華虹NEC：深耕特色工藝平臺，輻射熱點應(yīng)用

作為特色工藝技術(shù)純代工企業(yè)，華虹NEC致力于打造特色工藝平臺，目前已形成嵌入式非揮發(fā)性存儲器、模擬/電源管理芯片、高壓CMOS/顯示驅(qū)動、射頻和功率器件等五大特色工藝平臺。在今年IIC-China展會上，華虹NEC集中展示了上述五大特色工藝平臺的最新技術(shù)成果和解決方案。該公司銷售與市場副總裁高峰接受本刊專訪時，分享了華虹NEC特色工藝平臺的最新進展以及熱點技術(shù)應(yīng)用情況。

嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)是華虹NEC的關(guān)鍵性戰(zhàn)略工藝平臺，華虹NEC在該領(lǐng)域持續(xù)投入，不斷開發(fā)新工藝技術(shù)。隨著金融IC卡、M2M SIM、智能電表等高端市場對產(chǎn)品高可靠性提出的需求越來越多，要求也越來越高，針對上述情況，華虹NEC基于0.13μm SONOS嵌入式存儲器工藝平臺，成功開發(fā)出具有超高可靠性（UHR）的嵌入式非揮發(fā)性存儲器模塊（EEPROM/Flash IP），使0.13μm SONOS EEPROM/Flash IP的數(shù)據(jù)保存時間從常規(guī)的10年提升到了超過30年，而擦寫次數(shù)則從100K大幅提高到超過500K。

華虹NEC銷售與市場副總裁高峰

“華虹NEC長期以來致力于嵌入式非揮發(fā)性存儲器工藝的研發(fā)和生產(chǎn)，從 0.35μm EEPROM工藝到0.13μm SONOS EEPROM/Flash工藝，一直保持代工領(lǐng)域嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)的全球領(lǐng)先地位?！比A虹NEC銷售與市場副總裁高峰表示，“這次技術(shù)的提升能幫助客戶進一步鞏固其產(chǎn)品的市場競爭力，并支持客戶產(chǎn)品在未來進入更高端應(yīng)用市場。”

據(jù)悉，北京華大電子基于華虹NEC的0.13μm嵌入式存儲器工藝平臺，成功開發(fā)出了國內(nèi)第一顆通過銀聯(lián)認證的國產(chǎn)移動支付芯片（CIU98768A），北京華大智寶電子系統(tǒng)有限公司已成功將此應(yīng)用于移動支付領(lǐng)域。

除了在嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)領(lǐng)域不斷深耕，華虹NEC在功率器件代工工藝方面也在不斷推進。華虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服務(wù)的8英寸晶圓廠，目前已成為全球最大的8英寸功率器件代工廠，累計出貨量達300萬片。IGBT是華虹NEC的重點產(chǎn)品之一，早在2011年初，華虹NEC就作為國內(nèi)首家廠商在8寸生產(chǎn)線上量產(chǎn)了非穿通型的1200V的IGBT用于民用產(chǎn)品。

2011年9月華虹NEC成功開發(fā)出新一代創(chuàng)新型MOSFET代工方案——600-700V 超級結(jié)MOSFET(SJNFET)工藝，并開始進入量產(chǎn)階段?！癝JNFET技術(shù)可使終端產(chǎn)品大大降低能量轉(zhuǎn)換損耗，是實現(xiàn)節(jié)能減排的關(guān)鍵半導(dǎo)體制造技術(shù)之一，具有非常廣泛的應(yīng)用市場?！备叻逯赋?，該技術(shù)一直以來都掌握在國外大廠手中，每年國內(nèi)公司都要花費大量的資金用于這類產(chǎn)品的采購。華虹NEC經(jīng)過艱苦的技術(shù)攻關(guān)，現(xiàn)已掌握了SJNFET成套量產(chǎn)工藝技術(shù)，“該技術(shù)針對市電范圍的開關(guān)電源、AC/DC、適配器/充電器和LED照明等應(yīng)用而開發(fā)，具有開關(guān)速度更快、開關(guān)損耗更低、芯片面積更小、導(dǎo)通電阻更小等優(yōu)點?！备叻灞硎荆澳壳岸嗉铱蛻粼诖似脚_上已成功開發(fā)并量產(chǎn)多款產(chǎn)品，很多產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)指標達到業(yè)界領(lǐng)先廠商同類產(chǎn)品技術(shù)水平?！?BR>

華虹NEC工藝技術(shù)路線圖。

在BCD工藝制造方面，華虹NEC是中國大陸首家推出自主開發(fā)的0.35μm BCD和CDMOS工藝的代工廠。2010年，華虹NEC率先推出了0.13μm的帶高容量高可靠性的非揮發(fā)性存儲器的CDMOS技術(shù)。“目前這些工藝都已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)，產(chǎn)品廣泛用于電源管理、背光源驅(qū)動、LED驅(qū)動、音頻功放、電池保護、電機驅(qū)動等領(lǐng)域?！备叻褰榻B，2011年底，華虹NEC的700V的BCD工藝也進入量產(chǎn)，連同超級結(jié)MOSFET和40V BCD工藝，共同為客戶提供全面AC-DC解決方案。

此外，在射頻技術(shù)代工方面，華虹NEC已完成其特有專利技術(shù)的0.18/0.13μm SiGe BiCMOS工藝技術(shù)開發(fā)，今年下半年將進入量產(chǎn)。與GaAs相比，SiGe技術(shù)在集成度、工藝兼容性以及成本上具有很大優(yōu)勢?！癝iGe BiCMOS和GaAs面向不同的市場應(yīng)用領(lǐng)域，隨著技術(shù)的發(fā)展，部分應(yīng)用領(lǐng)域出現(xiàn)重疊，”高峰表示，“但這兩種技術(shù)仍將長期共存?！?BR>
對于2012年的發(fā)展，高峰表示，華虹NEC將繼續(xù)推進嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，使其保持全球業(yè)界領(lǐng)先地位；積極深化與戰(zhàn)略合作伙伴合作，進一步完善0.13μm 嵌入式存儲器及其衍生工藝平臺在新興應(yīng)用熱點產(chǎn)品的代工方案，贏取更多熱點產(chǎn)品市場。同時，持續(xù)發(fā)力新型功率器件制造技術(shù)的研發(fā)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，爭取更大的代工市場份額，以滿足綠色家電、新能源汽車、光伏、風電等新興應(yīng)用領(lǐng)域需求。