力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺(tái)塑　臺(tái)廠勿再死守DRAM

時(shí)間：2011-11-11 09:50:34

關(guān)鍵字： DRAM Flash 美光 NAND

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[導(dǎo)讀]力晶亟欲與標(biāo)準(zhǔn)型DRAM劃清界限的同時(shí)，也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏，董事長(zhǎng)黃崇仁表示，不要再說(shuō)臺(tái)灣沒(méi)有內(nèi)存自有技術(shù)了，力晶的NAND Flash技術(shù)目前臺(tái)灣唯一自產(chǎn)自銷(xiāo)，同時(shí)也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術(shù)

力晶亟欲與標(biāo)準(zhǔn)型DRAM劃清界限的同時(shí)，也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏，董事長(zhǎng)黃崇仁表示，不要再說(shuō)臺(tái)灣沒(méi)有內(nèi)存自有技術(shù)了，力晶的NAND Flash技術(shù)目前臺(tái)灣唯一自產(chǎn)自銷(xiāo)，同時(shí)也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術(shù)技轉(zhuǎn)給南亞科和華亞科，臺(tái)廠不要再死守DRAM產(chǎn)業(yè)，才有一起得救的機(jī)會(huì);再者，他也暗示面板業(yè)資金借貸遠(yuǎn)比DRAM產(chǎn)業(yè)包袱大，是政府和市場(chǎng)要重視之處。
力晶的NAND Flash技術(shù)師承日商瑞薩(Renesas)，早期幫是做代工，后來(lái)瑞薩退出后就將技術(shù)賣(mài)給力晶，力晶接手后自己銜接技術(shù)研發(fā)，目前已量產(chǎn)40奈米制程，年底導(dǎo)入30奈米制程，且2012年還要轉(zhuǎn)進(jìn)28奈米制程。黃崇仁相當(dāng)自豪表示，雖然很多臺(tái)廠都說(shuō)要做NAND Flash，包括很多NOR Flash廠也說(shuō)要跨足NAND Flash技術(shù)，但力晶是臺(tái)灣第1家擁有NAND Flash自有技術(shù)和產(chǎn)品的公司，以后不要再說(shuō)臺(tái)灣內(nèi)存完全沒(méi)有自有技術(shù)了!
黃崇仁分析，同樣一片晶圓，做NAND Flash比做標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格高出許多，NAND Flash產(chǎn)業(yè)受惠智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、輕薄型筆記本電腦Ultrabook等行動(dòng)裝置應(yīng)用，NAND Flash產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值也快追上標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值，NAND Flash產(chǎn)業(yè)絕對(duì)是大勢(shì)所趨。
黃崇仁進(jìn)一步分析，國(guó)際大廠通常不愿意把NAND Flash技術(shù)授權(quán)給臺(tái)廠，因?yàn)橐耘_(tái)廠的生產(chǎn)功力和產(chǎn)能規(guī)模，NAND Flash價(jià)格很快會(huì)被打爛，國(guó)際大廠刻意維持這種平衡的策略，目的也是保持自己的高利潤(rùn)，而低毛利的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品就留給臺(tái)廠生產(chǎn)。
因此，黃崇仁積極呼吁，美光應(yīng)該趕快把NAND Flash技術(shù)授權(quán)給南亞科和華亞科，這2家臺(tái)廠不應(yīng)該再把這么多產(chǎn)能都死守在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM上，這樣不但不利于全球DRAM產(chǎn)業(yè)的供需平衡，同時(shí)也不利于自己，臺(tái)塑集團(tuán)與其花這么多錢(qián)去升級(jí)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM制程，這如拿去投NAND Flash技術(shù)。
對(duì)于臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)未來(lái)會(huì)如何發(fā)展?是否還有整并機(jī)會(huì)?黃崇仁表示，就如上述所言，不是沒(méi)機(jī)會(huì)，是要趕快轉(zhuǎn)型，不能死守標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，力晶已經(jīng)在朝此方向前進(jìn)，再者，外界都把焦點(diǎn)放在臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)的財(cái)務(wù)壓力，其實(shí)面板產(chǎn)業(yè)借貸資金壓力更大，外界和政府應(yīng)該多多專(zhuān)注。
他也分析，過(guò)去DRAM產(chǎn)業(yè)生存的不二法門(mén)是制程微縮，過(guò)去是1、2年轉(zhuǎn)進(jìn)1個(gè)世代，但現(xiàn)在因?yàn)镈RAM廠要籌資蓋廠、擴(kuò)產(chǎn)相當(dāng)困難，因此在制程微縮上下足功夫，幾乎是1年前進(jìn)2個(gè)世代，導(dǎo)致雖然很多DRAM廠都不生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM了，但全球DRAM產(chǎn)能仍是過(guò)剩，全是制程微縮惹的禍!
像是掌握全球60%市占率的韓系大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，三星也將標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能降至30%，海力士也一樣，但全球DRAM供需仍是嚴(yán)重供過(guò)于求，價(jià)格持續(xù)下滑。
以力晶為例，年初的制程是65奈米制程，年中進(jìn)展到40奈米制程，2012年初會(huì)再轉(zhuǎn)進(jìn)30奈米制程，這樣的制程微縮是非常可怕的，力晶和爾必達(dá)(Elpida)陣營(yíng)的優(yōu)勢(shì)是40奈米轉(zhuǎn)進(jìn)30奈米不會(huì)再投資錢(qián)，但其他廠不一樣，每一次制程轉(zhuǎn)換都是百億的投資金額。
黃崇仁指出，除了供給端因?yàn)橹瞥涛⒖s導(dǎo)致產(chǎn)能大增外，PC產(chǎn)業(yè)也面臨內(nèi)存搭載率提升不上來(lái)，像是平板計(jì)算機(jī)等對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM需求減少，都是產(chǎn)業(yè)積弱不振主因，既有臺(tái)系DRAM廠的解決之道光是轉(zhuǎn)進(jìn)Mobile RAM和服務(wù)器DRAM是不夠的，要像力晶一樣轉(zhuǎn)進(jìn)NAND Flash才是可行之道。