NXP：下一代LTE基站功率放大器全面試商用
[導(dǎo)讀]關(guān)鍵字： LTE 功率放大器 射頻功率放大器 “我們的多款LTE基站功率放大器已被主流通信設(shè)備廠商采用，并已投入
關(guān)鍵字： LTE 功率放大器 射頻功率放大器 “我們的多款LTE基站功率放大器已被主流通信設(shè)備廠商采用，并已投入到中國(guó)運(yùn)營(yíng)商的大規(guī)模試商用中。”恩智浦半導(dǎo)體高性能RF產(chǎn)品線RF功率及基站產(chǎn)品國(guó)際營(yíng)銷經(jīng)理潘?在IIC展臺(tái)無限自豪地對(duì)本刊記者表示。
作為L(zhǎng)DMOS功率放大器的后來居上者，NXP在基站功率放大器市場(chǎng)的份額迅速提升，特別是趕上了中國(guó)運(yùn)營(yíng)商大規(guī)模建網(wǎng)的好時(shí)機(jī)。當(dāng)然，這主要得歸功于他們的產(chǎn)品在能效上的明顯優(yōu)勢(shì)，正好滿足了運(yùn)營(yíng)商綠色基站的需求。比如此次展會(huì)上，他們推出的一款針對(duì)2.1GHz WCDMA的ASM-Doherty射頻功率放大器——BLF7G22LS-130/200，通過Polar跟蹤和Doherty預(yù)失真的方式大幅提升效率，在80W的平均輸出功率上，效率可達(dá)48%。
另一款針對(duì)AF雙頻段的TD-SCDMA射頻功率放大器——21LS-160P，也已成為中移動(dòng)基站中的主流產(chǎn)品，一個(gè)器件實(shí)現(xiàn)Doherty，具有高集成度低成本優(yōu)勢(shì)。在22W的平均輸出功率上效率可達(dá)42%。
針對(duì)2.1GHz WCDMA/LTE的基站射頻功放——3xBLF7G22LS-160，采用了NXP專利的3路Doherty技術(shù)，效率達(dá)48%以上。
如果說過去兩年是NXP在射頻功放市場(chǎng)由弱至強(qiáng)的兩年，那么未來隨著射頻功放向LTE/4G的高頻發(fā)展，NXP的優(yōu)勢(shì)就會(huì)更加明顯?！拔覀?cè)?.8Ghz的產(chǎn)品上很有信心；在2.3G-2.4G的產(chǎn)品中具有較強(qiáng)的節(jié)能優(yōu)勢(shì)；而在3.8Ghz以上的市場(chǎng)基本上就沒有對(duì)手了?！迸?信心十足地表示。
此次，他們展示了一款頻率為2.5-2.7Ghz，針對(duì)LTE、TD-LTE和WiMAX的基站功率放大器——BLFG27LS-90P，同樣采用了高集成度的單器件Doherty技術(shù)，在18W的平均輸出效率上，效率大于42%。另一款針對(duì)2.1GHz WCDMA/LTE的基站射頻功放——3xBLF7G22LS-160，則是采用了NXP專利的3路Doherty技術(shù)，效率達(dá)48%以上，具有16dB的高增益?！霸撈骷捎昧薕FDM和64QAM調(diào)制方式，具有較高的峰值功率。經(jīng)大批量生產(chǎn)驗(yàn)證，具有很好的一致性和高可靠性?！?潘?說道。
在LDMOS市場(chǎng)獲得成功后，NXP下一步將會(huì)推氮化鎵工藝的射頻功放?！半S著開關(guān)技術(shù)成熟后，可以更好地發(fā)揮氮化鎵的高密度與高頻率特性，我們預(yù)計(jì)這種新工藝的PA在2013/2014年可以商用?！迸?對(duì)本刊記者透露。
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作為L(zhǎng)DMOS功率放大器的后來居上者，NXP在基站功率放大器市場(chǎng)的份額迅速提升，特別是趕上了中國(guó)運(yùn)營(yíng)商大規(guī)模建網(wǎng)的好時(shí)機(jī)。當(dāng)然，這主要得歸功于他們的產(chǎn)品在能效上的明顯優(yōu)勢(shì)，正好滿足了運(yùn)營(yíng)商綠色基站的需求。比如此次展會(huì)上，他們推出的一款針對(duì)2.1GHz WCDMA的ASM-Doherty射頻功率放大器——BLF7G22LS-130/200，通過Polar跟蹤和Doherty預(yù)失真的方式大幅提升效率，在80W的平均輸出功率上，效率可達(dá)48%。
另一款針對(duì)AF雙頻段的TD-SCDMA射頻功率放大器——21LS-160P，也已成為中移動(dòng)基站中的主流產(chǎn)品，一個(gè)器件實(shí)現(xiàn)Doherty，具有高集成度低成本優(yōu)勢(shì)。在22W的平均輸出功率上效率可達(dá)42%。
針對(duì)2.1GHz WCDMA/LTE的基站射頻功放——3xBLF7G22LS-160，采用了NXP專利的3路Doherty技術(shù)，效率達(dá)48%以上。
如果說過去兩年是NXP在射頻功放市場(chǎng)由弱至強(qiáng)的兩年，那么未來隨著射頻功放向LTE/4G的高頻發(fā)展，NXP的優(yōu)勢(shì)就會(huì)更加明顯?！拔覀?cè)?.8Ghz的產(chǎn)品上很有信心；在2.3G-2.4G的產(chǎn)品中具有較強(qiáng)的節(jié)能優(yōu)勢(shì)；而在3.8Ghz以上的市場(chǎng)基本上就沒有對(duì)手了?！迸?信心十足地表示。
此次，他們展示了一款頻率為2.5-2.7Ghz，針對(duì)LTE、TD-LTE和WiMAX的基站功率放大器——BLFG27LS-90P，同樣采用了高集成度的單器件Doherty技術(shù)，在18W的平均輸出效率上，效率大于42%。另一款針對(duì)2.1GHz WCDMA/LTE的基站射頻功放——3xBLF7G22LS-160，則是采用了NXP專利的3路Doherty技術(shù)，效率達(dá)48%以上，具有16dB的高增益?！霸撈骷捎昧薕FDM和64QAM調(diào)制方式，具有較高的峰值功率。經(jīng)大批量生產(chǎn)驗(yàn)證，具有很好的一致性和高可靠性?！?潘?說道。
在LDMOS市場(chǎng)獲得成功后，NXP下一步將會(huì)推氮化鎵工藝的射頻功放?！半S著開關(guān)技術(shù)成熟后，可以更好地發(fā)揮氮化鎵的高密度與高頻率特性，我們預(yù)計(jì)這種新工藝的PA在2013/2014年可以商用?！迸?對(duì)本刊記者透露。
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