臺(tái)灣ACE為本土廠商提供高性價(jià)比美國(guó)IC
[導(dǎo)讀]關(guān)鍵字： ACE Technology 松翰 智微 2011年深圳，臺(tái)灣愛(ài)喜益科技有限公司(ACE Technology Co., LTD)攜手其代理
關(guān)鍵字： ACE Technology 松翰 智微 2011年深圳，臺(tái)灣愛(ài)喜益科技有限公司(ACE Technology Co., LTD)攜手其代理商深圳市欣諾泰電子有限公司(Notec Technology Shenzhen Agency)首度登上IIC-China的舞臺(tái)，為本土工程師推薦來(lái)自臺(tái)灣地區(qū)的ACE公司及其產(chǎn)品。
ACE是一家IC設(shè)計(jì)公司，成立于2001年，主要提供Power類的電源管理IC和內(nèi)存類IC。產(chǎn)品經(jīng)理吳宏彥表示，ACE公司地IC設(shè)計(jì)技術(shù)和研發(fā)主要在美國(guó)矽谷，同時(shí)印度也有一個(gè)研發(fā)中心，而臺(tái)灣地區(qū)的分公司主要是負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)拓展和提供服務(wù)和技術(shù)支持。
ACE今年的主打產(chǎn)品將是SPI NOR FLASH系列IC，據(jù)悉該系列將在4月開(kāi)始量產(chǎn)第一款產(chǎn)品，4M bit的ACE25。吳宏彥表示，這顆IC具有非常明顯的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，估計(jì)售價(jià)大約為0.13美元。ACE25的具體參數(shù)如表1所示，表1中還有另外兩款將在今年發(fā)布的新產(chǎn)品16通道恒流LED驅(qū)動(dòng)ACE711和集成P-MOSFET的LDO模式過(guò)壓保護(hù)IC ACE516。
目前，ACE的EEPROM系列產(chǎn)品線已經(jīng)非常成熟，并被市場(chǎng)所廣泛接受。ACE的EEPROM系列產(chǎn)品如下列表2所示。
據(jù)悉，ACE進(jìn)入中國(guó)大陸市場(chǎng)的時(shí)間較晚，大約在2007年才開(kāi)始進(jìn)入。不過(guò)在短短幾年的時(shí)間，ACE實(shí)現(xiàn)了中國(guó)大陸市場(chǎng)的巨大增長(zhǎng)，僅去年一年，ACE中國(guó)大陸市場(chǎng)便達(dá)到了3倍的增長(zhǎng)。吳宏彥透露，ACE去年的營(yíng)業(yè)額達(dá)到1億元人民幣。
目前，ACE的許多產(chǎn)品都被松翰和智微的方案廣泛采用。下面圖片列舉了一些已經(jīng)商用的方案實(shí)例。吳宏彥表示，希望通過(guò)IIC的平臺(tái)讓更多中國(guó)本土廠商認(rèn)識(shí)ACE，經(jīng)過(guò)三天的展出，也收獲了不少信息、資源。
ACE為本土廠商提供高性價(jià)比美國(guó)IC(電子工程專輯)>
報(bào)道：Ana Hu
End of article 關(guān)鍵字： NOR 孫昌旭 NOR閃存
在日前第十屆國(guó)際集成電路展(IIC)上，Spansion公司展示了據(jù)稱目前最高密度的NOR閃存??單芯片512Mb的NOR閃存，并且還展示了薩基姆(Sagem)公司采用該閃存的一款手機(jī)?！拔覀兊?12Mb NOR閃存是目前進(jìn)入量產(chǎn)的單片最高NOR閃存?！痹摴靖笨偛猛豕鈧ケ硎?。Spansion公司由AMD和富士通公司的閃存部門合并而成，該公司在2004年正式更名為Spansion LLC。
目前，英特爾與Spansion公司是壟斷NOR閃存市場(chǎng)的兩巨頭。據(jù)調(diào)研公司iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，雖然2004年全年Spansion在該領(lǐng)域的份額超過(guò)了英特爾，但是在后兩個(gè)季度英特爾的銷售量又超過(guò)前者，據(jù)分析是英特爾在嵌入式市場(chǎng)的優(yōu)良銷售業(yè)績(jī)幫了他的忙。這兩個(gè)在NOE閃存市場(chǎng)經(jīng)常上演二人轉(zhuǎn)的公司在2005年將會(huì)展開(kāi)更激烈的角逐。
就在Spansion在IIC展會(huì)上發(fā)表量產(chǎn)的512Mb閃存時(shí)，英特爾公司也宣布了全新的StrataFlash(r) 嵌入式存儲(chǔ)器，主要面向家電、工業(yè)和有線通信等市場(chǎng)領(lǐng)域的嵌入式應(yīng)用，看來(lái)英特爾決心要巧固在該領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。全新英特爾StrataFlash(r) 嵌入式存儲(chǔ)器產(chǎn)品家族將提供從6? MB到1 GB的廣泛密度，密度為6? Mb - 512 Mb的產(chǎn)品將于2005年第二季度推出，密度為1 Gb的設(shè)備將于2005年下半年推出。
王光偉：我們的512Mb NOR閃存是該
領(lǐng)域目前能量產(chǎn)的單片最高密度的產(chǎn)品。
但是，Spansion在中國(guó)的手機(jī)廠商中似乎有很好的人緣，具王光偉稱中國(guó)前10名的手機(jī)廠商均采用了該公司的閃存產(chǎn)品，去年它在手機(jī)市場(chǎng)的銷售額占了該公司總銷售額的七成以上。“手機(jī)中對(duì)NOR閃存的需求增長(zhǎng)迅速?！彼A(yù)測(cè)道：“2005年，256Mb的NOR閃存將是手機(jī)的主流配置；而明年手機(jī)閃存的主流配置將達(dá)到512Mb。”王光偉表示?！拔覀儞碛泻w大部分容量的產(chǎn)品，并且它們都采用了統(tǒng)一的產(chǎn)品架構(gòu)和產(chǎn)品接口。這一點(diǎn)非常重要，因?yàn)樗馕吨娫捴圃焐炭梢栽跓o(wú)需改寫軟件的情況下，繼續(xù)擴(kuò)充它們的產(chǎn)品線?！彼a(bǔ)充說(shuō)。
支持Spansion不斷提升密度的是其屢獲殊榮的MirrorBit技術(shù)，它是一種先進(jìn)的每單元存儲(chǔ)雙比特的技術(shù)?！芭c其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手每單元多存儲(chǔ)位的MLC浮門技術(shù)相比，MirrorBit技術(shù)制造流程減少10%，關(guān)鍵掩膜步驟減少40% ，良品率提高30%，尤其是在高容量產(chǎn)品領(lǐng)域?！蓖豕鈧フf(shuō)道。此次推出的單片512Mb NOR閃存就是基于該技術(shù)，下一步是計(jì)劃在2005年推出1Gb密度的產(chǎn)品。此外，為了加強(qiáng)移動(dòng)電話的安全性，Spansion為其閃存提供高級(jí)扇區(qū)保護(hù)，這是一種基于硬件的閃存安全系統(tǒng)。高級(jí)扇區(qū)保護(hù)可以利用6?位密碼，防止關(guān)鍵的操作系統(tǒng)代碼、電話身份標(biāo)識(shí)信息和重要的系統(tǒng)設(shè)置遭受未經(jīng)授權(quán)的竄改。
但是，英特爾公司副總裁兼閃存產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Darin Billerbeck也表示：“英特爾已經(jīng)驗(yàn)證的第四代MLC技術(shù)可為嵌入式產(chǎn)品客戶提供出色的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。StrataFlash 嵌入式存儲(chǔ)器是我們的每位成本（cost-per-bit）最低的解決方案?！?
然而，Spansion還有一個(gè)殺手锏。他們計(jì)劃在今年推出一種稱為ORAND的閃存，它既具有NOR閃存的快速隨機(jī)讀寫，快速順序讀寫和極高的可靠性，同時(shí)也具有NAND閃存的快速寫入、低成本和高容量特點(diǎn)，“它的目標(biāo)是同時(shí)需要NAND和NOR閃存的應(yīng)用，ORNAND可以同時(shí)減小用戶的芯片數(shù)量和成本?！蓖豕鈧ケ硎?。他透露今年將推出1Gb密度的ORNAND閃存，價(jià)位將與NAND閃存具有競(jìng)爭(zhēng)性。ORAND技術(shù)將是Spansion進(jìn)一步擴(kuò)充市場(chǎng)的有力武器。[!--empirenews.page--]
在NOR閃存市場(chǎng)，除了英特爾和Spansion外，還有一些新的競(jìng)爭(zhēng)者值得關(guān)注，如臺(tái)灣華邦電子在IIC上展示了32Mb的NOR閃存，并表示該產(chǎn)品與Spansion的產(chǎn)品兼容。
作者：孫昌旭
End of article 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND Flash 3D 才剛對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因韓朝政治對(duì)立情勢(shì)升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點(diǎn)。業(yè)界聚焦重點(diǎn)放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過(guò)30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來(lái)韓朝關(guān)系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。
全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星
根據(jù)DIGITIMES Research分析，三星的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地離北韓相當(dāng)近，是東北亞電子產(chǎn)業(yè)的危機(jī)潛伏地區(qū)，三星是2009年全球半導(dǎo)體消費(fèi)金額排行第2的業(yè)者，僅次于惠普(HP)，顯示三星在半導(dǎo)體生產(chǎn)領(lǐng)域和消費(fèi)者領(lǐng)域的地位。
目前三星在韓國(guó)DRAM芯片單月產(chǎn)能超過(guò)30萬(wàn)片，包括Fab9、Fab10、Fab11A、Fab11B、Fab12、Fab13及Fab15等，涵蓋標(biāo)準(zhǔn)型DRAM、利基型DRAM等，全球市占率超過(guò)30%，影響所及涵蓋PC和各式消費(fèi)性電子應(yīng)用。
日前三星宣布要興建Fab16，預(yù)計(jì)單月產(chǎn)能可達(dá)20萬(wàn)片，未來(lái)可生產(chǎn)DRAM、NAND Flash等，繼而目標(biāo)是提升Fab15的制程技術(shù)至30納米制程，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要投入資本支出高達(dá)9兆韓圓(約80億美元)。
NAND Flash芯片單月產(chǎn)能約25萬(wàn)~30萬(wàn)片，全球市占率逼近40%，應(yīng)用領(lǐng)域包括手機(jī)、MP3播放器、隨身碟、快閃記憶卡等。目前三星和二哥東芝 (Toshiba)的全球市占率越來(lái)越接近，2廠都超過(guò)30%市占率，掌控全球NAND Flash芯片的供貨主導(dǎo)權(quán)。
三星史上最高資本支出 成功獵殺臺(tái)廠
三星日前才宣布史上最高金額的資本支出計(jì)劃，全球DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)應(yīng)聲全倒，成功狙擊了這一波正在從谷底復(fù)蘇，且積極有募資計(jì)劃的臺(tái)廠。臺(tái)系DRAM廠的營(yíng)運(yùn)雖然從谷底反彈，但根基還不穩(wěn)固，尤其是身上仍是負(fù)債累累，且沒(méi)有多余資金可以擴(kuò)產(chǎn)，三星這項(xiàng)資本支出計(jì)劃，成功讓臺(tái)廠的募資計(jì)劃受挫。
對(duì)于美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)這兩家競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手雖然成功在金融風(fēng)暴中挺過(guò)來(lái)，但手上的銀彈有限，不可能跟隨三星加入這場(chǎng)錢海戰(zhàn)術(shù)，加上美日兩陣營(yíng)近年來(lái)與臺(tái)系DRAM廠越綁越近，利用臺(tái)灣低成本的生產(chǎn)基地，讓美日兩大陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)力大增，但三星這一次出招，卻讓臺(tái)美日內(nèi)存廠全部都挨悶棍。
內(nèi)存業(yè)者認(rèn)為，三星宣布的資本支出計(jì)劃出爐后，基本上已達(dá)到重挫對(duì)手的目的，是否真的全部如期執(zhí)行，則是其次問(wèn)題，惟現(xiàn)在大家關(guān)心韓朝戰(zhàn)略情勢(shì)升溫，不確定性大幅增加，但業(yè)者認(rèn)為，這種牽扯到政治和戰(zhàn)爭(zhēng)之事，只能用假設(shè)和推測(cè)去分析。
業(yè)者認(rèn)為，由于三星在韓國(guó)的廠房接近朝鮮地區(qū)，如果真的有戰(zhàn)事發(fā)生，導(dǎo)致三星廠房有損失，最大受惠者當(dāng)然是臺(tái)美日DRAM廠，以及美日陣營(yíng)的 NAND Flash大廠，如果南北韓戰(zhàn)事擴(kuò)大，恐削弱三星長(zhǎng)期的產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，會(huì)是臺(tái)美日等各廠擊倒三星的最佳機(jī)會(huì)點(diǎn)。
•下一頁(yè)：三星危機(jī)誰(shuí)損誰(shuí)益？
相關(guān)閱讀：
• “天安艦”事件或影響韓廠供貨，臺(tái)廠有望從中得利
• 三星移動(dòng)顯示2.5兆韓元押寶AMOLED面板商機(jī)
1 2 到第頁(yè) End of article
ACE是一家IC設(shè)計(jì)公司，成立于2001年，主要提供Power類的電源管理IC和內(nèi)存類IC。產(chǎn)品經(jīng)理吳宏彥表示，ACE公司地IC設(shè)計(jì)技術(shù)和研發(fā)主要在美國(guó)矽谷，同時(shí)印度也有一個(gè)研發(fā)中心，而臺(tái)灣地區(qū)的分公司主要是負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)拓展和提供服務(wù)和技術(shù)支持。
ACE今年的主打產(chǎn)品將是SPI NOR FLASH系列IC，據(jù)悉該系列將在4月開(kāi)始量產(chǎn)第一款產(chǎn)品，4M bit的ACE25。吳宏彥表示，這顆IC具有非常明顯的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，估計(jì)售價(jià)大約為0.13美元。ACE25的具體參數(shù)如表1所示，表1中還有另外兩款將在今年發(fā)布的新產(chǎn)品16通道恒流LED驅(qū)動(dòng)ACE711和集成P-MOSFET的LDO模式過(guò)壓保護(hù)IC ACE516。
目前，ACE的EEPROM系列產(chǎn)品線已經(jīng)非常成熟，并被市場(chǎng)所廣泛接受。ACE的EEPROM系列產(chǎn)品如下列表2所示。
據(jù)悉，ACE進(jìn)入中國(guó)大陸市場(chǎng)的時(shí)間較晚，大約在2007年才開(kāi)始進(jìn)入。不過(guò)在短短幾年的時(shí)間，ACE實(shí)現(xiàn)了中國(guó)大陸市場(chǎng)的巨大增長(zhǎng)，僅去年一年，ACE中國(guó)大陸市場(chǎng)便達(dá)到了3倍的增長(zhǎng)。吳宏彥透露，ACE去年的營(yíng)業(yè)額達(dá)到1億元人民幣。
目前，ACE的許多產(chǎn)品都被松翰和智微的方案廣泛采用。下面圖片列舉了一些已經(jīng)商用的方案實(shí)例。吳宏彥表示，希望通過(guò)IIC的平臺(tái)讓更多中國(guó)本土廠商認(rèn)識(shí)ACE，經(jīng)過(guò)三天的展出，也收獲了不少信息、資源。
ACE為本土廠商提供高性價(jià)比美國(guó)IC(電子工程專輯)>報(bào)道：Ana Hu
End of article 關(guān)鍵字： NOR 孫昌旭 NOR閃存
在日前第十屆國(guó)際集成電路展(IIC)上，Spansion公司展示了據(jù)稱目前最高密度的NOR閃存??單芯片512Mb的NOR閃存，并且還展示了薩基姆(Sagem)公司采用該閃存的一款手機(jī)?！拔覀兊?12Mb NOR閃存是目前進(jìn)入量產(chǎn)的單片最高NOR閃存?！痹摴靖笨偛猛豕鈧ケ硎?。Spansion公司由AMD和富士通公司的閃存部門合并而成，該公司在2004年正式更名為Spansion LLC。
目前，英特爾與Spansion公司是壟斷NOR閃存市場(chǎng)的兩巨頭。據(jù)調(diào)研公司iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，雖然2004年全年Spansion在該領(lǐng)域的份額超過(guò)了英特爾，但是在后兩個(gè)季度英特爾的銷售量又超過(guò)前者，據(jù)分析是英特爾在嵌入式市場(chǎng)的優(yōu)良銷售業(yè)績(jī)幫了他的忙。這兩個(gè)在NOE閃存市場(chǎng)經(jīng)常上演二人轉(zhuǎn)的公司在2005年將會(huì)展開(kāi)更激烈的角逐。
就在Spansion在IIC展會(huì)上發(fā)表量產(chǎn)的512Mb閃存時(shí)，英特爾公司也宣布了全新的StrataFlash(r) 嵌入式存儲(chǔ)器，主要面向家電、工業(yè)和有線通信等市場(chǎng)領(lǐng)域的嵌入式應(yīng)用，看來(lái)英特爾決心要巧固在該領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。全新英特爾StrataFlash(r) 嵌入式存儲(chǔ)器產(chǎn)品家族將提供從6? MB到1 GB的廣泛密度，密度為6? Mb - 512 Mb的產(chǎn)品將于2005年第二季度推出，密度為1 Gb的設(shè)備將于2005年下半年推出。
王光偉：我們的512Mb NOR閃存是該
領(lǐng)域目前能量產(chǎn)的單片最高密度的產(chǎn)品。
但是，Spansion在中國(guó)的手機(jī)廠商中似乎有很好的人緣，具王光偉稱中國(guó)前10名的手機(jī)廠商均采用了該公司的閃存產(chǎn)品，去年它在手機(jī)市場(chǎng)的銷售額占了該公司總銷售額的七成以上。“手機(jī)中對(duì)NOR閃存的需求增長(zhǎng)迅速?！彼A(yù)測(cè)道：“2005年，256Mb的NOR閃存將是手機(jī)的主流配置；而明年手機(jī)閃存的主流配置將達(dá)到512Mb。”王光偉表示?！拔覀儞碛泻w大部分容量的產(chǎn)品，并且它們都采用了統(tǒng)一的產(chǎn)品架構(gòu)和產(chǎn)品接口。這一點(diǎn)非常重要，因?yàn)樗馕吨娫捴圃焐炭梢栽跓o(wú)需改寫軟件的情況下，繼續(xù)擴(kuò)充它們的產(chǎn)品線?！彼a(bǔ)充說(shuō)。
支持Spansion不斷提升密度的是其屢獲殊榮的MirrorBit技術(shù)，它是一種先進(jìn)的每單元存儲(chǔ)雙比特的技術(shù)?！芭c其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手每單元多存儲(chǔ)位的MLC浮門技術(shù)相比，MirrorBit技術(shù)制造流程減少10%，關(guān)鍵掩膜步驟減少40% ，良品率提高30%，尤其是在高容量產(chǎn)品領(lǐng)域?！蓖豕鈧フf(shuō)道。此次推出的單片512Mb NOR閃存就是基于該技術(shù)，下一步是計(jì)劃在2005年推出1Gb密度的產(chǎn)品。此外，為了加強(qiáng)移動(dòng)電話的安全性，Spansion為其閃存提供高級(jí)扇區(qū)保護(hù)，這是一種基于硬件的閃存安全系統(tǒng)。高級(jí)扇區(qū)保護(hù)可以利用6?位密碼，防止關(guān)鍵的操作系統(tǒng)代碼、電話身份標(biāo)識(shí)信息和重要的系統(tǒng)設(shè)置遭受未經(jīng)授權(quán)的竄改。
但是，英特爾公司副總裁兼閃存產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Darin Billerbeck也表示：“英特爾已經(jīng)驗(yàn)證的第四代MLC技術(shù)可為嵌入式產(chǎn)品客戶提供出色的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。StrataFlash 嵌入式存儲(chǔ)器是我們的每位成本（cost-per-bit）最低的解決方案?！?
然而，Spansion還有一個(gè)殺手锏。他們計(jì)劃在今年推出一種稱為ORAND的閃存，它既具有NOR閃存的快速隨機(jī)讀寫，快速順序讀寫和極高的可靠性，同時(shí)也具有NAND閃存的快速寫入、低成本和高容量特點(diǎn)，“它的目標(biāo)是同時(shí)需要NAND和NOR閃存的應(yīng)用，ORNAND可以同時(shí)減小用戶的芯片數(shù)量和成本?！蓖豕鈧ケ硎?。他透露今年將推出1Gb密度的ORNAND閃存，價(jià)位將與NAND閃存具有競(jìng)爭(zhēng)性。ORAND技術(shù)將是Spansion進(jìn)一步擴(kuò)充市場(chǎng)的有力武器。[!--empirenews.page--]
在NOR閃存市場(chǎng)，除了英特爾和Spansion外，還有一些新的競(jìng)爭(zhēng)者值得關(guān)注，如臺(tái)灣華邦電子在IIC上展示了32Mb的NOR閃存，并表示該產(chǎn)品與Spansion的產(chǎn)品兼容。
作者：孫昌旭
End of article 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM NAND Flash 3D 才剛對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因韓朝政治對(duì)立情勢(shì)升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點(diǎn)。業(yè)界聚焦重點(diǎn)放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過(guò)30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來(lái)韓朝關(guān)系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。
全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星
根據(jù)DIGITIMES Research分析，三星的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地離北韓相當(dāng)近，是東北亞電子產(chǎn)業(yè)的危機(jī)潛伏地區(qū)，三星是2009年全球半導(dǎo)體消費(fèi)金額排行第2的業(yè)者，僅次于惠普(HP)，顯示三星在半導(dǎo)體生產(chǎn)領(lǐng)域和消費(fèi)者領(lǐng)域的地位。
目前三星在韓國(guó)DRAM芯片單月產(chǎn)能超過(guò)30萬(wàn)片，包括Fab9、Fab10、Fab11A、Fab11B、Fab12、Fab13及Fab15等，涵蓋標(biāo)準(zhǔn)型DRAM、利基型DRAM等，全球市占率超過(guò)30%，影響所及涵蓋PC和各式消費(fèi)性電子應(yīng)用。
日前三星宣布要興建Fab16，預(yù)計(jì)單月產(chǎn)能可達(dá)20萬(wàn)片，未來(lái)可生產(chǎn)DRAM、NAND Flash等，繼而目標(biāo)是提升Fab15的制程技術(shù)至30納米制程，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要投入資本支出高達(dá)9兆韓圓(約80億美元)。
NAND Flash芯片單月產(chǎn)能約25萬(wàn)~30萬(wàn)片，全球市占率逼近40%，應(yīng)用領(lǐng)域包括手機(jī)、MP3播放器、隨身碟、快閃記憶卡等。目前三星和二哥東芝 (Toshiba)的全球市占率越來(lái)越接近，2廠都超過(guò)30%市占率，掌控全球NAND Flash芯片的供貨主導(dǎo)權(quán)。
三星史上最高資本支出 成功獵殺臺(tái)廠
三星日前才宣布史上最高金額的資本支出計(jì)劃，全球DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)應(yīng)聲全倒，成功狙擊了這一波正在從谷底復(fù)蘇，且積極有募資計(jì)劃的臺(tái)廠。臺(tái)系DRAM廠的營(yíng)運(yùn)雖然從谷底反彈，但根基還不穩(wěn)固，尤其是身上仍是負(fù)債累累，且沒(méi)有多余資金可以擴(kuò)產(chǎn)，三星這項(xiàng)資本支出計(jì)劃，成功讓臺(tái)廠的募資計(jì)劃受挫。
對(duì)于美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)這兩家競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手雖然成功在金融風(fēng)暴中挺過(guò)來(lái)，但手上的銀彈有限，不可能跟隨三星加入這場(chǎng)錢海戰(zhàn)術(shù)，加上美日兩陣營(yíng)近年來(lái)與臺(tái)系DRAM廠越綁越近，利用臺(tái)灣低成本的生產(chǎn)基地，讓美日兩大陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)力大增，但三星這一次出招，卻讓臺(tái)美日內(nèi)存廠全部都挨悶棍。
內(nèi)存業(yè)者認(rèn)為，三星宣布的資本支出計(jì)劃出爐后，基本上已達(dá)到重挫對(duì)手的目的，是否真的全部如期執(zhí)行，則是其次問(wèn)題，惟現(xiàn)在大家關(guān)心韓朝戰(zhàn)略情勢(shì)升溫，不確定性大幅增加，但業(yè)者認(rèn)為，這種牽扯到政治和戰(zhàn)爭(zhēng)之事，只能用假設(shè)和推測(cè)去分析。
業(yè)者認(rèn)為，由于三星在韓國(guó)的廠房接近朝鮮地區(qū)，如果真的有戰(zhàn)事發(fā)生，導(dǎo)致三星廠房有損失，最大受惠者當(dāng)然是臺(tái)美日DRAM廠，以及美日陣營(yíng)的 NAND Flash大廠，如果南北韓戰(zhàn)事擴(kuò)大，恐削弱三星長(zhǎng)期的產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，會(huì)是臺(tái)美日等各廠擊倒三星的最佳機(jī)會(huì)點(diǎn)。
•下一頁(yè)：三星危機(jī)誰(shuí)損誰(shuí)益？
相關(guān)閱讀：
• “天安艦”事件或影響韓廠供貨，臺(tái)廠有望從中得利
• 三星移動(dòng)顯示2.5兆韓元押寶AMOLED面板商機(jī)
下載文檔
