Numonyx獲EDN雜志“年度創(chuàng)新者”大獎
[導(dǎo)讀]EDN雜志將Alverstone PCM產(chǎn)品的Numonyx（恒憶）設(shè)計團(tuán)隊評選為其2009年度創(chuàng)新者（Innovator of the Year）！EDN創(chuàng)新獎是電子行業(yè)最負(fù)盛名的獎項之一，Numonyx從業(yè)界數(shù)百家提名廠商中脫穎而出，擊敗了其它四個門類中，
EDN雜志將Alverstone PCM產(chǎn)品的Numonyx（恒憶）設(shè)計團(tuán)隊評選為其2009年度創(chuàng)新者（Innovator of the Year）！EDN創(chuàng)新獎是電子行業(yè)最負(fù)盛名的獎項之一，Numonyx從業(yè)界數(shù)百家提名廠商中脫穎而出，擊敗了其它四個門類中，包括Intrinsity、MontaVista、Synopsys，和Xilinx在內(nèi)的最終候選廠商。
EDN創(chuàng)新獎涵蓋超過30個相關(guān)技術(shù)門類，“年度創(chuàng)新者”大獎則是其中最高榮譽(yù)。Numonyx于EDN雜志4月26日在美國加州San Jose市舉辦的第20屆年度創(chuàng)新獎典禮上獲此殊榮。
EDN：《PCM是存儲技術(shù)40年來最顯著的進(jìn)步》
EDN近期公布了提名廠商的概況信息，與Numonyx相關(guān)的內(nèi)容請見如下連接： http://www.edn.com/info/CA6718222.html?industryid=49169
恒憶的研發(fā)團(tuán)隊推出的“Alverstone”是存儲業(yè)界首個應(yīng)用了相變存儲（PCM）技術(shù)的商用器件。PCM代表了存儲技術(shù)40年來最顯著的進(jìn)步，其綜合了通常NOR閃存、NAND閃存、RAM或EEPROM等技術(shù)中最優(yōu)異的特性，實(shí)現(xiàn)了可變位（Bit-alterable）的，且具有高讀寫速度，和高耐久性等優(yōu)秀性能的非易失性技術(shù)。由于PCM的機(jī)制采用了物理狀態(tài)的改變，而非電子儲存，因此不斷萎縮的光刻技術(shù)不構(gòu)成任何問題。事實(shí)上，更小規(guī)模的光刻技術(shù)更加適合PCM，因?yàn)椴煌瑺顟B(tài)間的轉(zhuǎn)換僅需要較少的材料，這樣會使改變一個PCM位所需的功耗顯著減少。一貫的可靠性和低功耗特性給予了PCM超越目前存儲技術(shù)的優(yōu)勢；其擴(kuò)展到45納米制造節(jié)點(diǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了NOR和NAND技術(shù)未來可望達(dá)到的工藝水平。Alverstone凝結(jié)著9年的廣泛探索和研發(fā)，將全新的存儲概念和原理帶入量產(chǎn)，代表了PCM技術(shù)商業(yè)化進(jìn)程的第一步。
EDN關(guān)于Numonyx 的信息還包含PCM研發(fā)團(tuán)隊的照片，包括Greg Atwood、Duane Mills、 Rich Fackenthal、Roberto Bez、Roberto Gastaldi，和Fabio Pellizzer。
EDN創(chuàng)新獎涵蓋超過30個相關(guān)技術(shù)門類，“年度創(chuàng)新者”大獎則是其中最高榮譽(yù)。Numonyx于EDN雜志4月26日在美國加州San Jose市舉辦的第20屆年度創(chuàng)新獎典禮上獲此殊榮。
EDN：《PCM是存儲技術(shù)40年來最顯著的進(jìn)步》
EDN近期公布了提名廠商的概況信息，與Numonyx相關(guān)的內(nèi)容請見如下連接： http://www.edn.com/info/CA6718222.html?industryid=49169
恒憶的研發(fā)團(tuán)隊推出的“Alverstone”是存儲業(yè)界首個應(yīng)用了相變存儲（PCM）技術(shù)的商用器件。PCM代表了存儲技術(shù)40年來最顯著的進(jìn)步，其綜合了通常NOR閃存、NAND閃存、RAM或EEPROM等技術(shù)中最優(yōu)異的特性，實(shí)現(xiàn)了可變位（Bit-alterable）的，且具有高讀寫速度，和高耐久性等優(yōu)秀性能的非易失性技術(shù)。由于PCM的機(jī)制采用了物理狀態(tài)的改變，而非電子儲存，因此不斷萎縮的光刻技術(shù)不構(gòu)成任何問題。事實(shí)上，更小規(guī)模的光刻技術(shù)更加適合PCM，因?yàn)椴煌瑺顟B(tài)間的轉(zhuǎn)換僅需要較少的材料，這樣會使改變一個PCM位所需的功耗顯著減少。一貫的可靠性和低功耗特性給予了PCM超越目前存儲技術(shù)的優(yōu)勢；其擴(kuò)展到45納米制造節(jié)點(diǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了NOR和NAND技術(shù)未來可望達(dá)到的工藝水平。Alverstone凝結(jié)著9年的廣泛探索和研發(fā)，將全新的存儲概念和原理帶入量產(chǎn)，代表了PCM技術(shù)商業(yè)化進(jìn)程的第一步。
EDN關(guān)于Numonyx 的信息還包含PCM研發(fā)團(tuán)隊的照片，包括Greg Atwood、Duane Mills、 Rich Fackenthal、Roberto Bez、Roberto Gastaldi，和Fabio Pellizzer。
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