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[導(dǎo)讀]高通(Qualcomm)先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)來實現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前,這項技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場。他同時指出,業(yè)界對該技術(shù)價格和商業(yè)模式的爭論,將成為這項技術(shù)

高通(Qualcomm)先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)來實現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前,這項技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場。他同時指出,業(yè)界對該技術(shù)價格和商業(yè)模式的爭論,將成為這項技術(shù)未來發(fā)展的阻礙。

“如果我們無法解決價格問題,那么TSV的發(fā)展道路將更加漫長,”Nowak說。他同時指出,在價格與成本之間仍然存在的極大障礙,加上新技術(shù)的不確定性所隱含的風(fēng)險,以及實際的量產(chǎn)需求,形成了三個TSV技術(shù)所面臨的難題。部份業(yè)界人士認(rèn)為,到2014年,智能手機(jī)用的移動應(yīng)用處理器可能會采用TSV技術(shù),成為率先應(yīng)用TSV量產(chǎn)的產(chǎn)品。JEDEC正在擬訂一個支持TSV的Wide I/O存儲器介面,其目標(biāo)是成為下一代采用層疊封裝(PoP)的低功耗DDR3鏈接的繼任技術(shù)。

“可提供12.8GB/s的LPDDR3主要針對下一代層疊封裝元件應(yīng)用,但Wide I/O也具有其市場潛力,”Nowak說,他同時負(fù)責(zé)高通的TSV技術(shù)部份。“技術(shù)上來說,Wide I/O可自2014年起進(jìn)入應(yīng)用,然而,價格和商業(yè)模式仍將是該技術(shù)發(fā)展的阻礙?!?BR>
TSV技術(shù)承諾將提升性能,同時也將降低功耗及縮小元件尺寸,以因應(yīng)包括移動處理器在內(nèi)的各種應(yīng)用需求。TSV的致命弱點仍然是它的成本,Nowak說?!癢ide I/O DRAM的價格較現(xiàn)有的PoP配置高出許多,而PoP也不斷改良,甚至未來有可能設(shè)法再開發(fā)出一個新世代的產(chǎn)品,”他表示。

Nowak指出,一個名為EMC-3D的業(yè)界組織最近表示,以目前用于量產(chǎn)的工具模型為基礎(chǔ)來推估,TSV將使每片晶圓增加約120美元的成本。目前該技術(shù)仍然缺乏明確的商業(yè)模式,而且定價問題也頗為復(fù)雜,Nowak說。例如,當(dāng)晶圓廠制作完成,以及在完成封裝后,哪個環(huán)節(jié)該為良率負(fù)責(zé)?“一些公司可以扮演整合者的角色,但未來整個商業(yè)模式可能會有稍許改變,”他同時指出,目前業(yè)界已經(jīng)初步形成了一些TSV供應(yīng)鏈的伙伴關(guān)系。
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