Spansion與臺(tái)積電合作向40納米以下挺進(jìn)

Spansion公司再度攜手臺(tái)積電，以提高其NOR閃存產(chǎn)能。它與臺(tái)積電簽署了協(xié)議，由后者在40納米及更小節(jié)點(diǎn)上為其生產(chǎn)MirrorBit。共同開(kāi)發(fā)MirrorBit技術(shù)在40nm及更先進(jìn)的制程下的衍生技術(shù)(Variations)。根據(jù)協(xié)議，Spansion將利用雙方共同開(kāi)發(fā)的MirrorBit衍生技術(shù)來(lái)擴(kuò)展其在新領(lǐng)域的適用性，同時(shí)臺(tái)積電負(fù)責(zé)制程生產(chǎn)的驗(yàn)證，并計(jì)劃實(shí)現(xiàn)將Spansion先進(jìn)的閃存技術(shù)投入量產(chǎn)。關(guān)于協(xié)議的具體條款并未透露。 

    該協(xié)議是雙方以前合作關(guān)系的延續(xù)。臺(tái)積電也在110納米和90納米節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)MirrorBit，它在2006年第二季度開(kāi)始提高110納米產(chǎn)品的產(chǎn)量，預(yù)計(jì)將在數(shù)月內(nèi)開(kāi)始生產(chǎn)90納米產(chǎn)品。 

    雙方未透露計(jì)劃何時(shí)開(kāi)始生產(chǎn)40納米器件，但2009年以前似乎不太可能。預(yù)計(jì)臺(tái)積電在2008年以前不會(huì)推出45納米制程，而Spansion在2008年中期以前不會(huì)提高其內(nèi)部45納米器件的產(chǎn)量。

    Spansion和臺(tái)積電此前簽署過(guò)一份關(guān)于110nm和90nm MirrorBit技術(shù)的協(xié)議。臺(tái)積電從2006年第二季度開(kāi)始以110nm制程生產(chǎn)Spansion閃存晶圓。預(yù)計(jì)采用90nm MirrorBit技術(shù)的產(chǎn)品將在2007年中旬采用300mm晶圓進(jìn)行量產(chǎn)。


    為了使業(yè)務(wù)多元化，臺(tái)積電的對(duì)手聯(lián)電也計(jì)劃增加閃存業(yè)務(wù)，考慮在其65納米和45納米節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)NAND閃存。