EF130嵌入式閃存工藝的設(shè)計平臺面向智能卡,MCU和SoC等產(chǎn)品。其工藝平臺擁有中大容量的嵌入式閃存IP,齊全的模擬IP,高速靜態(tài)隨機存儲器和低功耗設(shè)計庫,高性能的IO單元以及完善的產(chǎn)品和測試方案。產(chǎn)品平臺具備拓展性的1.6~5.5V寬電壓支持能力。嵌入式閃存工藝在工業(yè)溫度范圍內(nèi)已達到業(yè)界領(lǐng)先的可靠性指標,運用該技術(shù)平臺開發(fā)的產(chǎn)品的擦寫壽命超過30萬次,數(shù)據(jù)保存時間至少可達10年。該工藝同時具有極低的靜態(tài)功耗,相當于同類工藝約10%的靜態(tài)功耗,其特性使產(chǎn)品更具競爭優(yōu)勢。
嵌入式非易失性存儲器工藝平臺是華虹NEC戰(zhàn)略技術(shù)發(fā)展方向之一,通過多年成功的市場運作積累,華虹NEC確立了在嵌入式非易失性存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,可為客戶提供高品質(zhì)高附加值的晶圓代工服務(wù)。華虹NEC將繼續(xù)加強該工藝平臺的發(fā)展,與客戶進行深度合作,在智能卡領(lǐng)域攜手前進。