Intel與美光推出34nm NAND芯片, 引領(lǐng)跨入30nm工藝時(shí)代

    “Intel和Micron的進(jìn)步令人吃驚，他們?cè)谌曛畠?nèi)已經(jīng)追上并超越了其他競(jìng)爭(zhēng)者，基本上領(lǐng)銜了這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)?！笔袌?chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Objective Analysis分析師Jim Handy表示,“使用該工藝，可以在一片300mm晶圓上切割出400片單芯片，可令32Gb NAND價(jià)格低于每顆芯片4美元?！?憑借該產(chǎn)品，IM FLASH成為第一個(gè)突破1美元/GB壁壘的公司。

    目前，主流NAND制造商基于50～57nm工藝在300mm晶圓上量產(chǎn)MLC NAND，32Gb MLC NAND閃存的每GB價(jià)格在2.5美元左右。IM FLASH成本優(yōu)勢(shì)明顯。即使考慮到今年大多數(shù)NAND制造商將導(dǎo)入40～48nm工藝，對(duì)應(yīng)價(jià)位也不低于$1.75/GB，如果NAND價(jià)格能保持在其他競(jìng)爭(zhēng)者的價(jià)位，則IM FLASH將獲得巨大的利潤(rùn)。

    但是，IM FLASH領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)依然是脆弱而短暫的。NAND的成本不僅取決于die size，還取決于產(chǎn)能和良率，IM FLASH跳過(guò)45nm工藝直接進(jìn)入30nm制程，能否成功導(dǎo)入量產(chǎn)將是非常嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。此外，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也都計(jì)劃在今年40nm工藝成熟后，于明年跨入30nm工藝時(shí)代。

    東芝計(jì)劃在Q2/09導(dǎo)入32nm工藝，并正與SanDisk聯(lián)合開(kāi)發(fā)3bit/單元的MLC技術(shù)，利用該技術(shù)，可以在不提升制程的條件下，直接提升NAND密度達(dá)50%，從而開(kāi)發(fā)出高達(dá)48-Gbit的MLC NAND單芯片。此前，東芝與SanDisk已經(jīng)發(fā)表了采用43nm工藝的16Gbit MLC NAND閃存，該器件將于08年Q2量產(chǎn)。目前，東芝新建的用于NAND制造的Fab 4產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到80,000片/月，并計(jì)劃于明年將產(chǎn)能提高到210,000片/月，成為全球最大的晶圓廠。

    三星也已經(jīng)于去年底宣布，成功開(kāi)發(fā)出30nm工藝的64Gb NAND閃存，成為當(dāng)前工藝最為先進(jìn)的NAND閃存?！斑@是當(dāng)前全球最大容量的單一存儲(chǔ)芯片，”三星電子投資關(guān)系部高級(jí)經(jīng)理Kwon Hyosun說(shuō)到。不過(guò)，三星表示，這款新型NAND將要到2009年才會(huì)開(kāi)始生產(chǎn)。此外，三星還對(duì)其CTF(Charge Trap Flash)技術(shù)寄予厚望，該技術(shù)允許其更容易地將NAND工藝縮小到20nm，可以生產(chǎn)出256Gb的NAND芯片。

    “該先進(jìn)工藝將加速計(jì)算機(jī)市場(chǎng)對(duì)SSD的接受過(guò)程?！?Intel 的NAND產(chǎn)品事業(yè)部市場(chǎng)總監(jiān)Pete Hazen表示。IM Flash期望這款NAND可令下游廠商制造出低成本的大容量SSD固態(tài)硬盤(pán)，未來(lái)1.8寸固態(tài)硬盤(pán)容量可達(dá)256GB以上。

    但對(duì)于當(dāng)前NAND市場(chǎng)而言，跨入30nm時(shí)代并不是一個(gè)好消息，受消費(fèi)疲軟影響，SanDisk已經(jīng)發(fā)表聲明說(shuō)NAND市場(chǎng)將在整個(gè)2008年保持過(guò)剩，新工藝的導(dǎo)入無(wú)疑使該市場(chǎng)雪上加霜。