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[導讀]TD-LTE顯然正在吸引越來越多的運營商部署,TD-LTE國際化步伐已經(jīng)明顯加快。國際化方面,據(jù)我們了解,全球已有3家運營商正式啟動了TD-LTE商用服務,10家運營商制定了商用計劃。我國今年開始在7城市進行TD-LTE規(guī)模試驗

TD-LTE顯然正在吸引越來越多的運營商部署,TD-LTE國際化步伐已經(jīng)明顯加快。國際化方面,據(jù)我們了解,全球已有3家運營商正式啟動了TD-LTE商用服務,10家運營商制定了商用計劃。我國今年開始在7城市進行TD-LTE規(guī)模試驗,7家系統(tǒng)、3家芯片廠家基本完成測試,實現(xiàn)2.3GHz、2.6GHz功能,第一階段的單模測試宣布完成,即將進入第二階段多模測試。到2012年將進入TD-LTE技術(shù)成熟期,即多模測試,開始面向商用的設備測試和驗證。在核心技術(shù)方面,中國廠商在TD-SCDMA研發(fā)與商用方面做了大量的工作,在TD-LTE和TD-SCDMA的混合組網(wǎng)、多模終端開發(fā)方面具有非常明顯的優(yōu)勢。

任何一項通信標準從誕生到發(fā)展,網(wǎng)絡設備勢必先行,而終端一致性測試則是驗證移動通信技術(shù)真正成熟的標志。由于通信技術(shù)成熟之前,終端環(huán)節(jié)很難批量部署,不過,TD-LTE從一開始就非常重視終端芯片環(huán)節(jié)開發(fā),包括從標準化到測試代碼開發(fā)以及儀表開發(fā)均有終端廠商參與,盡量拉近終端與系統(tǒng)側(cè)的差距。聯(lián)芯作為終端產(chǎn)業(yè)鏈上游的芯片廠商,在LTE商用的初級發(fā)展階段,會首先致力于把產(chǎn)品扎實的做好。聯(lián)芯科技正在依靠工藝升級,降低LTE芯片成本,提高芯片性能,提升芯片功能,從而降低了終端廠商的開發(fā)難度、研發(fā)周期和成本,使最終用戶獲得能在未來TD-LTE網(wǎng)絡使用時獲得最佳的體驗。

2G/3G/LTE三種制式將在很長一段時間內(nèi)長期共存
聯(lián)芯科技副總裁劉積堂

2012年市場對于多模芯片的需求是大趨勢。2G、3G、LTE三種制式將在很長一段時間內(nèi)長期共存,這就需要TD-LTE兼容以往的模式。另外,對于芯片來說,生產(chǎn)制造成本比較低,更多的成本用于前期的研發(fā)。單模終端的市場相對比較窄,多模設計能夠為終端提供更大的市場空間,由此而產(chǎn)生的規(guī)模效應將使得產(chǎn)品的成本更低。這對于TD-LTE終端芯片的發(fā)展非常重要。

值得一提的是,除了兼容2G與3G,TD-LTE與FDDLTE的共模也是TD-LTE終端芯片發(fā)展的重要方向。目前,大部分芯片廠商已經(jīng)開發(fā)出共模的產(chǎn)品,絕大多數(shù)廠商已經(jīng)開始研發(fā)共模的TD-LTE芯片。業(yè)內(nèi)相關(guān)人士表示,其實,TD-LTE與FDD-LTE之間的技術(shù)差異很小,兩者有90%的部分是相同的。因此,實現(xiàn)共模產(chǎn)品相當于只需追加較少的投入便能夠獲得多支持一種網(wǎng)絡制式的產(chǎn)品。

同時,LTE終端對基帶芯片的要求體現(xiàn)在:首先是需要支持多種可變帶寬,這需要芯片支持多種不同的采樣率、不同的外部通信接口帶寬等。比如目前全球主要LTE頻段,在FDD-LTE方面,歐洲為2.6GHz,790~862MHz,美國為700MHz,日本為1.5、1.7、2.1GHz。在TDD-LTE頻段方面,中國則采用2.3GHz、2.6GHz,歐洲采用2.6GHz。因此,多模多頻產(chǎn)品有利于TD-LTE走向全球?!?BR>
針對以上趨勢,2011年聯(lián)芯科技發(fā)布了定位于TD-LTE和TD-HSPA雙模基帶芯片的LC1760,目前基于此芯片的數(shù)據(jù)卡產(chǎn)品正在參加工信部和中國移動的規(guī)模試驗測試。目前,LTE芯片的全部技術(shù)問題,聯(lián)芯科技都已經(jīng)解決,聯(lián)芯科技正在著手下一步的芯片升級。

2011年,部分廠家已經(jīng)推出了LTE手機,但我們認為仍然停留在概念化階段,很多消費者對其概念也是云里霧里。另外,LTE手機耗電量過大等硬傷也是制約其規(guī)?;l(fā)展的一大軟肋,在綜合表現(xiàn)上也很難有“顛覆性的突破”。2012年,聯(lián)芯科技將推出40納米的TD-LTE芯片,可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自動切換,支持下行150兆/秒、上行50兆/秒的數(shù)據(jù)吞吐率,更能滿足國際市場開拓需求。這個芯片將進入試驗網(wǎng)試驗。在試驗網(wǎng)中發(fā)現(xiàn)的任何問題,如功能、性能等,都會得到優(yōu)化。有了這個經(jīng)驗,我們相信這會使得在TD領域推出價格更經(jīng)濟、功能更先進的智能手機成為現(xiàn)實。2012年年底我們還將向28nm或者更先進工藝演進。

附注:ARM中國區(qū)總裁吳雄昂將在今年2月23日早上10:30分發(fā)表題為“未來智能手機的演化進程”的主題演講,隨后飛兆、銳迪科、Amazing Microelectronics和ELK的專家也將發(fā)表有關(guān)智能手機的專題演講,下午3:40分還將舉辦“智能手機會否走2G手機的同質(zhì)化之路”的圓桌討論,地點在深圳會展中心1號館IIC-China 2012展會現(xiàn)場,期待您的光臨。

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