非易失性存儲器暗中走熱，成為JEDEC會議的“神秘之星”？

最近在德國慕尼黑舉行的會議上，JEDEC標準組織討論了有關改進一系列與存儲器相關標準的問題，并創(chuàng)建了一個新的固態(tài)硬盤委員會，重新開始推動行業(yè)向閃存式硬盤的過渡。

Quddus表示，固態(tài)硬盤的標準化將以外形為重點，標準尺寸將在0.8～2.5英寸之間。

另外，接口、指令協(xié)議、電源和電源管理等都是該工作組關心的問題。作為SSD的一個主要部分，非易失性存儲芯片也將標準化，面向它的接口和指令協(xié)議將會由工作組限定。而且，開發(fā)面向控制器和SSD主板的參考設計也是該工作組的目標。

JC-64標準組織領頭人、美光科技的Jim Cooke表示，開發(fā)一個名為通用閃存（UFS）的接口是該組織的長遠目標，該接口基本上可以支持任何非易失性存儲器，包括相變RAM、 FeRAM或MRAM等每一類未來的非易失性存儲技術。

UFS的其它設計目標還包括實現(xiàn)至少2 Gbit/s的數(shù)據(jù)率、低管腳數(shù)和低功耗。Cooke表示，整個標準化程序有望在2009年初完成。

實際上，非易失性存儲技術似乎是這一系列會議的主題－盡管沒有公開。一位不愿透露姓名的與會人員表示：“幾乎99％的與會者都在投身非易失性存儲器的開發(fā)，但就是沒人討論這一技術?！?

在正在進行的DDR3標準的改進中，JEDEC的目標是進一步提高數(shù)據(jù)傳輸帶寬。JC42.3附屬委員會主席Todd Farell表示，該組織提出了這么一個目標，在2008年讓DDR3-1600實現(xiàn)25.6 GB/s的帶寬；目前1066的前端總線時鐘周期支持17 GB/s的帶寬。一個名為JESD79-3A的單獨標準已經(jīng)獲得批準，將于9月份發(fā)布。

此次系列會議的另一個話題是DDR4。JEDEC的Future DRAM任務組組長Dong-yang Lee表示，該組的目標是在降低功耗的同時提高性能和密度。Lee表示， DDR4的電壓將會從如今DDR3內(nèi)存芯片中所用的1.5V降低到1.2V，而數(shù)據(jù)率則將是DDR3的兩倍。同時，該任務組的工程師還會努力降低成本。

GDDR5高性能圖形存儲器標準也是此次會議的重點。與GDDR4相比，GDDR5的數(shù)據(jù)量是其兩倍，主要應用方向是游戲機、專業(yè)P2P消費電子設備和數(shù)據(jù)流計算。GDDR5任務組主席、AMD公司的Joe Macri解釋說：“實際上這是個很大的市場。這是面向大眾的超級計算?！?

GDDR5芯片將帶有一個內(nèi)置的誤差檢測協(xié)議，它和如今存儲器中所用的ECC方案不同。這種芯片的設計功耗將為2W，數(shù)據(jù)率為5 Gb/s。低功耗特征使其在更低數(shù)據(jù)傳輸率下時鐘速率更慢，當然功耗也就更低。

Macri表示，第一批GDDR5芯片樣品將于2008年問世，量產(chǎn)也將于2008年開始。