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[導讀]2010年大陸因市場需求勁揚5成,產(chǎn)能受限,導致部分金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor;MOSFET)的訂單出現(xiàn)出貨時間遞延的現(xiàn)象,英飛凌(Infineon)、意法半導體(STMicroel

2010年大陸因市場需求勁揚5成,產(chǎn)能受限,導致部分金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor;MOSFET)的訂單出現(xiàn)出貨時間遞延的現(xiàn)象,英飛凌(Infineon)、意法半導體(STMicroelectronics)與快捷(Fairchild)等主要供應(yīng)商皆面臨類似挑戰(zhàn)。

2010年大陸能源MOSFET市場規(guī)模達24億美元,較2009年的16億美元成長53%左右。業(yè)界紛紛認為,因供應(yīng)商新建產(chǎn)線仍有待投產(chǎn),預(yù)期特定MOSFET與封裝產(chǎn)品在2010年缺貨、訂單出貨時間延長的光景,將持續(xù)至2011年。

2009年能源MOSFET產(chǎn)值以資料處理、消費性電子與通訊等為市場主要需求來源,占整體比重分為41%、25%、23%。

2010年時因大陸當局鼓勵產(chǎn)業(yè)投資架設(shè)新式通訊網(wǎng)路,通訊產(chǎn)業(yè)有線與無線業(yè)務(wù)總計為本土能源MOSFET市場創(chuàng)造了6.17億美元,較2009年的3.65億美元成長近7成左右,同一時期的消費性電子貢獻產(chǎn)值約為5.7億美元。其中汽車電子業(yè)務(wù)需求勁揚,相關(guān)業(yè)務(wù)規(guī)模較2009年攀升64%,于2010年上探1.01億美元。

此外,低電壓MOSFET為能源MOSFET市場成長主要動力,主要原因為通訊產(chǎn)業(yè)與資料處理市場對于低電壓MOSFET應(yīng)用需求揚升所致! ,約于2009年把持近5成左右市場,于2011年將持續(xù)主導能源MOSFET發(fā)展。

?于2010年能源MOSFET需求成長力道強勁,第4季方見市場需求上升速度趨緩,預(yù)估市場需求將于2011年第1季觸底,于同年4月起? |適度成長。

不少市場調(diào)查機構(gòu)估算,2009~2014年間,能源MOSFET的復合年均成長率(Compound Annual Growth Rate;CAGR)約可達到2成左右。
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