展望2013年存儲行業(yè)：創(chuàng)新不斷煥發(fā)正能量

DDR3內(nèi)存給行業(yè)注入正能量

2012年是近年內(nèi)存行業(yè)最為輝煌的一年，內(nèi)存顆粒制造工藝全面推薦到30nm，DDR3內(nèi)存提高頻率到1600MHz，同時8GB DDR3內(nèi)存進入普及。不但廠家從里面獲利，廣大網(wǎng)友們也樂在其中，形成真正的雙贏。毫無疑問，新技術(shù)下的DDR3內(nèi)存給整個行業(yè)注入了正能量。

硬盤行業(yè)：東芝大放異彩

2012年硬盤行業(yè)沒有推出新技術(shù)產(chǎn)品，2011年希捷率先推出單碟1TB技術(shù)至今引領(lǐng)整個硬盤行業(yè)，無論是西數(shù)還是HGST（原日立）注定只能當追隨者。值得一提的是，東芝開始涉足3.5英寸家用硬盤生產(chǎn)，推出單碟1TB技術(shù)的1TB-3TB硬盤，它的整體性能接近希捷單碟1TB技術(shù)，價格較之西數(shù)和希捷具有優(yōu)勢。

SSD行業(yè)：三代SSD綻放

2012年上半年，OCZ Vertex4 SSD以高超的IOPS完秒其他任何一款二代SSD，從而拉開三代SSD的戰(zhàn)爭序幕。2012年5月，浦科特率先推出業(yè)界第一款三代SSD，隨后三星跟進推出840PRO，緊接著OCZ推出自家第一款三代SSD。至此，三代SSD形成三足鼎立的局面，如同艷麗的花朵綻放。

移動存儲行業(yè)：全面進入單碟500技術(shù)

2012年影響最深的移動存儲產(chǎn)品是什么？雷電接口？不是，這個高價高性能的設(shè)備暫時無法惠及大眾，注定束之高閣。優(yōu)盤全面進入USB3.0？這個推廣N年的東西終于普及了。

有什么東西是我們感受最深、惠及面最廣？它就是移動硬盤，它有比優(yōu)盤大得多的存儲空間，具備USB3.0接口，而且還能連接雷電接口，甚至插上無線Wifi搖身一變成高端貨。

而單碟500GB技術(shù)是推動移動硬盤普及的原動力，它大幅提高移動硬盤的存儲容量，壓縮移動硬盤的厚度，提高至少20%的性能。這些功績足以讓它載入史冊。

硬盤行業(yè)在去年和今年的亮點，那就是單碟1TB技術(shù)的誕生和推廣普及。明年硬盤行業(yè)有什么看點呢？在SSD盛行的今天，硬盤如果簡單靠提高容量，顯然不足以站穩(wěn)腳跟。

希捷第二代混合硬盤

明年的看點是混合存儲，有網(wǎng)友可能會問到，不是已經(jīng)有了么？希捷的混合硬盤。沒錯，希捷混合硬盤已經(jīng)發(fā)展到兩代，但它是2.5英寸版本，容量較小、速度不快。我們需要容量更大、速度更快的混合存儲產(chǎn)品。

SSD固態(tài)硬盤實際上是一塊面積較小PCB板上，進行一定的電路設(shè)計，它的核心是主控、閃存、緩存。如果我們對比mSATA固態(tài)硬盤，就可以想象我們在臺式機硬盤的背面PCB板上，集成SSD固態(tài)硬盤可以說是輕而易舉的事情。

混合硬盤是HDD和SSD的結(jié)合產(chǎn)品

我們在今年所能了解到的，西數(shù)和東芝今年開始生產(chǎn)小尺寸混合硬盤，希捷明年將在明年第一季度發(fā)布新的混合存儲產(chǎn)品。這反映了傳統(tǒng)硬盤行業(yè)的創(chuàng)新，面對SSD的強大壓力，他們需要開發(fā)新產(chǎn)品與之抗衡。

那么希捷的新混合產(chǎn)品會是什么樣子呢？它可能是3.5英寸的混合硬盤，最小容量也比2.5英寸的混合硬盤要大，速度翻倍，也許SSD部分能達到16GB或者32GB。同時它的算法經(jīng)過改良或者重新設(shè)計，進一步提升隨機讀寫能力，甚至能像緩存盤那樣起到提高硬盤速度的作用。

2011年首款DDR4從韓國三星誕生，隨后海力士迅速跟進研制生產(chǎn)；2012年5月8日，美光官方正式宣布該公司首款DDR4內(nèi)存開發(fā)生產(chǎn)出成品，并已經(jīng)開始提供樣品給主要客戶進行測試，預(yù)計2013年開始量產(chǎn)。

但是能制造和量產(chǎn)DDR4，并不意味著它就能上市，因為沒有規(guī)范，你有你的標準，我有我的標準，必須有權(quán)威機構(gòu)制定一個統(tǒng)一的DDR4規(guī)范，讓內(nèi)存廠家按照規(guī)范進行生產(chǎn)。

DDR4規(guī)范終于誕生：

于是DDR4規(guī)范誕生了，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會在2012年10月公布了下一代內(nèi)存規(guī)格DDR4的標準規(guī)范“JEDEC DDR4(JESD79-4)”。DDR4和目前的DDR3相比，它的頻率幾乎翻番，性能顯著提高，更低的電壓可有效降低功耗，但是內(nèi)存延遲進一步延長。

規(guī)范來了，DDR4進入實用化還會遠么？但是有內(nèi)存，沒主板，巧婦難為無米之炊。

DDR4的外觀和DDR3沒多大區(qū)別，主要是接口位置有差異

按照歷來內(nèi)存新品的發(fā)布規(guī)律，企業(yè)級和服務(wù)器市場將率先使用DDR4內(nèi)存。大家會看到單面9個顆粒的DDR4內(nèi)存，其中一顆用做ECC校驗，顯然它們不能用于家用市場。即使DDR4到了家用市場，我們不妨回味一下當年DDR3內(nèi)存最先上市的日子，DDR3內(nèi)存賣到天價。

隨著英特爾明天推出新的Haswell平臺，給DDR4內(nèi)存的率先應(yīng)用帶來期盼，轉(zhuǎn)向DDR4已經(jīng)成了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復興的唯一希望。

說起三代SSD，我們耳熟能詳?shù)挠腥?40PRO、浦科特M5P、OCZVector，但是他們均為非壓縮算法主控，而恰恰是非壓縮算法主控的方案成本是偏高的。大家只要看看他們的價格就知道，我們不能指望這些高端產(chǎn)品普及SSD。

SandForce暫時還沒推出三代主控

說起SandForce SF-2281主控，難免有網(wǎng)友對它吐槽。壓縮算法的主控實際上沒那么的性能不濟。只要用戶買對牌子，它們經(jīng)過固件的優(yōu)化算法，壓縮算法SSD的性能還是相當不錯的，至少壓縮算法主控的方案成本低、兼容性好。

細心的網(wǎng)友已經(jīng)看出問題來了，三代SSD目前清一色非壓縮算法主控，沒壓縮算法主控，SSD還真就玩不轉(zhuǎn)?？纯次覀兛诖芯o巴巴的銀子，我們要的是便宜好用的SSD。[!--empirenews.page--]

SandForce SF3XXX主控芯片性能參數(shù)

停留在二代水平的壓縮算法主控在今年苦苦支撐，SandForce明年將推出最新一代SF3000系列主控，就連美光這樣的廠家也轉(zhuǎn)投SF系陣營。那么SF3000系列主控有什么新的特點么？它的讀寫速度更快，IOPS值幾乎能有翻倍的效果。這些足以讓我們期待，就算網(wǎng)友們不買，它也能促進SSD降價，幫助我們拉低非壓縮算法SSD的價格。

●移動存儲：閃存卡容量/速度翻番

如果說2012年是移動硬盤輝煌的一年，那么2013年則可能是閃存卡爆發(fā)的一年。32GB優(yōu)盤/閃存卡將成為主流，我們不再滿足Class10的讀寫速度。閃存芯片的發(fā)展可謂十分迅猛、潛力巨大，擴展到各個領(lǐng)域，在存儲行業(yè)占據(jù)重要位置。2012年閃存芯片的制造工藝步入10nm級別，預(yù)計2013年新品的良品率提高后，其成本更低，加速推動閃存的普及。

東芝16GB 超高速SD卡

另一方面智能手機飛速發(fā)展，對TF的速度和容量提出了更高的要求，手指片大小的TF卡，讀寫速度高達90MB/秒，16GB已不能滿足容量需求，32GB TF卡也將成為主流。

在2013年，預(yù)測閃存卡將會成為發(fā)展最快的移動存儲產(chǎn)品之一，顯然再用U1或者Clas10已經(jīng)無法去規(guī)范這些產(chǎn)品。目前讀取速度在260MB/秒、寫入速度在130MB/秒的閃存芯片已經(jīng)研發(fā)生產(chǎn)出來，明年進入量產(chǎn)實用化階段，速度更快的閃存卡將在明年出現(xiàn)。

WifiSD卡

閃存卡中的SD卡將往Wifi化發(fā)展，廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機，它的容量不會很大，速度不算特別快，同時成本較高，因此它在2013年并不會普及。（責編：damon）