而引發(fā)業(yè)界對聯(lián)電難以突顯制程差異性的疑慮。此外,法人也憂心聯(lián)電和IBM共同推動0.13微米制程的失敗情形重演,更對IBM的前瞻制程科技抱持“中看不重用”的懷疑,擔(dān)心聯(lián)電無法在2015年的1x納米FinFET市場爭取有利位置。
對此,顏博文回應(yīng),過去聯(lián)電在0.13微米落后對手肇因于未與IBM明確分工,因此,未來發(fā)展14和10納米制程,聯(lián)電將導(dǎo)入IBM的FinFET基礎(chǔ)制程平臺與材料科技,加速復(fù)雜立體結(jié)構(gòu)的FinFET技術(shù)成形,同時根據(jù)客戶需求自行開發(fā)衍生性的量產(chǎn)方案,以結(jié)合兩家公司各自的技術(shù)能量,加快產(chǎn)品上市時程,并提高制程獨特性與市場競爭力。[!--empirenews.page--]
據(jù)悉,聯(lián)電將積極爭取14/10納米FinFET制程主導(dǎo)權(quán),除持續(xù)擴充相關(guān)制程設(shè)備與驗證分析解決方案的第三方合作夥伴陣容外,今年規(guī)畫15億美元資本支出中,亦將投入三分之二建置28納米以下制程,可見其高度看重FinFET技術(shù)投資。 顏博文強調(diào),相較于其他對手投注大量資源發(fā)展20納米,聯(lián)電將跳過此一制程節(jié)點,集中火力搶攻14納米FinFET技術(shù),并將同步啟動10納米FinFET研究計劃,讓資本支出與研發(fā)資源發(fā)揮最大效益。
確定不玩20納米聯(lián)電集中火力攻FinFET
由于20納米研發(fā)所費不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯(lián)電已計劃跨過20納米節(jié)點,加速挺進更具投資效益的14納米FinFET世代,以與臺積電、格羅方德和三星一較高下。
黃克勤分析,20納米制程帶來的效益將不如從40納米演進至28納米的水準,且須導(dǎo)入雙重曝光(Double-patterning)方案,勢將增加一筆可觀花費,已使處理器業(yè)者的導(dǎo)入意愿開始動搖;再加上主要晶圓代工業(yè)者皆規(guī)畫在2015年推出16或14納米FinFET制程,在多方權(quán)衡之下,聯(lián)電遂決定放緩20納米投資,專心克服14納米FinFET牽涉的材料摻雜、測試驗證和晶圓前后段混搭制程等技術(shù)挑戰(zhàn),以因應(yīng)即將到來的FinFET市場卡位戰(zhàn)。
黃克勤強調(diào),英特爾(Intel)率先投入FinFET制程量產(chǎn),大幅提高處理器效能并降低功耗,近來在行動裝置品牌市場已有不錯成績;一旦其市占持續(xù)攀升,勢將影響高通(Qualcomm)與相關(guān)晶圓代工供應(yīng)鏈的投資計劃,并加速制程研發(fā)步調(diào),以免技術(shù)差距持續(xù)被拉大。因應(yīng)此一趨勢,聯(lián)電遂傾向?qū)①Y源集中在FinFET技術(shù)上,并跳過20奈米制程發(fā)展。
除聯(lián)電縮手20奈米以確保將錢用在刀口上,三星和格羅方德也未提出明確的20奈米發(fā)展計劃,唯獨臺積電仍傾力發(fā)展,因而引發(fā)業(yè)界對其未來產(chǎn)能將過剩的疑慮。
對此,分析師認為,臺積電強推20奈米,系維持先進制程Time to Market的領(lǐng)先腳步,且因20奈米能沿用部分28奈米設(shè)備,并與下一階段16奈米FinFET互補,就長期發(fā)展來看有其投資必要性;而且從晶片商的投片計劃來看,大多會與晶圓廠合作好幾代的產(chǎn)品,臺積電只要取得1?2家處理器廠大量投片,對其未來鞏固市占率和營收都相當有幫助。
搶先臺積電/聯(lián)電 格羅方德沖刺10奈米制程
不僅臺積電和聯(lián)電兩大晶圓代工元老正以迥異的營運策略,加緊部署FinFET產(chǎn)線,甫成軍4年的格羅方德亦全力推動FinFET量產(chǎn)方案,并計劃在2014年推出14奈米FinFET,緊接著再花1年時間在2015年搶先進入10奈米世代,揭開晶圓代工產(chǎn)業(yè)競爭新局。
格羅方德先進技術(shù)架構(gòu)副總裁Subramani Kengeri表示,20及14奈米技術(shù)對晶圓代工產(chǎn)業(yè)有舉足輕重的影響,因為20奈米首次使用雙重曝光,而14奈米則率先轉(zhuǎn)搭FinFET架構(gòu),因此格羅方德特別設(shè)計一連串可降低模具成本的制程方案,進而使兩世代節(jié)點無縫接軌,加速半導(dǎo)體制程演進腳步。
Kengeri更強調(diào),格羅方德自尚未從超微(AMD)分拆時,就已投入FinFET基礎(chǔ)研究,近10年來已累積龐大的專利陣容,目前正緊鑼密鼓研擬第二代10奈米FinFET電晶體架構(gòu),以及相應(yīng)的三重曝光技術(shù),并已定義完成10奈米制程,預(yù)計2015年即可進入量產(chǎn),可望領(lǐng)先業(yè)界在晶圓前后段制程均實現(xiàn)FinFET架構(gòu)。此外,該公司近期也啟動7奈米早期研發(fā),將更進一步增強產(chǎn)品效能并縮減尺寸及功耗。
Kengeri透露,格羅方德預(yù)計于2013年投入約45億美元資本支出,并將于未來2年持續(xù)投資,以加速擴充14和10奈米FinFET制程產(chǎn)能,爭取更高的晶圓代工市占率。
因應(yīng)格羅方德的猛烈攻勢,臺積電亦緊鑼密鼓投入10奈米布局,避免在任何新技術(shù)節(jié)點的發(fā)展被對手超前。據(jù)悉,該公司與艾司摩爾(ASML)共同研發(fā)次世代極紫外光(EUV)微影技術(shù),已進入收割階段,可望在2017年用于10奈米晶圓,大幅提高吞吐量與生產(chǎn)效率,打造兼具效能和成本優(yōu)勢的商用制程。
盡管格羅方德信誓旦旦將于2015年搶先發(fā)表10奈米FinFET制程,然而業(yè)界認為該制程節(jié)點將面對極為復(fù)雜的技術(shù)挑戰(zhàn),要在2015年正式量產(chǎn)將有一定的困難度。包括電晶體通道大幅微縮將影響電子移動性,須導(dǎo)入新的電晶體通道材料取代傳統(tǒng)的矽方案;且電晶體密度大增亦將墊高電路布局(Layout)難度,牽動晶圓廠進行大幅度的設(shè)計規(guī)范(Design Rule)和制程設(shè)計套件(PDK)修改。
為協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跨越10奈米FinFET技術(shù)門檻,比利時微電子研究中心(IMEC)正快馬加鞭研發(fā)下世代電晶體材料與電路互連技術(shù),將以矽鍺(SiGe)或三五族(III-V)材料替代矽方案,并透過奈米線(Nanowire)或石墨烯技術(shù)實現(xiàn)更細致的電路成型與布局。
IMEC制程科技副總裁An Steegen提到,除了10奈米以下制程技術(shù)外,IMEC亦全力推動18寸晶圓的發(fā)展,目前已有相關(guān)設(shè)備進入驗證階段。
IMEC制程科技副總裁An Steegen表示,目前16/14奈米FinFET技術(shù)成熟度已達到一定水準,全球主要晶圓代工廠均預(yù)計在2014?2015年投入量產(chǎn);然而,下一階段的10奈米技術(shù)則尚未明朗,原因在于電晶體通道大幅微縮后,傳統(tǒng)矽材料將面臨物理極限,使晶圓廠無法顯著提升晶片效能;加上電晶體密度激增,相關(guān)業(yè)者亦須改良制造工具,以及電路布局的設(shè)計規(guī)范和PDK,勢將增添量產(chǎn)制程發(fā)展的不確定性。
Steegen強調(diào),為繼續(xù)往下延伸摩爾定律,半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者和技術(shù)研究單位正密切投入開發(fā)新一代半導(dǎo)體材料、設(shè)備、電路成型及布局方案。其中,IMEC已將電子移動性較佳的矽鍺、鍺、鎵(Ga)或三五族化合物列為矽材料的優(yōu)先替代選項,從而在電晶體通道愈趨緊密的前提下,持續(xù)提升電子驅(qū)動性能。
據(jù)悉,10奈米FinFET制程對設(shè)備、材料和臨界尺度(Critical Dimension)控制等各方面都將帶來新的要求,但尤以新材料研究較難掌握、耗時且影響層面大;因此IMEC遂將其視為布局重點,并于日前在日本舉行的2013年超大型積體電路(VLSI)國際會議中,發(fā)表可應(yīng)用于10奈米以下制程的鍺/矽鍺淺溝槽隔離(STI)方案,進而改善矽通道效能及可靠度不佳的問題。
此外,F(xiàn)inFET轉(zhuǎn)向立體架構(gòu),晶圓廠為確保良率,亦須嚴格掌控離子擴散狀況;對此,IMEC則以特殊探針(Probe),開發(fā)類似電子顯微鏡的SSRM(Scanning Spreading Resistance Microscopy)方案,并提供相關(guān)機臺設(shè)計支援與代測服務(wù),讓晶圓廠更精確掌握離子擴散時的細微變化與不良情形。
與此同時,IMEC亦從微影、電路成型和布局方案著手,期協(xié)助晶圓廠克服10奈米以下制程極其緊密的布線挑戰(zhàn)。Steegen透露,針對10或7奈米制程方案,IMEC將采用奈米線或石墨烯電路互連技術(shù),實現(xiàn)更細致的電路布局;目前正與晶圓廠合作夥伴攜手定義新的設(shè)計規(guī)范和PDK,最快可望在7奈米制程導(dǎo)入奈米線,開啟半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展新頁。[!--empirenews.page--]
至于微影技術(shù)方面,IMEC正與ASML致力于新世代EUV機臺的驗證,從而以單次曝光的形式,協(xié)助晶圓廠減輕多重曝光的繁復(fù)流程與昂貴成本,使10奈米以下量產(chǎn)制程更具經(jīng)濟效益。
Steegen指出,ASML每一版研發(fā)型EUV機臺都會優(yōu)先提供予IMEC測試,該公司預(yù)計于今年底推出的最新型設(shè)備亦將在近期進駐IMEC無塵室,進行細部調(diào)整與優(yōu)化,以配合IDM和晶圓代工廠商的10奈米制程研發(fā)腳步。
顯而易見,先進制程的演進已吸引整個半導(dǎo)體制造業(yè)的關(guān)注,并引來更多設(shè)備與新技術(shù)發(fā)展商機;然而,相關(guān)業(yè)者亦須配合終端產(chǎn)品發(fā)展方向,動態(tài)調(diào)整投資布局策略,才能順利掌握IC設(shè)計客戶的需求。
中低階行動裝置竄紅 半導(dǎo)體業(yè)投資策略轉(zhuǎn)彎
隨著中國大陸中低價行動裝置市場增溫,高單價的高階行動裝置買氣已明顯趨緩,因而牽動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資策略轉(zhuǎn)變。由于處理器廠紛紛將火力轉(zhuǎn)向平均銷售價格(ASP)較低的中低階行動裝置市場;因應(yīng)此一趨勢,晶圓代工業(yè)者也啟動新的設(shè)備采購計劃或提高自制比重,并利用已攤提完畢的八寸廠產(chǎn)線部署高毛利的高壓特殊制程,以發(fā)揮更大的投資效益。
SEMI產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出,英特爾在行動處理器市場的表現(xiàn)將牽動整個半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的變化,系后續(xù)產(chǎn)業(yè)觀察重點。
國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆表示,中低階行動裝置市場售價不斷下探,已為晶片商和半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者帶來沉重的降價壓力。以目前中低階手機應(yīng)用處理器的平均價格來說,大多須低于30美元,或甚至壓至10幾美元的水準,才能取得中國大陸二線品牌廠或白牌業(yè)者青睞;而晶片商承受的價格壓力勢將轉(zhuǎn)嫁一部分至半導(dǎo)體上游供應(yīng)鏈肩上,因而驅(qū)動相關(guān)晶圓代工業(yè)者更加嚴格控管設(shè)備和材料采購成本。
舉例而言,臺積電近來積極推動設(shè)備及材料國產(chǎn)化,透過技術(shù)合作或政府科專計劃,全力扶植臺灣半導(dǎo)體設(shè)備和材料商,期進一步縮減從歐美、日本進口昂貴設(shè)備的成本;至于聯(lián)電則活用八寸廠的產(chǎn)能,加緊開發(fā)高度客制化、毛利表現(xiàn)較佳的特殊制程,目前在行動裝置液晶顯示(LCD)驅(qū)動IC電源管理晶片(PMIC)高壓制程方面,產(chǎn)能幾近滿載,有助其提高獲利。
至于三星亦善用其兼具邏輯、記憶體晶圓制造能力,以及面板和行動裝置周邊零組件的一條龍供應(yīng)優(yōu)勢,更進一步祭出設(shè)備自制策略。曾瑞榆指出,韓國政府扶植國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備和材料供應(yīng)商的政策相當明確,且已有不錯成果,近來韓商在蝕刻(Etching)和化學(xué)機械研磨(CMP)設(shè)備技術(shù)迭有突破,配合三星投入發(fā)展三維晶片(3D IC)的腳步,可望加速商用,并協(xié)助三星進一步降低晶片生產(chǎn)成本。
曾瑞榆提到,在中低階行動裝置銷售走強、高階產(chǎn)品需求轉(zhuǎn)淡一正一負的抵銷下,今年半導(dǎo)體設(shè)備支出恐將較去年微幅下滑。就區(qū)域來看,除了中國大陸、臺灣和日本地區(qū)的投資金額相對增加外,其他區(qū)域不是維持平盤就是短縮,足見中低階行動裝置熱潮,已促使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資重心傾向亞洲,尤以大中華區(qū)晶圓代工業(yè)者投資力道最強。
整體而言,晶圓代工產(chǎn)業(yè)將邁向兩極化的發(fā)展,主要廠商將同時兼顧高階先進制程投資布建,以及具成本效益且適用于中低價行動裝置的特殊制程布局,啟動一連串的資本支出調(diào)整策略,藉以在市場上尋求較佳的戰(zhàn)略位置。
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倫敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英國汽車技術(shù)公司SODA.Auto推出其旗艦產(chǎn)品SODA V,這是全球首款涵蓋汽車工程師從創(chuàng)意到認證的所有需求的工具,可用于創(chuàng)建軟件定義汽車。 SODA V工具的開發(fā)耗時1.5...

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北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越來越多用戶希望企業(yè)業(yè)務(wù)能7×24不間斷運行,同時企業(yè)卻面臨越來越多業(yè)務(wù)中斷的風(fēng)險,如企業(yè)系統(tǒng)復(fù)雜性的增加,頻繁的功能更新和發(fā)布等。如何確保業(yè)務(wù)連續(xù)性,提升韌性,成...

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8月30日消息,據(jù)媒體報道,騰訊和網(wǎng)易近期正在縮減他們對日本游戲市場的投資。

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8月28日消息,今天上午,2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會開幕式在貴陽舉行,華為董事、質(zhì)量流程IT總裁陶景文發(fā)表了演講。

關(guān)鍵字: 華為 12nm EDA 半導(dǎo)體

8月28日消息,在2024中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會上,華為常務(wù)董事、華為云CEO張平安發(fā)表演講稱,數(shù)字世界的話語權(quán)最終是由生態(tài)的繁榮決定的。

關(guān)鍵字: 華為 12nm 手機 衛(wèi)星通信

要點: 有效應(yīng)對環(huán)境變化,經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)中有升 落實提質(zhì)增效舉措,毛利潤率延續(xù)升勢 戰(zhàn)略布局成效顯著,戰(zhàn)新業(yè)務(wù)引領(lǐng)增長 以科技創(chuàng)新為引領(lǐng),提升企業(yè)核心競爭力 堅持高質(zhì)量發(fā)展策略,塑強核心競爭優(yōu)勢...

關(guān)鍵字: 通信 BSP 電信運營商 數(shù)字經(jīng)濟

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央廣播電視總臺與中國電影電視技術(shù)學(xué)會聯(lián)合牽頭組建的NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟在BIRTV2024超高清全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展研討會上宣布正式成立。 活動現(xiàn)場 NVI技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)...

關(guān)鍵字: VI 傳輸協(xié)議 音頻 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日舉辦的2024年長三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)聯(lián)合招商會上,軟通動力信息技術(shù)(集團)股份有限公司(以下簡稱"軟通動力")與長三角投資(上海)有限...

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