競選下一代硬盤技術(shù)，新誕生MAMR叫陣

美國卡內(nèi)基美隆大學(xué)(Carnegie Mellon University)的大學(xué)教授Jimmy Jian-Gang Zhu，正在開發(fā)一項可望在未來超高密度硬盤機(jī)競賽中成為大黑馬的新技術(shù)──微波輔助磁紀(jì)錄(microwave-assisted magnetic recording，MAMR)；據(jù)信該技術(shù)能讓硬盤機(jī)達(dá)到每平方英吋3 terabits的高密度。

預(yù)計將在未來1~2年，硬盤機(jī)技術(shù)將開始大幅轉(zhuǎn)換，而MAMR是第三個技術(shù)選項。至于另兩種技術(shù)，一是由希捷(Seagate)主導(dǎo)開發(fā)的熱輔助磁記錄技術(shù)(heat-assisted magnetic recording，HAMR)，在磁盤頭上采用微型雷射燈以在寫入作業(yè)之前加熱部分扇區(qū)；第二種技術(shù)則是日立儲存科技(HGST)開發(fā)中的規(guī)則媒介(patterned media)技術(shù)，也就是在儲存媒介上蝕刻出軌道甚至位位置(bit locations)。

HAMR 與規(guī)則媒介這兩種技術(shù)，是各家硬盤機(jī)廠商都表示正在積極開發(fā)的，它們的最終目標(biāo)都是將硬盤密度提升到每平方英吋10 Tbits的高峰。而采用垂直紀(jì)錄技術(shù)(perpendicular recording)，硬盤機(jī)廠商目前推出密度最高的產(chǎn)品，是每平方英吋530 Gbits；一位市場分析師表示，硬盤機(jī)產(chǎn)業(yè)界可能將在明年面臨十字路口，得選擇一種技術(shù)解決方案以達(dá)到1 Tbits以上的容量密度。

無論是規(guī)則媒介或HAMR，都讓硬盤機(jī)以接近目前的成本、達(dá)到每平方英吋1~10Tbit的容量密度；而Zhu所開發(fā)的MAMR技術(shù)，則號稱能以比其他兩種 方案更低的成本，提供差不多程度的容量密度提升。“要說服產(chǎn)業(yè)界考慮該技術(shù)，需要現(xiàn)場示范，而我的實驗室已經(jīng)在打造原型并進(jìn)行性能測試。”Zhu表示。

所謂的MAMR技術(shù)，是磁盤頭會發(fā)射一種微波場(microwave field)以激發(fā)媒介內(nèi)的電子產(chǎn)生能量，以簡化寫入數(shù)據(jù)的程序；該程序是利用與現(xiàn)有讀取頭整合的一種磁薄膜堆棧(magnetic thin film stack)所產(chǎn)生的、局部的高頻率交流磁場。Zhu表示，加入該堆棧僅會提高現(xiàn)有讀取頭最多10%的復(fù)雜度，因此也是提升硬盤密度的方法中最精省的一 種。

不久前卡內(nèi)基美隆大學(xué)才取得布置其薄膜堆棧所需的自旋力矩振蕩器(spin torque oscillator)技術(shù)專利，Zhu表示：“我確信每一家硬盤機(jī)廠商都已經(jīng)開始花心思調(diào)查這個技術(shù)?！倍f得沒錯，HGST等廠商已經(jīng)對MAMR技術(shù)發(fā)表了一些相關(guān)論文(參考連結(jié))。

不過日立與希捷的研發(fā)人員表示，他們正在進(jìn)行HAMR、規(guī)則媒介等兩種技術(shù)的開發(fā)，卻仍將MAMR視為較遙遠(yuǎn)的技術(shù)選項。希捷的一位發(fā)言人則透露，該公司已經(jīng)擁有與MAMR技術(shù)相關(guān)的IP，但：“我們認(rèn)為HAMR或規(guī)則媒介技術(shù)是比較可行的解決方案?！?/FONT>