滿足IC制造需求 半導(dǎo)體材料創(chuàng)新是關(guān)鍵
時(shí)間：2007-03-08 11:40:34
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半導(dǎo)體材料
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[導(dǎo)讀]半導(dǎo)體材料是整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的基礎(chǔ)，對(duì)整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著重要的支撐作用。沒(méi)有半導(dǎo)體材料的技術(shù)創(chuàng)新，國(guó)內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)企業(yè)在高速發(fā)展的征途中會(huì)舉步維艱，就不能在下一階段的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)主動(dòng)地位
半導(dǎo)體材料是整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的基礎(chǔ)，對(duì)整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著重要的支撐作用。沒(méi)有半導(dǎo)體材料的技術(shù)創(chuàng)新，國(guó)內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)企業(yè)在高速發(fā)展的征途中會(huì)舉步維艱，就不能在下一階段的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)主動(dòng)地位。
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)需求巨大
近幾年，由于市場(chǎng)需求的不斷擴(kuò)大、投資環(huán)境的日益改善、優(yōu)惠政策的吸引及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移等等原因，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)每年都保持30%的增長(zhǎng)率。而今后，對(duì)整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)來(lái)講，3G和無(wú)線寬帶、數(shù)字電視機(jī)頂盒、RFID卡以及汽車(chē)電子等幾個(gè)熱點(diǎn)領(lǐng)域仍將帶動(dòng)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)全速增長(zhǎng)。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，集成電路制造過(guò)程中需要的主要關(guān)鍵原材料有幾十種，材料的質(zhì)量和供應(yīng)直接影響著集成電路的質(zhì)量和競(jìng)爭(zhēng)力，因此支撐關(guān)鍵材料業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中最上游也是最重要的一環(huán)。
隨著信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，特別是光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，將進(jìn)一步刺激多晶硅、單晶硅等基礎(chǔ)材料需求量的不斷增長(zhǎng)。業(yè)內(nèi)專(zhuān)家表示，雖然國(guó)際市場(chǎng)對(duì)4英寸、5英寸、6英寸硅片的需求在下降，但中國(guó)的生產(chǎn)還會(huì)持續(xù)多年，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年小尺寸硅單晶的年產(chǎn)量仍在2500噸左右，8英寸、12英寸硅片產(chǎn)量將提升，逐步形成滿足100nm-65nm線寬集成電路需求的12英寸硅拋光片和外延片的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地；將加快6英寸～8英寸SOI、SiGe和應(yīng)變硅材料產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
此外，目前，世界半導(dǎo)體行業(yè)巨頭紛紛到國(guó)內(nèi)投資，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展，這也要求材料業(yè)要跟上半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的步伐?？梢哉f(shuō)，市場(chǎng)發(fā)展為半導(dǎo)體支撐材料業(yè)帶來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。
國(guó)產(chǎn)材料新品不斷面對(duì)巨大的市場(chǎng)需求，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)立足自主創(chuàng)新，不斷攻克一個(gè)又一個(gè)難關(guān)，推出適應(yīng)市場(chǎng)的半導(dǎo)體材料新品。
有研半導(dǎo)體材料股份有限公司負(fù)責(zé)人表示，他們攻克了12英寸硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)和安全、雜質(zhì)和缺陷的控制、硅片幾何參數(shù)的精密控制、表面金屬和顆粒的去除等關(guān)鍵技術(shù)難題，形成了從單晶生長(zhǎng)到晶片加工、處理和檢測(cè)的自有成套技術(shù)，并利用該套技術(shù)開(kāi)發(fā)成功直徑12英寸硅單晶拋光片新產(chǎn)品，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平(如局部平整度小于0.10微米、大于0.09微米的顆粒少于238個(gè)/片、表面金屬含量低于1E10個(gè)原子/每平方厘米)，可滿足0.13微米-0.10微米線寬的先進(jìn)集成電路制造技術(shù)要求。
天津環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司總經(jīng)理沈浩平介紹說(shuō)，環(huán)歐公司大直徑區(qū)熔硅生長(zhǎng)技術(shù)在單晶的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、生長(zhǎng)速度、溫度梯度控制、防高壓電場(chǎng)擊穿等生長(zhǎng)工藝方面具有自主創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)達(dá)到國(guó)際同行先進(jìn)水平，廣泛應(yīng)用于電力電子產(chǎn)業(yè)及半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)前景廣闊。 寧波立立電子股份有限公司用氣相摻氮技術(shù)抑制了硅單晶中的空洞(COP)缺陷，提高了集成電路的成品率和降低了IC制備中的成本，在氮?dú)鈸饺肓康?strong>控制及摻入方法具有自主創(chuàng)新性。該技術(shù)屬國(guó)內(nèi)獨(dú)有，獲得國(guó)際同行的認(rèn)可，并獲得國(guó)家三項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利和科技成果獎(jiǎng)。
寧波康強(qiáng)電子股份有限公司在鍵合銅絲產(chǎn)品的配方、結(jié)構(gòu)和制備工藝方面具有自主技術(shù)創(chuàng)新，產(chǎn)品尺寸、精度、鍵合焊接性能和使用條件方面均達(dá)到或優(yōu)于進(jìn)口同類(lèi)產(chǎn)品(產(chǎn)品尺寸、精度、鍵合焊接性能與進(jìn)口相同，抗氧化性、應(yīng)用條件優(yōu)于進(jìn)口產(chǎn)品)。產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣(半導(dǎo)體和光電子行業(yè))，替代部分鍵合金絲，為用戶節(jié)約大量成本，該產(chǎn)品目前國(guó)內(nèi)尚沒(méi)有可以批量生產(chǎn)的企業(yè)。
近幾年，由于市場(chǎng)需求的不斷擴(kuò)大、投資環(huán)境的日益改善、優(yōu)惠政策的吸引及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移等等原因，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)每年都保持30%的增長(zhǎng)率。而今后，對(duì)整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)來(lái)講，3G和無(wú)線寬帶、數(shù)字電視機(jī)頂盒、RFID卡以及汽車(chē)電子等幾個(gè)熱點(diǎn)領(lǐng)域仍將帶動(dòng)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)全速增長(zhǎng)。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，集成電路制造過(guò)程中需要的主要關(guān)鍵原材料有幾十種，材料的質(zhì)量和供應(yīng)直接影響著集成電路的質(zhì)量和競(jìng)爭(zhēng)力，因此支撐關(guān)鍵材料業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中最上游也是最重要的一環(huán)。
隨著信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，特別是光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，將進(jìn)一步刺激多晶硅、單晶硅等基礎(chǔ)材料需求量的不斷增長(zhǎng)。業(yè)內(nèi)專(zhuān)家表示，雖然國(guó)際市場(chǎng)對(duì)4英寸、5英寸、6英寸硅片的需求在下降，但中國(guó)的生產(chǎn)還會(huì)持續(xù)多年，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年小尺寸硅單晶的年產(chǎn)量仍在2500噸左右，8英寸、12英寸硅片產(chǎn)量將提升，逐步形成滿足100nm-65nm線寬集成電路需求的12英寸硅拋光片和外延片的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地；將加快6英寸～8英寸SOI、SiGe和應(yīng)變硅材料產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
此外，目前，世界半導(dǎo)體行業(yè)巨頭紛紛到國(guó)內(nèi)投資，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展，這也要求材料業(yè)要跟上半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的步伐?？梢哉f(shuō)，市場(chǎng)發(fā)展為半導(dǎo)體支撐材料業(yè)帶來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。
國(guó)產(chǎn)材料新品不斷面對(duì)巨大的市場(chǎng)需求，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)立足自主創(chuàng)新，不斷攻克一個(gè)又一個(gè)難關(guān)，推出適應(yīng)市場(chǎng)的半導(dǎo)體材料新品。
有研半導(dǎo)體材料股份有限公司負(fù)責(zé)人表示，他們攻克了12英寸硅單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)和安全、雜質(zhì)和缺陷的控制、硅片幾何參數(shù)的精密控制、表面金屬和顆粒的去除等關(guān)鍵技術(shù)難題，形成了從單晶生長(zhǎng)到晶片加工、處理和檢測(cè)的自有成套技術(shù)，并利用該套技術(shù)開(kāi)發(fā)成功直徑12英寸硅單晶拋光片新產(chǎn)品，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平(如局部平整度小于0.10微米、大于0.09微米的顆粒少于238個(gè)/片、表面金屬含量低于1E10個(gè)原子/每平方厘米)，可滿足0.13微米-0.10微米線寬的先進(jìn)集成電路制造技術(shù)要求。
天津環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司總經(jīng)理沈浩平介紹說(shuō)，環(huán)歐公司大直徑區(qū)熔硅生長(zhǎng)技術(shù)在單晶的熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、生長(zhǎng)速度、溫度梯度控制、防高壓電場(chǎng)擊穿等生長(zhǎng)工藝方面具有自主創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)達(dá)到國(guó)際同行先進(jìn)水平，廣泛應(yīng)用于電力電子產(chǎn)業(yè)及半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)前景廣闊。 寧波立立電子股份有限公司用氣相摻氮技術(shù)抑制了硅單晶中的空洞(COP)缺陷，提高了集成電路的成品率和降低了IC制備中的成本，在氮?dú)鈸饺肓康?strong>控制及摻入方法具有自主創(chuàng)新性。該技術(shù)屬國(guó)內(nèi)獨(dú)有，獲得國(guó)際同行的認(rèn)可，并獲得國(guó)家三項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利和科技成果獎(jiǎng)。
寧波康強(qiáng)電子股份有限公司在鍵合銅絲產(chǎn)品的配方、結(jié)構(gòu)和制備工藝方面具有自主技術(shù)創(chuàng)新，產(chǎn)品尺寸、精度、鍵合焊接性能和使用條件方面均達(dá)到或優(yōu)于進(jìn)口同類(lèi)產(chǎn)品(產(chǎn)品尺寸、精度、鍵合焊接性能與進(jìn)口相同，抗氧化性、應(yīng)用條件優(yōu)于進(jìn)口產(chǎn)品)。產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣(半導(dǎo)體和光電子行業(yè))，替代部分鍵合金絲，為用戶節(jié)約大量成本，該產(chǎn)品目前國(guó)內(nèi)尚沒(méi)有可以批量生產(chǎn)的企業(yè)。
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