2011年臺(tái)灣IC制造業(yè)產(chǎn)值衰退11.9%

據(jù)臺(tái)灣工研院，臺(tái)灣地區(qū)IC制造業(yè)經(jīng)歷了2010年高達(dá)53.3%的成長(zhǎng)率后，預(yù)估2011年臺(tái)灣IC制造業(yè)則將呈現(xiàn)衰退的狀態(tài)。2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上半年歷經(jīng)了日本地震、美國(guó)舉債上限危機(jī)，緊接著下半年的希臘債務(wù)違約風(fēng)險(xiǎn)、及泰國(guó)水災(zāi)等事件，對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)供需及終端消費(fèi)需求都帶來了重大的影響。臺(tái)灣IC制造業(yè)的兩大支柱—晶圓代工業(yè)及DRAM制造業(yè)都受到不同程度的沖擊。而其中DRAM制造業(yè)又受到南韓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手持續(xù)導(dǎo)入新制程技術(shù)，使得成本降低及出貨量同步擴(kuò)增，對(duì)臺(tái)灣DRAM 產(chǎn)業(yè)造成很大的壓力。茂德、力晶等相繼淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM制造行列，使得價(jià)量都減少的情況下，臺(tái)灣整體內(nèi)存制造產(chǎn)值在第三季大幅下降24.4%，壓低了臺(tái)灣IC制造業(yè)產(chǎn)值。2011年臺(tái)灣IC制造業(yè)在全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)不佳，及臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的影響下，預(yù)估產(chǎn)值將較2010年衰退11.9%，達(dá)到7,785億新臺(tái)幣。

2011年全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)不佳沖擊臺(tái)灣IC制造產(chǎn)值表現(xiàn)

2001~2011年臺(tái)灣IC制造業(yè)產(chǎn)值變動(dòng)趨勢(shì)如圖一所示，整體而言2001~2006年臺(tái)灣IC制造業(yè)在晶圓代工業(yè)及DRAM制造業(yè)均呈現(xiàn)穩(wěn)步成長(zhǎng)的情況下，帶動(dòng)臺(tái)灣IC制造業(yè)的產(chǎn)值到達(dá)階段高峰。2007~2009年在晶圓代工成長(zhǎng)趨緩及DRAM競(jìng)爭(zhēng)情勢(shì)嚴(yán)峻而產(chǎn)值大幅下滑影響下，使得2009年臺(tái)灣IC制造業(yè)產(chǎn)值降至5,766億新臺(tái)幣，較2006年減少了24.8%。2010年在晶圓代工業(yè)客戶急單回補(bǔ)庫(kù)存，加上IDM轉(zhuǎn)型釋出訂單帶動(dòng)臺(tái)灣晶圓代工產(chǎn)值的增長(zhǎng)。以及DRAM價(jià)格趨穩(wěn)，帶動(dòng)臺(tái)灣DRAM制造廠商增加出貨量而大幅拉高產(chǎn)值的情況下，使得臺(tái)灣IC制造產(chǎn)值較2009年大幅成長(zhǎng)53.3%。進(jìn)入2011年臺(tái)灣IC制造業(yè)則再度受到DRAM產(chǎn)值大幅下跌影響，壓低了整體IC制造業(yè)的成長(zhǎng)率，預(yù)估2011年臺(tái)灣IC制造業(yè)產(chǎn)值為7,785億新臺(tái)幣，較2010年衰退11.9%。

圖一 2001~2011年臺(tái)灣IC制造業(yè)產(chǎn)值變動(dòng)趨勢(shì)

2010年及2011年臺(tái)灣IC制造業(yè)各月產(chǎn)值變化如圖二所示，2011年臺(tái)灣IC制造業(yè)自二月份觸底回升后，僅經(jīng)歷二個(gè)月的成長(zhǎng)，在五月份再度下滑，一直到十月份才終止連續(xù)五個(gè)月的衰退走勢(shì)。主要是晶圓代工產(chǎn)業(yè)受惠來自智能手機(jī)銷量擴(kuò)張下設(shè)計(jì)業(yè)者急單的挹注，以及部分DRAM公司制程技術(shù)升級(jí)使出貨量增加的影響。然而，從歐債危機(jī)對(duì)全球消費(fèi)信心的壓抑，以及泰國(guó)水災(zāi)重創(chuàng)全球硬盤的供給，連帶壓縮了NB的出貨量等不利的情況下，2011年第四季臺(tái)灣IC制造業(yè)的表現(xiàn)仍將偏向保守。

圖二 2010/2011年臺(tái)灣IC制造業(yè)各月產(chǎn)值變化

緩步向上的晶圓代工產(chǎn)業(yè)及盤旋向下的DRAM制造產(chǎn)業(yè)

臺(tái)灣IC制造業(yè)主要由晶圓代工公司及內(nèi)存制造公司所組成，而內(nèi)存制造公司又以DRAM制造為主。1Q06~4Q11臺(tái)灣晶圓代工及DRAM制造產(chǎn)值變動(dòng)趨勢(shì)如圖三所示。2006年第四季臺(tái)灣DRAM制造和晶圓代工的產(chǎn)值最為接近，DRAM制造產(chǎn)值達(dá)到晶圓代工產(chǎn)值的84.5%。歷經(jīng)四年，各自在景氣波動(dòng)中起伏，晶圓代工產(chǎn)值是愈墊愈高，DRAM產(chǎn)值則振蕩向下。預(yù)估至2011年第四季，DRAM制造產(chǎn)值僅達(dá)晶圓代工產(chǎn)值的21.8%。除了全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣的影響外，各自在晶圓代工產(chǎn)業(yè)及DRAM產(chǎn)業(yè)中與國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)者之間的競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)弱仍是左右產(chǎn)值消長(zhǎng)的關(guān)鍵。 

圖三 1Q06~4Q11臺(tái)灣晶圓代工及DRAM制造產(chǎn)值變動(dòng)趨勢(shì)

北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單/出貨比如圖四所示，從2009年初景氣觸底開始回升至2010年八月為止，北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單一路走揚(yáng)，并創(chuàng)下連續(xù)15個(gè)月訂單/出貨比超過1.0的記錄。顯示半導(dǎo)體制造廠商看好未來產(chǎn)業(yè)前景及產(chǎn)能需求，進(jìn)行持續(xù)性的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，并在2011年二月北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨量達(dá)到此波的高峰。而在2010年10月起北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單/出貨比則已跌破1.0，半導(dǎo)體制造廠商的資本支出開始出現(xiàn)轉(zhuǎn)趨保守的狀態(tài)。展望2012年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出將趨于保守，以因應(yīng)全球經(jīng)濟(jì)不確定性升高所可能影響的終端產(chǎn)品需求。

圖四　北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單/出貨比

IEK觀點(diǎn)

2011年臺(tái)灣IC制造業(yè)產(chǎn)值在各季受到全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)不佳，以及區(qū)域天災(zāi)對(duì)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈沖擊的不利影響下，預(yù)估將較2010年衰退11.9%，達(dá)到7,785億新臺(tái)幣。其中晶圓代工產(chǎn)業(yè)因具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，以及供需情勢(shì)較穩(wěn)定，而呈現(xiàn)產(chǎn)值相對(duì)持穩(wěn)的表現(xiàn)。預(yù)估將較2010年微幅成長(zhǎng)0.3%，達(dá)到5,724億新臺(tái)幣。以DRAM制造為主的內(nèi)存制造產(chǎn)業(yè)則受到全球DRAM競(jìng)爭(zhēng)情勢(shì)嚴(yán)峻、供需失衡、以及各自面對(duì)著制程轉(zhuǎn)換、財(cái)務(wù)周轉(zhuǎn)、及業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型等問題，使得產(chǎn)值表現(xiàn)相對(duì)較弱。預(yù)估將較2010年大幅衰退34.2%，達(dá)到2,061億新臺(tái)幣。