[導讀]存儲器業(yè)者預期,未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化存儲器(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)等次世代存儲器,將會有一番激烈競爭。 爾必達在存儲器領域布局越來越廣泛,2010年取得已
存儲器業(yè)者預期,未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化存儲器(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)等次世代存儲器,將會有一番激烈競爭。
爾必達在存儲器領域布局越來越廣泛,2010年取得已破產(chǎn)的奇夢達(Qimonda)繪圖卡存儲器(GDDR)技術,又與飛索(Spansion)合作研發(fā)電荷捕獲 (charging-trapping)NAND Flash技術,未來可能跨足到NOR Flash市場,近期則宣布與夏普合作開發(fā)ReRAM。未來爾必達將以存儲器制程技術,輔以夏普最擅長的材料技術和制作工法,切入30納米制程,最快 2011年研發(fā)出ReRAM相關材料和制造技術,并由爾必達負責量產(chǎn)。
值得注意的是,海力士與惠普日前才宣布要共同開發(fā)ReRAM技術,惠普具有新的極小電子元件(Memory resistors;Memristors)技術,采用十字結(jié)構(gòu),相較于傳統(tǒng)存儲器電路,更容易在層內(nèi)堆疊,借以讓晶體管儲存更多資料,惠普已研發(fā)逾10 年之久,藉由惠普的材料技術,以及海力士在存儲器領域量產(chǎn)和技術實力,雙方合作開發(fā)ReRAM芯片,預計在3年內(nèi)第1款產(chǎn)品問世,采22納米制程生產(chǎn)。
存儲器業(yè)者指出,海力士和爾必達紛攜手異業(yè),進軍次世代存儲器技術領域,顯示次世代存儲器的材料和技術門檻相當高,需要靠異業(yè)結(jié)盟來推動產(chǎn)品進入量產(chǎn)。至于惠普和夏普會投入存儲器開發(fā),主要亦是為旗下PC、手持式產(chǎn)品等終端產(chǎn)品鋪路,確保能擁有效能最佳的存儲器產(chǎn)品。
ReRAM 是一種次世代存儲器技術,未來應用目標是取代NAND Flash和DRAM,ReRAM芯片能利用現(xiàn)有半導體制程制造,讀寫速度較NAND Flash芯片快許多,且大幅減少耗能。除ReRAM芯片外,其它次世代存儲器技術包括3D NAND Flash、PRAM和MRAM等,都有不同的存儲器大廠投入開發(fā),都是為銜接NAND Flash和DRAM技術瓶頸,未來各種次世代存儲器都得經(jīng)過導入量產(chǎn)考驗。
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