兩大趨勢會引導(dǎo)未來半導(dǎo)體資本設(shè)備支出

國際研究暨顧問機構(gòu) Gartner 發(fā)布最新展望報告， 2010年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出達到384億美元，較2009的166億美元大幅成長131.2%；同時預(yù)估 2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出為380億美元，較2010年微幅下滑1%。
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：“2010年會是半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)成長最為強勁的一年，較景氣大壞的2009年顯著反彈回升?！辈贿^，企業(yè)應(yīng)為成長較為緩和的2011年預(yù)先做好準(zhǔn)備，因為屆時設(shè)備采購會更注重產(chǎn)能提升而非技術(shù)設(shè)備。

Rinnen進一步分析：“兩大趨勢會引導(dǎo)未來的資本支出。首要趨勢是NAND閃存成為內(nèi)存部門最主要的資本支出來源。在平板媒體(media tablets)銷售佳績的帶動下，NAND 的需求在可預(yù)見的未來皆將維持強勁，且必須持續(xù)大幅投資以因應(yīng)激增的需求。另一趨勢是，晶圓代工產(chǎn)業(yè)因臺積電(TSMC)、GLOBALFOUNDRIES和三星(Samsung)在尖端技術(shù)激烈競爭，本支出需求，以及整合組件大廠(IDMs)持續(xù)的資產(chǎn)輕減(asset lite)策略，所帶動的資本支出?！?BR>
半導(dǎo)體資本設(shè)備市場的所有部門在2010年的成長表現(xiàn)格外強勁，年增率在118%至140%間(參考下表)。在晶圓廠設(shè)備(WFE)市場，2010年全球在此市場的支出穩(wěn)步增至297億美元，較2009年勁揚133%。半導(dǎo)體全球需求的強勁，加以在2008年和2009年投資不足，使得之前受抑制的設(shè)備需求因景氣回春而釋放出來。然而，由于更多的產(chǎn)能上線和半導(dǎo)體生產(chǎn)隨終端消產(chǎn)品需求而減緩，整體產(chǎn)能使用率已呈緩慢下降之勢。Gartner預(yù)測，2011年晶圓廠設(shè)備市場將萎縮3.4%，2012年則可望回復(fù)正成長。

2010年，全球封裝設(shè)備(PAE)部門的支出估計可逾59億美元，較2009年增加118.6%。同時預(yù)期2011年封裝設(shè)備部門的支出可成長7%。進一步看各區(qū)域市場，2010年亞太地區(qū)在封裝設(shè)備的采購將會占整體市場的79%，至2014年時，此一比重將上升至86%。2013年，中國將成為封裝設(shè)備最大采購者，屆時占整體市場的比重將突破30%。

2010年，全球自動測試設(shè)備(ATE)市場規(guī)模預(yù)計可達28億美元，較2009年大幅成長140.5%。此一市場于今年前三季皆呈穩(wěn)健成長，但2010年底會出季節(jié)性衰退，且延續(xù)到2011年初。自動測試設(shè)備市場于2010年的大幅成長，主要原因之一是此一市場景氣于2009年跌至谷底，當(dāng)時內(nèi)存測試設(shè)備市場甚至衰退至不足2億美元。


2009~2014年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出預(yù)測 (單位：百萬美元)
（來源：Gartner，2010年10月）