Z-RAM始祖關(guān)門大吉，美光受益

成立于2002年的Innovative Silicon公司，開發(fā)了一種稱為Z- RAM的浮體單晶體管存儲(chǔ)技術(shù)，當(dāng)時(shí)它宣稱比傳統(tǒng)DRAM更好。然而今天，公司已經(jīng)關(guān)門大吉。

公司即將卸任的首席營(yíng)運(yùn)官M(fèi)ichael Van Buskirk，在他的LinkedIn的個(gè)人狀態(tài)上寫到 “Innovative Silicon公司的主要銷售和技術(shù)人員：舉行認(rèn)購(gòu)法人大會(huì)，以便加快資產(chǎn)和人員的轉(zhuǎn)移。”

但Van Buskirk并沒(méi)有提到誰(shuí)買下了公司，不過(guò)有跡象表明，美光科技公司（美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州，博伊西）至少是其中一個(gè)主要受益者。

這家私人持有，有風(fēng)險(xiǎn)投資支持的公司，由Pierre C. Fazan和Serguei Okhonin于2002年在瑞士洛桑創(chuàng)立，隨后在加州的圣克拉拉設(shè)立總部。

目前兩個(gè)公司的網(wǎng)站已經(jīng)不能訪問(wèn)，聯(lián)系電話無(wú)法接通。但是這兩個(gè)網(wǎng)站的網(wǎng)址，都已經(jīng)注冊(cè)到美光名下。

此外，Innovative Silicon前任首席技術(shù)官和主席Fazan，在LinkedIn社交網(wǎng)站上的身份是美光科技比利時(shí)微電子研究中心的工程經(jīng)理，公司位于比利時(shí)勒芬。他這一身份自2010年9月就被公布了。

Z-RAM棄SOI，取垂直雙柵浮體而代之

Innovative Silicon的前首席科學(xué)官Okhonin，是ActLight的創(chuàng)始人。

Z-RAM技術(shù)最初是基于硅絕緣體（SOI）晶圓的，這種晶圓比體CMOS晶圓更昂貴，并且尚未成為行業(yè)主流。

事實(shí)上，Van Buskirk自己證明了最初的Z-RAM技術(shù)“既不可擴(kuò)展也不可靠”，并與同事們共同開發(fā)了替代的體硅技術(shù)，也就是該公司后來(lái)開發(fā)的一種適合于體硅獨(dú)立存儲(chǔ)器應(yīng)用的低電壓浮體DRAM存儲(chǔ)單元。

Innovative Silicon和 Hynix Semiconductor在2009年的VLSI技術(shù)研討會(huì)（VLSI Technology Symposium）上，聯(lián)合發(fā)表了基于體硅的Z-RAM論文；在2010年的VLSI技術(shù)研討會(huì)上，發(fā)表了另一篇關(guān)于垂直雙柵浮體的Z-RAM存儲(chǔ)單元的論文。

目前還不清楚美光或Hynix 是否會(huì)繼續(xù)研究垂直雙柵浮體Z-RAM技術(shù)。

Innovative Silicon獲得了三輪風(fēng)險(xiǎn)投資，這為他們總共募集了4,700萬(wàn)美元，投資機(jī)構(gòu)包括：Auriga Partners、Index Ventures、Highland Capital Partners、Austin Ventures和 Wellington Partners?？磥?lái)美光可能已經(jīng)獲得了Innovative Silicon的相關(guān)專利。