飛思卡爾憑借四款面向基站設(shè)備優(yōu)化的器件進入GaAs MMIC市場
[導讀]思卡爾半導體日前憑借推出專為無線網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的宏基站、中繼站和家庭基站的高性能而設(shè)計和優(yōu)化的四款新器件，進入砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC）市場。這些器件適合低噪放大器和發(fā)射功率放大器它們是無線基礎(chǔ)
思卡爾半導體日前憑借推出專為無線網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的宏基站、中繼站和家庭基站的高性能而設(shè)計和優(yōu)化的四款新器件，進入砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC）市場。
這些器件適合低噪放大器和發(fā)射功率放大器它們是無線基礎(chǔ)設(shè)備的兩個基本組成部分，對它們來說，極高射頻性能是至關(guān)重要的。此外，這些器件還專為低功耗而設(shè)計，從而提供優(yōu)化的能效和長期可靠性。
飛思卡爾是用于無線基站的硅片射頻LDMOS功率晶體管方面的全球領(lǐng)導者，它擁有大量有關(guān)GaAs的專利，是首批開發(fā)基于GaAs技術(shù)器件的公司之一。飛思卡爾不斷發(fā)展的通用放大器（GPAs）系列基于InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBTs）和GaAs異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（HFETs），該系列包括大量的射頻和微波應(yīng)用。
飛思卡爾副總裁兼射頻部總經(jīng)理GavinP.Woods表示：“飛思卡爾的高性能MMIC器件為需要高性能的應(yīng)用，如3G和4G蜂窩式基站、中繼站和家庭基站等，提供綜合的射頻有效解決方案。在質(zhì)量和可靠性方面，我們開發(fā)出與先進的LDMOSRF技術(shù)有相同標準的新款MMIC產(chǎn)品。此外，我們的GaAsMMIC提供軟硬件工具，爭取以最小成本獲取最佳性能。”
MML09211H是增強型模式pHEMTMMIC的低噪放大器，非常適合從865960MHz頻段的W-CDMA基站到728-768MHz頻段中當前正在實施的高數(shù)據(jù)速率的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。該器件還提供特別低噪數(shù)0.6dB，包括電路損耗，并支持從400至1400MHz的運行。小信號增益在900MH時為20dB，P1dB輸出功率為21dBm，隔離為-35dB，以及三階輸出攔截點（IP3）在900MHz時為32dBm。
MMA20312B是一個2階InGaPHBT功率放大器，專為無線基站、中繼站和家庭基站的使用而設(shè)計。
尤其是，對于家庭基站來說，該器件實現(xiàn)了高能效，同時符合線性要求。放大器范圍從1800到2200MHz，在2140MHz時提供的P1dB輸出功率為31dBm，小信號增益為26dB。
同樣，其他兩個新寬帶MMIC放大器適合用作發(fā)射鏈中的驅(qū)動器放大器或者接收鏈中二階低噪放大器。它們展示出具有比典型HBT解決方案更低的電流消耗的出色線性。MMG15241H是一個覆蓋500至2800MHz的pHEMT器件，噪音數(shù)在2140MHz時為1.6dB，P1dB輸出功率為24dBm，IP3為39dBm，以及小信號增益為15dB。MMG20271H低噪放大器覆蓋1500至2400MHz頻率，噪音數(shù)在2140MHz時為1.8dB，P1dB輸出功率為27dBm，IP3為42dBm，以及小信號增益為15dB。
為了與新的MMIC互補，飛思卡爾還為MMG3004NT1、MMG3005NT1和MMG3006NT1GPA推出了應(yīng)用板卡和射頻特征數(shù)據(jù)。板卡和數(shù)據(jù)展示了實際基站發(fā)射器器件系列的MMIC功能。最新的數(shù)據(jù)顯示，這些器件的電流消耗可比產(chǎn)品介紹中最初條件下的消耗減少幾乎50%，幾乎沒有任何線性損失。
新款MMIC是目前正在開發(fā)的很多規(guī)劃的飛思卡爾MMIC器件中的第一批產(chǎn)品，涵蓋熱門的無線頻段和應(yīng)用。
定價和供貨情況
飛思卡爾的四個新款MMIC器件計劃2010年6月限量打樣，2010年8月進行大量樣品供應(yīng)。規(guī)劃的產(chǎn)品支持包括參考設(shè)計和設(shè)計者的其他支持工具。如需樣品和定價信息，請與飛思卡爾半導體本地銷售辦事處或授權(quán)經(jīng)銷商聯(lián)系。
這些器件適合低噪放大器和發(fā)射功率放大器它們是無線基礎(chǔ)設(shè)備的兩個基本組成部分，對它們來說，極高射頻性能是至關(guān)重要的。此外，這些器件還專為低功耗而設(shè)計，從而提供優(yōu)化的能效和長期可靠性。
飛思卡爾是用于無線基站的硅片射頻LDMOS功率晶體管方面的全球領(lǐng)導者，它擁有大量有關(guān)GaAs的專利，是首批開發(fā)基于GaAs技術(shù)器件的公司之一。飛思卡爾不斷發(fā)展的通用放大器（GPAs）系列基于InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBTs）和GaAs異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（HFETs），該系列包括大量的射頻和微波應(yīng)用。
飛思卡爾副總裁兼射頻部總經(jīng)理GavinP.Woods表示：“飛思卡爾的高性能MMIC器件為需要高性能的應(yīng)用，如3G和4G蜂窩式基站、中繼站和家庭基站等，提供綜合的射頻有效解決方案。在質(zhì)量和可靠性方面，我們開發(fā)出與先進的LDMOSRF技術(shù)有相同標準的新款MMIC產(chǎn)品。此外，我們的GaAsMMIC提供軟硬件工具，爭取以最小成本獲取最佳性能。”
MML09211H是增強型模式pHEMTMMIC的低噪放大器，非常適合從865960MHz頻段的W-CDMA基站到728-768MHz頻段中當前正在實施的高數(shù)據(jù)速率的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。該器件還提供特別低噪數(shù)0.6dB，包括電路損耗，并支持從400至1400MHz的運行。小信號增益在900MH時為20dB，P1dB輸出功率為21dBm，隔離為-35dB，以及三階輸出攔截點（IP3）在900MHz時為32dBm。
MMA20312B是一個2階InGaPHBT功率放大器，專為無線基站、中繼站和家庭基站的使用而設(shè)計。
尤其是，對于家庭基站來說，該器件實現(xiàn)了高能效，同時符合線性要求。放大器范圍從1800到2200MHz，在2140MHz時提供的P1dB輸出功率為31dBm，小信號增益為26dB。
同樣，其他兩個新寬帶MMIC放大器適合用作發(fā)射鏈中的驅(qū)動器放大器或者接收鏈中二階低噪放大器。它們展示出具有比典型HBT解決方案更低的電流消耗的出色線性。MMG15241H是一個覆蓋500至2800MHz的pHEMT器件，噪音數(shù)在2140MHz時為1.6dB，P1dB輸出功率為24dBm，IP3為39dBm，以及小信號增益為15dB。MMG20271H低噪放大器覆蓋1500至2400MHz頻率，噪音數(shù)在2140MHz時為1.8dB，P1dB輸出功率為27dBm，IP3為42dBm，以及小信號增益為15dB。
為了與新的MMIC互補，飛思卡爾還為MMG3004NT1、MMG3005NT1和MMG3006NT1GPA推出了應(yīng)用板卡和射頻特征數(shù)據(jù)。板卡和數(shù)據(jù)展示了實際基站發(fā)射器器件系列的MMIC功能。最新的數(shù)據(jù)顯示，這些器件的電流消耗可比產(chǎn)品介紹中最初條件下的消耗減少幾乎50%，幾乎沒有任何線性損失。
新款MMIC是目前正在開發(fā)的很多規(guī)劃的飛思卡爾MMIC器件中的第一批產(chǎn)品，涵蓋熱門的無線頻段和應(yīng)用。
定價和供貨情況
飛思卡爾的四個新款MMIC器件計劃2010年6月限量打樣，2010年8月進行大量樣品供應(yīng)。規(guī)劃的產(chǎn)品支持包括參考設(shè)計和設(shè)計者的其他支持工具。如需樣品和定價信息，請與飛思卡爾半導體本地銷售辦事處或授權(quán)經(jīng)銷商聯(lián)系。
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