NAND閃存市場(chǎng)市況平穩(wěn) 合約價(jià)有望觸底

NAND閃存（Flash）合約價(jià)12月上旬緩慢下跌，內(nèi)存模塊廠認(rèn)為，短期將出現(xiàn)回調(diào)，12月底將可望觸底，明年元月間隨著中國(guó)農(nóng)歷年前的備貨需求來(lái)到，有機(jī)會(huì)出現(xiàn)價(jià)格止跌反彈。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查顯示，12月上旬NAND Flash合約價(jià)較11月下旬小跌1~2%，價(jià)格相對(duì)持穩(wěn)。

DRAMeXchange指出，智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)廠商的耶誕假期鋪貨高峰約落在11月底與12月初，加上年底財(cái)報(bào)與庫(kù)存盤點(diǎn)的潛在影響因素，使得NAND閃存的買方市場(chǎng)對(duì)采購(gòu)需求較弱；但NAND閃存原廠拉高系統(tǒng)產(chǎn)品出貨比重，持續(xù)降低對(duì)零售市場(chǎng)的供貨比重，帶動(dòng)NAND閃存12月上旬價(jià)格相對(duì)持穩(wěn)。

模塊廠業(yè)者表示，NAND閃存合約價(jià)維持緩跌是好事，代表隨著供給減少，市況平穩(wěn)，價(jià)格小幅回調(diào)為預(yù)期走勢(shì)，估12月底可望觸底；明年元月間隨著中國(guó)農(nóng)歷年前的備貨需求來(lái)到，有機(jī)會(huì)出現(xiàn)價(jià)格止跌反彈。

內(nèi)存模塊廠金士頓、創(chuàng)見等紛趁歲末年終時(shí)節(jié)，積極透過虛擬與實(shí)體通路，展開各類產(chǎn)品促銷，挾品牌優(yōu)勢(shì)，第四季可望在消費(fèi)型Flash產(chǎn)品創(chuàng)銷售佳績(jī)，營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)可期。