[導讀]近日消息,據(jù)外媒報道,在美國加州舉行的IEEE定制積體電路大會(CICC)一場專題演講上有這樣一種看法:CMOS半導體技術(shù)將在2024年7nm制程時代面臨窘境,而石墨烯可望脫穎而出,成為用來取代這項技術(shù)的最佳選擇。美國喬治
近日消息,據(jù)外媒報道,在美國加州舉行的IEEE定制積體電路大會(CICC)一場專題演講上有這樣一種看法:CMOS半導體技術(shù)將在2024年7nm制程時代面臨窘境,而石墨烯可望脫穎而出,成為用來取代這項技術(shù)的最佳選擇。
美國喬治亞理工學院(Georgia Institute of Technology)電子與電腦工程學教授James D. Meindl表示:“石墨烯已經(jīng)展現(xiàn)出最終將取代矽晶微型晶片的多種可能了,但我個人認為最早還要再過十年,直到矽晶材料達到極限以後,我們才會看到石墨烯應用出現(xiàn)?!蓖瑫r,他也是該校奈米技術(shù)研究中心的創(chuàng)始總監(jiān),該研究中心致力于石墨烯的研究已有五年之久了。
在2024年時,矽晶 MOSFET 在可制造的通道長度以及可支援的絕緣閘厚薄方面將會達到瓶頸,Meindl援引國際半導體技術(shù)藍圖(ITRS)的預測表示。
在成為取代CMOS的替代材料之前,石墨烯也面臨著許多挑戰(zhàn)?!拔覀儽仨氃谑┍∑现圃斐鰯?shù)十億個電晶體,但我們目前所能制造的電晶體數(shù)量極少,”Meindl說。
英國曼徹斯特大學(University of Manchester )的研究人員們在2004年的一項研究中發(fā)現(xiàn)了這種新材料。這項獲得諾貝爾獎(Nobel Prize)的研究貢獻在於找到了一種可制造單層碳原子的新方法。Meindl回想,“當時沒有人認為可以做到這一點,但對於讓單層碳原子以六角形蜂巢晶格完美排列後所能實現(xiàn)的應用來說,那其實只是一個起點?!?BR>截至目前為止,研究人員們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了至少兩種可用於制造石墨烯的技術(shù)了。他們還在這種材料中制造出一些“相當粗糙”的有效電晶體。
相較於銅互連技術(shù)來說,石墨烯電晶體還具有更好的導電與導熱性,以及更高的載流量。用來制造MEMS時,石墨烯也非常具有吸引力,Meindl說。
“迄今為止,最令人印象深刻的石墨烯電晶體一直是RF電晶體”,例如用於500GHz類比訊號應用的放大器,Meindl并接著說,“而石墨烯開關(guān)則由於其漏電流等多種原因限制,使其較難以制造?!?BR>Meidl的實驗室正致力於研究如何制造出15nm線寬石墨帶的方法,使其作為能將石墨烯開關(guān)打造的像矽晶開關(guān)一樣快速且具功效的建構(gòu)基礎(chǔ)。但其主要挑戰(zhàn)在於制造出邊緣毫不受損的石墨帶,以避免導致材料正向特質(zhì)的退化。
截至目前為止,喬治亞理工學院各工程系所的近700名研究人員們已參訪了Meindl的實驗室并探索石墨烯材料?!拔覀兊募夹g(shù)有趣之處在於它像工程學一樣廣泛,而且?guī)缀蹙秃臀锢砜茖W一樣廣泛了,”他說。
CICC大會議程中還包括一系列探討有線、無線和光通訊到時脈、PLL、ADC和功率元件等各種研究主題的論文發(fā)表。此外還包括討論 3D 晶片堆疊以及生物醫(yī)學技術(shù)等特殊議題。
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