半導(dǎo)體材料業(yè)發(fā)展十年實(shí)現(xiàn)大跨越

近期，SEMI機(jī)構(gòu)公布了世界半導(dǎo)體材料銷售市場的統(tǒng)計(jì)結(jié)果。從數(shù)據(jù)中看到，2011年全世界半導(dǎo)體材料市場的銷售額達(dá)到478.6億美元，比2010年增長6.7%。其中中國內(nèi)地的半導(dǎo)體材料市場銷售額在2011年年增長率最高，達(dá)到12.8%，實(shí)現(xiàn)48.6億美元，在世界各國家/地區(qū)排名第五，超過歐洲地區(qū)。2011年中國內(nèi)地半導(dǎo)體材料銷售額占世界總銷售額的比例再次提升。

十年來，我國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)得到飛速發(fā)展，2011年我國半導(dǎo)體材料銷售額已達(dá)到了320億元，是十年前的3倍多。據(jù)估算，2011年我國半導(dǎo)體材料出口額達(dá)12.5億美元，是十年前的近8倍。其中2011年單晶硅為6.42億美元，占當(dāng)年半導(dǎo)體材料出口額的五成。

品種從無到有 產(chǎn)量從小到大

在我國半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中，許多產(chǎn)品發(fā)生了從無到有的巨變。大規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體電子芯片以及晶體硅光伏電池用多晶硅，在短短的五六年間，實(shí)現(xiàn)了由百噸級向千噸級、萬噸級產(chǎn)業(yè)化規(guī)模技術(shù)的跨越發(fā)展。2011年我國多晶硅的年產(chǎn)能增長到14萬噸，年產(chǎn)量達(dá)到了8萬噸。

在新光源革命帶來的巨大市場需求的推動(dòng)下，近年LED器件在我國得到高速發(fā)展，它也帶動(dòng)了我國化合物半導(dǎo)體、藍(lán)寶石等材料發(fā)展，開始大量邁入到半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域。我國半導(dǎo)體前工程加工輔助材料也有著不同程度的變化發(fā)展，包括靶材、光刻膠、超凈高純化學(xué)試劑、特氣、IC光掩膜及其合成石英玻璃基板、碳化硅磨料、半導(dǎo)體級石英坩堝、電子級碳-石墨材料等。其國產(chǎn)化配套率在近幾年加快了發(fā)展步伐。其中，超凈高純化學(xué)試劑、半導(dǎo)體工程用等靜壓高純石墨在生產(chǎn)規(guī)模上也發(fā)生了跨越；我國有機(jī)樹脂IC封裝基板及其材料在近幾年出現(xiàn)了“零的突破”，已開始轉(zhuǎn)化為工業(yè)化規(guī)模的生產(chǎn)與應(yīng)用。

近十年來，在我國半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中，許多產(chǎn)品產(chǎn)量發(fā)生了從小到大的巨變。我國單晶硅從2004年年產(chǎn)40多噸增至2011年生產(chǎn)量接近15萬噸。近兩三年，我國硅單晶生產(chǎn)設(shè)備無論在技術(shù)上還是在生產(chǎn)規(guī)模上都有明顯的進(jìn)步。到2011年底，我國已擁有能拉制6英寸以上硅單晶的直拉硅單晶爐10000臺(tái)以上，定向結(jié)晶爐數(shù)量達(dá)到3500臺(tái)以上，多線切方、切片機(jī)為10000臺(tái)以上。在上述3種半導(dǎo)體設(shè)備方面，我國已成為世界上數(shù)量最多的國家。由此也見證了我國的半導(dǎo)體用單晶硅、硅片行業(yè)由弱小變成龐大的發(fā)展事實(shí)。

半導(dǎo)體封裝材料 拉動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展

在近期SEMI機(jī)構(gòu)發(fā)布的世界半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況文獻(xiàn)中，曾分析指出：中國內(nèi)地半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，主要依靠封裝材料發(fā)展的拉動(dòng)。

近十年來，半導(dǎo)體封裝材料方面表現(xiàn)更為突出。當(dāng)前，在國際上已經(jīng)擁有一定份額的市場占有率，在技術(shù)水平上，與歐美、日本的差距也在進(jìn)一步縮小。以IC封裝用環(huán)氧塑封料為例，到2011年底，我國生產(chǎn)EMC企業(yè)約有20～22家，其中實(shí)現(xiàn)5000噸以上產(chǎn)能的廠商有6家。國內(nèi)企業(yè)銷量達(dá)4.2萬噸左右，國內(nèi)產(chǎn)品占國內(nèi)總需求量比例由2003年的68%上升到2011年的83%。國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)銷量已占全世界總產(chǎn)銷量的29%。我國EMC內(nèi)資企業(yè)的產(chǎn)品檔次不斷提升，從幾年前僅能封裝二極管、高頻小功率管到現(xiàn)在可以封裝大功率器件、大規(guī)模/超大規(guī)模集成電路，封裝形式從僅能封裝DIP到封裝大面積DIP，以及表面封裝用SOP、QFP/TQFP、PBGA等，生產(chǎn)技術(shù)水平從5μm到3、2、l、0.8、0.5、0.35、0.25μm，研制水平已達(dá)0.13～0.10μm。

盡管我國半導(dǎo)體材料行業(yè)有了大飛躍，但在技術(shù)水平上，與國外仍存在很大差距。半導(dǎo)體材料是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要支撐，也是半導(dǎo)體制造的技術(shù)源頭。當(dāng)前，仍面臨著國外公司高端半導(dǎo)體材料的原材料封鎖和限制，生產(chǎn)高端集成電路的材料仍依靠進(jìn)口，國內(nèi)生產(chǎn)的材料多為中低檔產(chǎn)品。對于我國半導(dǎo)體材料行業(yè)來講，走出去、爭內(nèi)需兩方面都肩負(fù)重任。