美國國家半導(dǎo)體推出業(yè)界最低抖動(dòng)的收發(fā)器可將背板及電纜的信號(hào)傳送距離延長30%（圖）

這兩款 PowerWise 芯片可以延長第二代 PCI Express及 SATA/SAS的信號(hào)傳送距離，尤其適用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器及存儲(chǔ)局域網(wǎng)

二零零九年六月三十日 -- 中國訊 -- 美國國家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)(美國紐約證券交易所上市代碼：NSM)宣布推出兩款能源效率極高的全新四路收發(fā)器，其優(yōu)點(diǎn)在于可延長背板及電纜的信號(hào)傳送距離，比同類產(chǎn)品的傳送距離超出達(dá)30%。這兩款PowerWise 信號(hào)調(diào)節(jié)芯片可以驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存中心服務(wù)器及存儲(chǔ)局域網(wǎng)(SAN)內(nèi)的高速信號(hào)。型號(hào)為DS50PCI401的信號(hào)調(diào)節(jié)芯片已取得PCI-SIG 技術(shù)認(rèn)證，可支持 PCI Express (PCIe) 第一代 (2.5Gbps) 及第二代 (5Gbps) 的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)；型號(hào)為DS64BR401 的信號(hào)調(diào)節(jié)芯片除了可支持速度達(dá) 3Gbps 和 6Gbps 的 SATA/SAS技術(shù)外，還可支持XAUI、串行快速輸入/輸出(sRIO)以及光纖通道等高速信號(hào)的傳輸標(biāo)準(zhǔn)。

DS50PCI401是一款四路雙向的PCIe收發(fā)器，可以調(diào)節(jié)接收端均衡功能及發(fā)送端去加重功能。DS50PCI401每一通路的功耗僅為190mW(典型值)，這創(chuàng)造了業(yè)界低功耗的新紀(jì)錄。另外，這款芯片還可選用低功率的操作模式，每一通路均可獨(dú)立關(guān)閉。DS50PCI401芯片可為導(dǎo)線的傳輸損耗提供補(bǔ)償，以便降低8條傳輸通道的確定性抖動(dòng)。這款收發(fā)器同時(shí)可均衡長距離傳送的信號(hào)，在傳輸速度可高達(dá)5Gbps的情況下可以確保PCIe電纜可以長達(dá)10米以上，F(xiàn)R-4 印制電路板則可長達(dá)40英寸。以已均衡的7米長PCIe電纜為例，DS50PCI401芯片的均衡器輸出端只有不超過0.10UI的殘留抖動(dòng)。因?yàn)檫@款芯片具有可延長傳送距離的優(yōu)點(diǎn)，所以系統(tǒng)可采用成本更低、體積更小(即更高級(jí)別)的PCIe電纜。

DS50PCI401芯片具備獨(dú)特的自動(dòng)速率檢測功能，可根據(jù)第一代及第二代的數(shù)據(jù)傳輸率調(diào)整輸出信號(hào)，確保系統(tǒng)發(fā)揮出最高的性能。另外，這款芯片還支持PCIe專用的頻帶外(OOB)信號(hào)傳輸功能，例如傳送閑置、接收檢測以及指標(biāo)信號(hào)通過。

DS64BR401芯片是一款四路雙向的SATA/SAS收發(fā)器，可以靈活調(diào)節(jié)接收端均衡功能及發(fā)送端去加重功能。而且這款收發(fā)器已通過多個(gè)操作互通測試，可支持多種不同的第三方主機(jī)及目標(biāo)設(shè)備。另外，這款芯片還可均衡長距離傳送的信號(hào)，在傳輸速度可高達(dá) 6.4Gbps的情況下可以確保SATA/SAS電纜可以長達(dá)10米，F(xiàn)R-4 印刷電路板可長達(dá)40英寸，而均衡器輸出端只有不超過0.25UI的殘留抖動(dòng)。

DS64BR401芯片功耗極低，例如每路功耗只有200mW(典型值)。而且，該芯片還可支持頻帶外的信號(hào)傳輸，包絡(luò)失真大約只有3ns(典型值)，均符合SATA/SAS的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。這款芯片也可調(diào)整輸出電壓的振幅，調(diào)整范圍介于 600mVp-p 至 1200mVp-p 之間。除此之外，DS64BR401芯片還有自動(dòng)電源|穩(wěn)壓器管理功能，可以通過SMBus接口分別管理各個(gè)獨(dú)立通路的電源供應(yīng)。

美國國家半導(dǎo)體的四路、兩路及單路信號(hào)調(diào)節(jié)芯片系列不斷有新產(chǎn)品面世，而DS50PCI401及DS64BR401是這系列芯片的最新型號(hào)產(chǎn)品。這兩款芯片都采用美國國家半導(dǎo)體的高性能硅鍺(SiGe) BiCMOS-8工藝技術(shù)制造。