[導讀]IBM研究小組聲稱，他們已與聯(lián)合行業(yè)及大學開發(fā)伙伴共同制造出世界最小的SRAM位單元。該SRAM位單元采用22nm設計規(guī)則制造，大小僅0.1mm2。
此款SRAM是IBM與AMD、飛思卡爾、意法半導體、東芝以及紐約的奧爾巴尼大學納
IBM研究小組聲稱，他們已與聯(lián)合行業(yè)及大學開發(fā)伙伴共同制造出世界最小的SRAM位單元。該SRAM位單元采用22nm設計規(guī)則制造，大小僅0.1mm2。
此款SRAM是IBM與AMD、飛思卡爾、意法半導體、東芝以及紐約的奧爾巴尼大學納米科學與工程學院(CNSE)聯(lián)合開發(fā)的。
前一款世界最小SRAM位單元的記錄由IBM在2004年創(chuàng)造，是一個大小為0.143mm2的實驗性32nm器件。
“在引入高K金屬門之前，許多人質(zhì)疑傳統(tǒng)器件結(jié)構(gòu)能否延用至22納米。今天我們向業(yè)界展示了，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)在22納米級別仍然適用?！盜BM微電子項目經(jīng)理Mukesh Khare說。
“我們的柵極長度還不到25納米，這在幾年前還被認為是不可能的?！彼a充道。
IBM能夠縮小22nm晶體管的一些主要特征尺寸，例如柵極長度、間距和位于相鄰柵極之間的觸點，并證實器件可以被制造出來。而后者正是過去在0.143mm2后進一步縮小SRAM位單元時遇到的最大障礙。與早期版本不同，如今這款0.1mm2的SRAM位單元可以用適合量產(chǎn)的工具制造。
該SRAM位單元是IBM在位于奧爾巴尼的300mm研究機構(gòu)采用傳統(tǒng)6晶體管設計制造的。這款實驗性的22nm器件距離商用還有兩個階段的差距。在轉(zhuǎn)為采用22nm之前，IBM及其合作伙伴表示他們計劃第一次先在32nm上用高K電介質(zhì)與金屬柵極來做。
為了制造這款22nm的器件，IBM與其合作伙伴采用了浸沒式光刻、高K電介質(zhì)和金屬柵極堆積。
有關此款SRAM位單元的詳細情況計劃在12月舊金山召開的國際電子元件大會上公布。
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