Z-RAM始祖關門大吉，美光受益

成立于2002年的Innovative Silicon公司，開發(fā)了一種稱為Z- RAM的浮體單晶體管存儲技術，當時它宣稱比傳統(tǒng)DRAM更好。然而今天，公司已經關門大吉。

公司即將卸任的首席營運官Michael Van Buskirk，在他的LinkedIn的個人狀態(tài)上寫到 “Innovative Silicon公司的主要銷售和技術人員：舉行認購法人大會，以便加快資產和人員的轉移。”

但Van Buskirk并沒有提到誰買下了公司，不過有跡象表明，美光科技公司（美國愛達荷州，博伊西）至少是其中一個主要受益者。

這家私人持有，有風險投資支持的公司，由Pierre C. Fazan和Serguei Okhonin于2002年在瑞士洛桑創(chuàng)立，隨后在加州的圣克拉拉設立總部。

目前兩個公司的網站已經不能訪問，聯(lián)系電話無法接通。但是這兩個網站的網址，都已經注冊到美光名下。

此外，Innovative Silicon前任首席技術官和主席Fazan，在LinkedIn社交網站上的身份是美光科技比利時微電子研究中心的工程經理，公司位于比利時勒芬。他這一身份自2010年9月就被公布了。

Z-RAM棄SOI，取垂直雙柵浮體而代之

Innovative Silicon的前首席科學官Okhonin，是ActLight的創(chuàng)始人。

Z-RAM技術最初是基于硅絕緣體（SOI）晶圓的，這種晶圓比體CMOS晶圓更昂貴，并且尚未成為行業(yè)主流。

事實上，Van Buskirk自己證明了最初的Z-RAM技術“既不可擴展也不可靠”，并與同事們共同開發(fā)了替代的體硅技術，也就是該公司后來開發(fā)的一種適合于體硅獨立存儲器應用的低電壓浮體DRAM存儲單元。

Innovative Silicon和 Hynix Semiconductor在2009年的VLSI技術研討會（VLSI Technology Symposium）上，聯(lián)合發(fā)表了基于體硅的Z-RAM論文；在2010年的VLSI技術研討會上，發(fā)表了另一篇關于垂直雙柵浮體的Z-RAM存儲單元的論文。

目前還不清楚美光或Hynix 是否會繼續(xù)研究垂直雙柵浮體Z-RAM技術。

Innovative Silicon獲得了三輪風險投資，這為他們總共募集了4,700萬美元，投資機構包括：Auriga Partners、Index Ventures、Highland Capital Partners、Austin Ventures和 Wellington Partners?？磥?strong>美光可能已經獲得了Innovative Silicon的相關專利。