2000年～2012年中國IC產(chǎn)業(yè)主要發(fā)展歷程

2000年
·4月，中芯國際集成電路制造(上海)有限公司成立。
·6月，國務(wù)院18號文件《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》公布。
·7月，科技部依次批準上海、西安、無錫、北京、成都、杭州、深圳共7個國家級IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)化基地。
·11月，上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司在上海浦東開工奠基。
2001年
·2月，直徑8英寸硅單晶拋光片國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程項目在北京有色金屬研究總院建成投產(chǎn)。
·3月，國務(wù)院第36次常務(wù)會議通過了《集成電路布圖設(shè)計保護條例》。
2002年
·9月，龍芯1號在中科院計算所誕生。
·11月，中國電子科技集團公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶。
2003年
·3月，杭州士蘭微電子股份有限公司上市，成為國內(nèi)IC設(shè)計第一股。
·6月，臺積電(上海)有限公司落戶上海，并于2005年4月正式投產(chǎn)。
·8月，英特爾公司宣布成立英特爾(成都)有限公司，并于2005年12月正式投產(chǎn)。
2004年
·9月，中芯國際的中國大陸第一條12英寸線在北京投入生產(chǎn)。
2005年
·中星微電子在美國納斯達克上市，成為第一家在美國上市的中國IC設(shè)計公司。
2006年
·10月，無錫海力士意法半導(dǎo)體在無錫投產(chǎn)。
2007年
·3月，英特爾公司宣布在中國大連建廠。
·6月，成都成芯8英寸項目投產(chǎn)。
·12月，中芯國際集成電路制造(上海)有限公司的12英寸生產(chǎn)線(Fab8)建成投產(chǎn)。
2008年
·《集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專項規(guī)劃》重點建設(shè)北京、天津、上海、蘇州、寧波等國家集成電路產(chǎn)業(yè)園。
2009年
·6月，工業(yè)和信息化部發(fā)布《關(guān)于進一步加強軟件企業(yè)認定和軟件產(chǎn)品登記備案工作的通知》工信廳軟『2009』115號。
2011年
·1月，展訊發(fā)布全球首款40納米低功耗商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片SC8800G。
·2月，國務(wù)院發(fā)布了被業(yè)界稱為“新18號文”的《進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的若干政策》(國發(fā)(2011)4號)。
·9月，上海華虹與宏力簽署合并協(xié)議。
2012年
·3月，三星投資70億美元在西安建立芯片生產(chǎn)線,工藝技術(shù)水平為10納米、12英寸硅圓片。
·5月，財政部、國稅總局發(fā)布《關(guān)于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展企業(yè)所得稅政策的通知》『財稅〔2012〕27號』。
·6月，中芯國際將聯(lián)合北京市相關(guān)機構(gòu)共同籌集資金，在北京建設(shè)40納米～28納米生產(chǎn)線。 文章錄入：dabing19821001責(zé)任編輯：韓沖 -->