臺灣工研院與應用材料公司共同開發(fā)3DIC核心制程

全球首座3DIC實驗室預計將在明年中登場期間，臺灣工研院與美商應用材料公司(Applied Material)宣布進行3DIC核心制程的客制化設備合作開發(fā)。這個彈性的開放制程平臺，將整合3DIC的主流技術硅導穿孔(Through-silicon Vias，TSV)制程流程，縮短集成電路及芯片開發(fā)時間，協(xié)助半導體廠商迅速地將先進芯片設計導入市場，進而大幅降低初期投資。

臺灣工研院主導的3DIC實驗室將建構完整及多樣化的制程能力，整線系統(tǒng)包括蝕刻、實體氣相沈積、化學機械研磨及電漿強化化學氣相沈積四大設備，這新設備將會用來制造與硅導穿孔(TSV)技術相關的集成電路。

臺灣工研院與應用材料公司將針對先鉆孔、后鉆孔以及顯露鉆孔的硅導穿孔(TSV)制程流程做技術整合，提供最小線寬的蝕刻、最快速度的沈積、最穩(wěn)定的制程研磨設備，協(xié)助聯(lián)盟的會員廠商迅速地將先進的芯片設計導入市場，進而大幅降低開發(fā)時間及初期投資。

臺灣工研院院長李鐘熙表示，以往我國半導體產業(yè)設備僅自行開發(fā)后端零組件，前端設備多為進口，此次在3DIC開發(fā)初期就有設備開發(fā)廠商投入，表示我們在前端設備就能掌握相關制程技術，可以為臺灣地區(qū)半導體廠商主導3DIC關鍵制程，并為半導體產業(yè)展開另一波機會。

臺灣工研院并表示，與應用材料公司合作，將有助于硅導穿孔(TSV)技術的效能精進，并降低成本，帶動國內外3DIC相關產業(yè)加入，加速臺灣地區(qū)在3DIC自主制程技術開發(fā)，先期掌握3DIC制程關鍵技術，提升臺灣地區(qū)半導體產業(yè)競爭優(yōu)勢。