X-FAB推出100V高電壓0.35微米晶圓制程

X-FAB于日前宣布，發(fā)表第一套100V高電壓0.35微米晶圓制程。 當(dāng)運用在電池管理方面，可實現(xiàn)更上層樓的可靠性、高效能電池管理與保護(hù)系統(tǒng)，也最適合于電源管理應(yīng)用與運用壓電驅(qū)動器的超音波影像處理和噴墨打印頭應(yīng)用。此外，X-FAB更增添全新強(qiáng)化的N-與P-型雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管，具備更低45%的導(dǎo)通電阻(on-resistance)適用于高達(dá)100V的多種作業(yè)電壓，更縮小達(dá)40%的芯片面積，自然也降低了成本。X-FAB將在7月27日與28日針對全球展開免費的網(wǎng)絡(luò)研討會，議題為“業(yè)界首創(chuàng)0.35微米100V純晶圓代工制程的高電壓應(yīng)用(Addressing High-Voltage Applications with the Industry’s First 0.35 Micrometer 100V Pure-Play Foundry Process)”，并徹底討論這些全新功能。

X-FAB首席技術(shù)官Jens Kosch表示，隨著油電混合車與電動車、光電動勢電池(photo-voltaic cell)及風(fēng)力渦輪發(fā)電機(jī)等可再生能源應(yīng)用的支持者日益增多，安全、高效能能源儲存管理解決方案也應(yīng)運而生。運用X-FAB全新的專門高電壓制程，我們的客戶能夠應(yīng)付這些問題，與及以更低成本支持大幅增長潛力的其它新興應(yīng)用。例如，我們留意到全球各大車廠都對鋰離子電池等電源管理解決方案投以注目。我們的客戶運用X-FAB嶄新HV制程，便能夠?qū)崿F(xiàn)更安全、更高效能的電池監(jiān)控與保護(hù)系統(tǒng)。

X-FAB表示，全新強(qiáng)化N-與P-型DMOS晶體管閘極氧化層厚度只有14nm或40nm，為客戶們作業(yè)電壓55V、75V與100V的應(yīng)用提供5V或12V驅(qū)動能力的選擇。藉由大幅降低導(dǎo)通電阻、整合到EEPROM賴以運作的基礎(chǔ)制程而實現(xiàn)更精簡且可程序化的儲存，和以厚金屬層作為第三金屬層，X-FAB大幅降低了功能成本比。此外，新增的隔離式5V NMOS與PMOS裝置能夠在0到最高作業(yè)電壓100V之間浮動。其它裝置強(qiáng)化還包括d蕭基二極管(Schottky diode)、20V與100V高電壓電容與雙極晶體管。 0 0