韓國發(fā)展DRAM引導(dǎo)發(fā)展趨勢
[導(dǎo)讀]韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在人才和技術(shù)都比較匱乏的情況下，通過引進(jìn)國外技術(shù)、消化吸收，最后實(shí)現(xiàn)技術(shù)自有化。之所以取得成功，與韓國政府將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上升到國家級項(xiàng)目，最廣泛組織起其國內(nèi)業(yè)界優(yōu)勢資源結(jié)盟攻關(guān)密不可分，這
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在人才和技術(shù)都比較匱乏的情況下，通過引進(jìn)國外技術(shù)、消化吸收，最后實(shí)現(xiàn)技術(shù)自有化。之所以取得成功，與韓國政府將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上升到國家級項(xiàng)目，最廣泛組織起其國內(nèi)業(yè)界優(yōu)勢資源結(jié)盟攻關(guān)密不可分，這也是韓國人選準(zhǔn)DRAM為突破口高起點(diǎn)起步，并最終建立起自己半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是從上世紀(jì)60年代中期，利用海外資本從事晶體管封裝為起點(diǎn)發(fā)展起來的，這期間韓國盡管沒有專門的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策，僅是把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為電子產(chǎn)業(yè)扶持政策的一個方面加以對待，但這造就了一批企業(yè)家創(chuàng)業(yè)，對促進(jìn)民間資本向電子機(jī)械封裝生產(chǎn)集中分配資源起到了推動作用。
韓國政府1982年發(fā)布的《半導(dǎo)體工業(yè)扶持計劃》和《半導(dǎo)體扶持具體計劃》明確提出，實(shí)現(xiàn)國內(nèi)民用消費(fèi)電子產(chǎn)品需求和生產(chǎn)設(shè)備的進(jìn)口替代策略，形成一個完整的國內(nèi)自給自足的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標(biāo)。但在80年代初期，韓國民間企業(yè)并沒有按照政府提出的產(chǎn)業(yè)方向發(fā)展，而是選擇了生產(chǎn)面向國外工業(yè)用的DRAM，通過引進(jìn)國外新技術(shù)和設(shè)備，采用產(chǎn)品出口的戰(zhàn)略。
結(jié)果，韓國以O(shè)EM形式實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體全工序生產(chǎn)能力。到了80年代后期，“官民一體”的DRAM共同研發(fā)項(xiàng)目所形成的良性互動，則促進(jìn)了韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，DRAM的自主開發(fā)并形成初步的大規(guī)模生產(chǎn)能力。而隨著DRAM實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，韓國有了加入國際市場競爭的資本：通過品種多樣化，相應(yīng)發(fā)展起自己的設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)，提高了半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)的競爭能力。
到了90年代，韓國確立了IT立國戰(zhàn)略方針，在研發(fā)、技術(shù)引進(jìn)、建立經(jīng)濟(jì)特區(qū)等方面給予優(yōu)惠政策，而對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)則特別實(shí)行了具有國際競爭力的優(yōu)惠政策。此外，在韓國政府重點(diǎn)擇優(yōu)扶植，促進(jìn)大企業(yè)形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)和國際競爭力背景下，韓國商工部根據(jù)企業(yè)業(yè)績等條件確定三星集團(tuán)為綜合商社企業(yè)，在貿(mào)易行政、財政金融以及企業(yè)研發(fā)、設(shè)備投資等方面提供全面支持，這是今天的三星全方位形成國際領(lǐng)先水平的重要基礎(chǔ)。
韓國DRAM產(chǎn)業(yè)的成功，是政府強(qiáng)力支持下的產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟成功案例。1986年10月，政府將4M DRAM列為國家項(xiàng)目，目標(biāo)是到1989年開發(fā)出和規(guī)模生產(chǎn)4M DRAM，完全消除與日本公司的技術(shù)差距。為達(dá)此目標(biāo)，韓國政府推動了韓國三大半導(dǎo)體制造商：三星、LG和現(xiàn)代結(jié)盟進(jìn)行技術(shù)開發(fā)，并由一個政府研究所——電子與電信研究所(EM)，作為這三大廠商和6所大學(xué)的協(xié)調(diào)者。3年中(1986-1989) 該R&D項(xiàng)目共投入了1.1億美元，而政府承擔(dān)了其中的57%研發(fā)經(jīng)費(fèi)，遠(yuǎn)超過其他國家的資金投入和政府在具體研發(fā)項(xiàng)目中介入的力度。
政府這只推手給韓國DRAM帶來的變化是，當(dāng)1983年韓國以64K產(chǎn)品進(jìn)入DRAM領(lǐng)域時，技術(shù)上要落后美日4年時間。到1988年，三星在韓國三大企業(yè)中第一個宣布完成4M DRAM設(shè)計時，落后日本的時間已經(jīng)縮短到6個月。而到1992年的64M產(chǎn)品時，韓國則與日本DRAM廠商技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了同步。從256M DRAM開始，韓國則完全處于全球領(lǐng)先水平，并持續(xù)擴(kuò)大自己在DRAM領(lǐng)域技術(shù)開發(fā)速度上的優(yōu)勢。
大公司戰(zhàn)略構(gòu)筑了韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石，而說到韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，就不得不提及三星（Samsung）。成立于1969年三星電子，是三星集團(tuán)在電子行業(yè)的核心企業(yè)，成立初期的主營業(yè)務(wù)是白色家電，后來將業(yè)務(wù)拓展到半導(dǎo)體及通信設(shè)備行業(yè)等，時至今日，三星已經(jīng)成為全球電子及半導(dǎo)體產(chǎn)品線最為齊全的公司。
1974年12月，三星通過收購韓國半導(dǎo)體進(jìn)入了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，這就是后來的三星電子富川半導(dǎo)體工廠。1983年9月，三星開始自建第一個Fab，并以6個月的驚人效率建成投入使用。1984年，三星決定在其Fab中建設(shè)第二條生產(chǎn)線以生產(chǎn)6寸晶圓DRAM。當(dāng)時，即使是像英特爾、日立和NEC這些技術(shù)領(lǐng)先者，也只是在他們的fab試產(chǎn)6英寸的晶圓。
由于DRAM價格周期性波動，以及支付專利使用費(fèi)等多因素所致，到1986年，高速猛進(jìn)的三星半導(dǎo)體累計虧損了3億美元。但這并未動搖三星在DRAM制造業(yè)中取得成功的決心，為此，三星不但沒有采取保守戰(zhàn)略暫停投入，反倒是分批追加投資并開始了面向1M DRAM的更高技術(shù)領(lǐng)域開發(fā)。
1987年，三星在DRAM的投資終于取得了回報，所獲利潤完全抵消了所有累計的虧損。三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部總裁李雨潤的心得是：“存儲業(yè)是這樣一個行業(yè)，如果你不能在過去進(jìn)行適當(dāng)?shù)耐顿Y，那么你也不可能在下一次行業(yè)興盛時賺到錢。你應(yīng)該在這次行業(yè)興盛期獲得利潤而將其再次投資以等待下一次行業(yè)的興盛期?！?
韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是從上世紀(jì)60年代中期，利用海外資本從事晶體管封裝為起點(diǎn)發(fā)展起來的，這期間韓國盡管沒有專門的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策，僅是把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為電子產(chǎn)業(yè)扶持政策的一個方面加以對待，但這造就了一批企業(yè)家創(chuàng)業(yè)，對促進(jìn)民間資本向電子機(jī)械封裝生產(chǎn)集中分配資源起到了推動作用。
韓國政府1982年發(fā)布的《半導(dǎo)體工業(yè)扶持計劃》和《半導(dǎo)體扶持具體計劃》明確提出，實(shí)現(xiàn)國內(nèi)民用消費(fèi)電子產(chǎn)品需求和生產(chǎn)設(shè)備的進(jìn)口替代策略，形成一個完整的國內(nèi)自給自足的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標(biāo)。但在80年代初期，韓國民間企業(yè)并沒有按照政府提出的產(chǎn)業(yè)方向發(fā)展，而是選擇了生產(chǎn)面向國外工業(yè)用的DRAM，通過引進(jìn)國外新技術(shù)和設(shè)備，采用產(chǎn)品出口的戰(zhàn)略。
結(jié)果，韓國以O(shè)EM形式實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體全工序生產(chǎn)能力。到了80年代后期，“官民一體”的DRAM共同研發(fā)項(xiàng)目所形成的良性互動，則促進(jìn)了韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，DRAM的自主開發(fā)并形成初步的大規(guī)模生產(chǎn)能力。而隨著DRAM實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，韓國有了加入國際市場競爭的資本：通過品種多樣化，相應(yīng)發(fā)展起自己的設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)，提高了半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)的競爭能力。
到了90年代，韓國確立了IT立國戰(zhàn)略方針，在研發(fā)、技術(shù)引進(jìn)、建立經(jīng)濟(jì)特區(qū)等方面給予優(yōu)惠政策，而對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)則特別實(shí)行了具有國際競爭力的優(yōu)惠政策。此外，在韓國政府重點(diǎn)擇優(yōu)扶植，促進(jìn)大企業(yè)形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)和國際競爭力背景下，韓國商工部根據(jù)企業(yè)業(yè)績等條件確定三星集團(tuán)為綜合商社企業(yè)，在貿(mào)易行政、財政金融以及企業(yè)研發(fā)、設(shè)備投資等方面提供全面支持，這是今天的三星全方位形成國際領(lǐng)先水平的重要基礎(chǔ)。
韓國DRAM產(chǎn)業(yè)的成功，是政府強(qiáng)力支持下的產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟成功案例。1986年10月，政府將4M DRAM列為國家項(xiàng)目，目標(biāo)是到1989年開發(fā)出和規(guī)模生產(chǎn)4M DRAM，完全消除與日本公司的技術(shù)差距。為達(dá)此目標(biāo)，韓國政府推動了韓國三大半導(dǎo)體制造商：三星、LG和現(xiàn)代結(jié)盟進(jìn)行技術(shù)開發(fā)，并由一個政府研究所——電子與電信研究所(EM)，作為這三大廠商和6所大學(xué)的協(xié)調(diào)者。3年中(1986-1989) 該R&D項(xiàng)目共投入了1.1億美元，而政府承擔(dān)了其中的57%研發(fā)經(jīng)費(fèi)，遠(yuǎn)超過其他國家的資金投入和政府在具體研發(fā)項(xiàng)目中介入的力度。
政府這只推手給韓國DRAM帶來的變化是，當(dāng)1983年韓國以64K產(chǎn)品進(jìn)入DRAM領(lǐng)域時，技術(shù)上要落后美日4年時間。到1988年，三星在韓國三大企業(yè)中第一個宣布完成4M DRAM設(shè)計時，落后日本的時間已經(jīng)縮短到6個月。而到1992年的64M產(chǎn)品時，韓國則與日本DRAM廠商技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了同步。從256M DRAM開始，韓國則完全處于全球領(lǐng)先水平，并持續(xù)擴(kuò)大自己在DRAM領(lǐng)域技術(shù)開發(fā)速度上的優(yōu)勢。
大公司戰(zhàn)略構(gòu)筑了韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石，而說到韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，就不得不提及三星（Samsung）。成立于1969年三星電子，是三星集團(tuán)在電子行業(yè)的核心企業(yè)，成立初期的主營業(yè)務(wù)是白色家電，后來將業(yè)務(wù)拓展到半導(dǎo)體及通信設(shè)備行業(yè)等，時至今日，三星已經(jīng)成為全球電子及半導(dǎo)體產(chǎn)品線最為齊全的公司。
1974年12月，三星通過收購韓國半導(dǎo)體進(jìn)入了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，這就是后來的三星電子富川半導(dǎo)體工廠。1983年9月，三星開始自建第一個Fab，并以6個月的驚人效率建成投入使用。1984年，三星決定在其Fab中建設(shè)第二條生產(chǎn)線以生產(chǎn)6寸晶圓DRAM。當(dāng)時，即使是像英特爾、日立和NEC這些技術(shù)領(lǐng)先者，也只是在他們的fab試產(chǎn)6英寸的晶圓。
由于DRAM價格周期性波動，以及支付專利使用費(fèi)等多因素所致，到1986年，高速猛進(jìn)的三星半導(dǎo)體累計虧損了3億美元。但這并未動搖三星在DRAM制造業(yè)中取得成功的決心，為此，三星不但沒有采取保守戰(zhàn)略暫停投入，反倒是分批追加投資并開始了面向1M DRAM的更高技術(shù)領(lǐng)域開發(fā)。
1987年，三星在DRAM的投資終于取得了回報，所獲利潤完全抵消了所有累計的虧損。三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部總裁李雨潤的心得是：“存儲業(yè)是這樣一個行業(yè)，如果你不能在過去進(jìn)行適當(dāng)?shù)耐顿Y，那么你也不可能在下一次行業(yè)興盛時賺到錢。你應(yīng)該在這次行業(yè)興盛期獲得利潤而將其再次投資以等待下一次行業(yè)的興盛期?！?
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