RFaxis開始批量生產(chǎn)二代純CMOS射頻前端集成電路

時間：2012-09-26 15:05:34

關鍵字： CMOS RF 射頻前端集成電路

手機看文章

掃描二維碼
隨時隨地手機看文章

[導讀]RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案 RFaxis開始為智能手機和平板電腦用雙模Wi-Fi/藍牙、WLAN 11a/n/ac、無線音頻、ZigBee和智能能源/家庭自動化等市場批

RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案

RFaxis開始為智能手機和平板電腦用雙模Wi-Fi/藍牙、WLAN 11a/n/ac、無線音頻、ZigBee和智能能源/家庭自動化等市場批量生產(chǎn)七種新的CMOS射頻前端集成電路

專注于為無線連接和蜂窩移動市場提供創(chuàng)新型新一代射頻(RF)解決方案的無晶圓半導體公司RFaxis日前宣布，該公司將于2012年第四季度開始其第二代純CMOS射頻前端集成電路(RFeIC)的批量生產(chǎn)。新解決方案將服務于智能手機和平板電腦、WLAN 11a/n/ac、ZigBee、無線音頻、智能能源和家庭自動化等快速發(fā)展的市場。

RFX2401C和RFX2402C是全球首款面向ZigBee/ISM和802.11b/g/n應用的純CMOS單芯片/單硅片RFeIC。在2011年底成功推出這兩款集成電路后，RFaxis很快將開始大批量生產(chǎn)并交付其他七種RFeIC。這將使RFaxis的供貨范圍拓展到更廣的無線/射頻領域。

RFX5000和RFX5000B工作于5GHz 802.11a/n/ac頻段，在輸出功率為18dBm時，64QAM/OFDM的誤差矢量幅度(EVM)為3%，包括天線開關和輸入/輸出阻抗匹配網(wǎng)絡的所有損耗。連同高增益(33dB)、高效率（低電流模式下，17dBm時的電流為170mA）、極低的本底EVM(<1.5%)、一流的熱穩(wěn)定性和配備簡單CMOS邏輯的多模式控制，RFX5000和RFX5000B的性能優(yōu)于當今市面上采用包括砷化鎵(GaAs)或鍺硅(SiGe)在內(nèi)的任何現(xiàn)有技術的所有5GHz前端解決方案。此外，RFX5000和RFX5000B解決方案與市面上現(xiàn)有的5GHz技術引腳兼容。

RFX8420和RFX8421針對如今已經(jīng)成為主流智能手機標準功能的雙模Wi-Fi/Bluetooth應用進行了設計和優(yōu)化。RFX8420和RFX8421采用超緊湊的2.5x2.5x0.45mm QFN封裝，并與市面上多種基于GaAs的前端模塊(FEM)引腳兼容，還可提供最先進的射頻性能，包括極佳的EVM功率和效率。另外，這些RFeIC的SP3T開關的總插入損耗為0.8dB，且所有的隔直流電容均在芯片上集成。

RFaxis繼續(xù)拓展其針對ZigBee、智能能源/智能家庭、無線傳感器網(wǎng)絡和通用型ISM頻段應用的2.4GHz和Sub-GHz RFeIC產(chǎn)品群。RFX1010是一種超帶寬的半瓦RFeIC，工作頻率為780至960MHz。新款RFX2411和RFX2410為該公司大受歡迎的RFX2401C增加了雙天線功能，不會影響到輸出功率/效率，也不會增加封裝尺寸。

RFaxis董事長兼首席執(zhí)行官Mike Neshat表示：“RFaxis已經(jīng)打破了所有的技術障礙，這些障礙一度使得純CMOS無法超越GaAs和SiGe等現(xiàn)有技術的性能。我們不僅將開始大批量生產(chǎn)這七種新的RFeIC—從sub-GHz ZigBee到5GHz 11n/ac MIMO—還將在不久提供RFX8825 RFeIC的試樣以支持智能手機和平板電腦的Wi-Fi設計向雙頻/雙模的過渡、以及我們的RFX240大功率線性功率放大器以進軍Wi-Fi AP/路由器和戶外熱點市場。通過提供同類最佳的性能、最低的成本、最高的集成度和與我們競爭同行產(chǎn)品引腳兼容的解決方案，RFaxis將‘超越GaAs’，讓純CMOS技術成為射頻前端市場的主流。我們的目標是成為全球首選的射頻前端解決方案提供商，在2013年取代所有的同類競爭解決方案。”