聯(lián)電上修資本支出至18億美元

晶圓代工業(yè)者聯(lián)電（UMC）日前宣布，由于產(chǎn)能需求仍旺，及滿(mǎn)足客戶(hù)未來(lái)對(duì)高階技術(shù)的需求，上修資本支出至18億美元。其中，新加坡Fab12i廠(chǎng)將大幅建置65/55納米產(chǎn)能；南科Fab12A廠(chǎng)第三期無(wú)塵室，也于7月提前竣工，預(yù)計(jì)年底前開(kāi)始產(chǎn)出，明年可望加速貢獻(xiàn)40納米營(yíng)收。目前為止，機(jī)臺(tái)采購(gòu)及裝置的進(jìn)度皆順利。
聯(lián)電表示，18億美元的資本支出多用于集中于65納米以下的高階制程，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)于高階產(chǎn)能的需求。聯(lián)電Q2制程比重，65納米以下高階制程比重，較Q1增加6%，占24%。其中，65納米占Q2制程比重21%，45納米以下占3%。
而聯(lián)電Q2產(chǎn)能滿(mǎn)載，65納米以下產(chǎn)品Q(chēng)2營(yíng)業(yè)額較Q1成長(zhǎng)超過(guò)50%，且依市場(chǎng)需求來(lái)看，聯(lián)電預(yù)估，客戶(hù)對(duì)于高階制程產(chǎn)品的需求還會(huì)持續(xù)上升，因此，加速建置高階產(chǎn)能，刻不容緩。
而今年18億美元的資本支出配置，12?晶圓廠(chǎng)仍是資本支出的大宗，占總支出87%，8?廠(chǎng)則占13%。聯(lián)電目前12?晶圓廠(chǎng)(Fab12i及Fab12A)在Q2的總產(chǎn)能為45.4萬(wàn)片，占總產(chǎn)能38.37%，而Q3預(yù)計(jì)會(huì)增加到48.5萬(wàn)片。其中，F(xiàn)ab12i預(yù)計(jì)Q3增幅最大，約較Q2增加12.24%，達(dá)27.5萬(wàn)片。而聯(lián)電Q2的總產(chǎn)能為118.3萬(wàn)片，預(yù)計(jì)Q3會(huì)增加3.7萬(wàn)片，達(dá)122萬(wàn)片。
聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，聯(lián)電審慎評(píng)估中長(zhǎng)期需求及產(chǎn)能建置風(fēng)險(xiǎn)后，決定于今年調(diào)升資本支出至18億美元，較原本預(yù)定最高的15億美元，增加3億美元，上修幅度達(dá)20%。聯(lián)電希望藉擴(kuò)增產(chǎn)能，爭(zhēng)取晶圓代工目標(biāo)市場(chǎng)的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能。聯(lián)電表示，今年將在新加坡Fab2i廠(chǎng)大幅建置65/55納米產(chǎn)能，南科Fab12A廠(chǎng)第三期無(wú)塵室也已于7月提前竣工，并全力進(jìn)行機(jī)臺(tái)移入，預(yù)計(jì)年底前開(kāi)始產(chǎn)出，明年可望加速貢獻(xiàn)40納米營(yíng)收，目前機(jī)臺(tái)采購(gòu)及裝置的進(jìn)度皆順利。 0 0