滿足IC制造需求 半導體材料創(chuàng)新是關鍵
[導讀]半導體材料是整個電子信息產(chǎn)業(yè)基礎的基礎，對整個電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著重要的支撐作用。沒有半導體材料的技術創(chuàng)新，國內電子信息產(chǎn)業(yè)企業(yè)在高速發(fā)展的征途中會舉步維艱，就不能在下一階段的技術競爭中占據(jù)主動地位
半導體材料是整個電子信息產(chǎn)業(yè)基礎的基礎，對整個電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著重要的支撐作用。沒有半導體材料的技術創(chuàng)新，國內電子信息產(chǎn)業(yè)企業(yè)在高速發(fā)展的征途中會舉步維艱，就不能在下一階段的技術競爭中占據(jù)主動地位。
半導體材料市場需求巨大
近幾年，由于市場需求的不斷擴大、投資環(huán)境的日益改善、優(yōu)惠政策的吸引及全球半導體產(chǎn)業(yè)向中國轉移等等原因，我國集成電路產(chǎn)業(yè)每年都保持30%的增長率。而今后，對整個集成電路產(chǎn)業(yè)來講，3G和無線寬帶、數(shù)字電視機頂盒、RFID卡以及汽車電子等幾個熱點領域仍將帶動我國集成電路產(chǎn)業(yè)全速增長。
據(jù)業(yè)內人士介紹，集成電路制造過程中需要的主要關鍵原材料有幾十種，材料的質量和供應直接影響著集成電路的質量和競爭力，因此支撐關鍵材料業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中最上游也是最重要的一環(huán)。
隨著信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，特別是光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，將進一步刺激多晶硅、單晶硅等基礎材料需求量的不斷增長。業(yè)內專家表示，雖然國際市場對4英寸、5英寸、6英寸硅片的需求在下降，但中國的生產(chǎn)還會持續(xù)多年，預計未來幾年小尺寸硅單晶的年產(chǎn)量仍在2500噸左右，8英寸、12英寸硅片產(chǎn)量將提升，逐步形成滿足100nm-65nm線寬集成電路需求的12英寸硅拋光片和外延片的高技術產(chǎn)業(yè)基地；將加快6英寸～8英寸SOI、SiGe和應變硅材料產(chǎn)業(yè)化進程。
此外，目前，世界半導體行業(yè)巨頭紛紛到國內投資，整個半導體行業(yè)快速發(fā)展，這也要求材料業(yè)要跟上半導體行業(yè)發(fā)展的步伐?？梢哉f，市場發(fā)展為半導體支撐材料業(yè)帶來前所未有的發(fā)展機遇。
國產(chǎn)材料新品不斷面對巨大的市場需求，國內半導體材料企業(yè)立足自主創(chuàng)新，不斷攻克一個又一個難關，推出適應市場的半導體材料新品。
有研半導體材料股份有限公司負責人表示，他們攻克了12英寸硅單晶生長的熱場設計和安全、雜質和缺陷的控制、硅片幾何參數(shù)的精密控制、表面金屬和顆粒的去除等關鍵技術難題，形成了從單晶生長到晶片加工、處理和檢測的自有成套技術，并利用該套技術開發(fā)成功直徑12英寸硅單晶拋光片新產(chǎn)品，填補了國內空白。產(chǎn)品關鍵參數(shù)達到了國際先進水平(如局部平整度小于0.10微米、大于0.09微米的顆粒少于238個/片、表面金屬含量低于1E10個原子/每平方厘米)，可滿足0.13微米-0.10微米線寬的先進集成電路制造技術要求。
天津環(huán)歐半導體材料技術有限公司總經(jīng)理沈浩平介紹說，環(huán)歐公司大直徑區(qū)熔硅生長技術在單晶的熱場設計、生長速度、溫度梯度控制、防高壓電場擊穿等生長工藝方面具有自主創(chuàng)新技術，該技術達到國際同行先進水平，廣泛應用于電力電子產(chǎn)業(yè)及半導體器件，市場前景廣闊。 寧波立立電子股份有限公司用氣相摻氮技術抑制了硅單晶中的空洞(COP)缺陷，提高了集成電路的成品率和降低了IC制備中的成本，在氮氣摻入量的控制及摻入方法具有自主創(chuàng)新性。該技術屬國內獨有，獲得國際同行的認可，并獲得國家三項發(fā)明專利和科技成果獎。
寧波康強電子股份有限公司在鍵合銅絲產(chǎn)品的配方、結構和制備工藝方面具有自主技術創(chuàng)新，產(chǎn)品尺寸、精度、鍵合焊接性能和使用條件方面均達到或優(yōu)于進口同類產(chǎn)品(產(chǎn)品尺寸、精度、鍵合焊接性能與進口相同，抗氧化性、應用條件優(yōu)于進口產(chǎn)品)。產(chǎn)品應用范圍廣(半導體和光電子行業(yè))，替代部分鍵合金絲，為用戶節(jié)約大量成本，該產(chǎn)品目前國內尚沒有可以批量生產(chǎn)的企業(yè)。
近幾年，由于市場需求的不斷擴大、投資環(huán)境的日益改善、優(yōu)惠政策的吸引及全球半導體產(chǎn)業(yè)向中國轉移等等原因，我國集成電路產(chǎn)業(yè)每年都保持30%的增長率。而今后，對整個集成電路產(chǎn)業(yè)來講，3G和無線寬帶、數(shù)字電視機頂盒、RFID卡以及汽車電子等幾個熱點領域仍將帶動我國集成電路產(chǎn)業(yè)全速增長。
據(jù)業(yè)內人士介紹，集成電路制造過程中需要的主要關鍵原材料有幾十種，材料的質量和供應直接影響著集成電路的質量和競爭力，因此支撐關鍵材料業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中最上游也是最重要的一環(huán)。
隨著信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，特別是光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，將進一步刺激多晶硅、單晶硅等基礎材料需求量的不斷增長。業(yè)內專家表示，雖然國際市場對4英寸、5英寸、6英寸硅片的需求在下降，但中國的生產(chǎn)還會持續(xù)多年，預計未來幾年小尺寸硅單晶的年產(chǎn)量仍在2500噸左右，8英寸、12英寸硅片產(chǎn)量將提升，逐步形成滿足100nm-65nm線寬集成電路需求的12英寸硅拋光片和外延片的高技術產(chǎn)業(yè)基地；將加快6英寸～8英寸SOI、SiGe和應變硅材料產(chǎn)業(yè)化進程。
此外，目前，世界半導體行業(yè)巨頭紛紛到國內投資，整個半導體行業(yè)快速發(fā)展，這也要求材料業(yè)要跟上半導體行業(yè)發(fā)展的步伐?？梢哉f，市場發(fā)展為半導體支撐材料業(yè)帶來前所未有的發(fā)展機遇。
國產(chǎn)材料新品不斷面對巨大的市場需求，國內半導體材料企業(yè)立足自主創(chuàng)新，不斷攻克一個又一個難關，推出適應市場的半導體材料新品。
有研半導體材料股份有限公司負責人表示，他們攻克了12英寸硅單晶生長的熱場設計和安全、雜質和缺陷的控制、硅片幾何參數(shù)的精密控制、表面金屬和顆粒的去除等關鍵技術難題，形成了從單晶生長到晶片加工、處理和檢測的自有成套技術，并利用該套技術開發(fā)成功直徑12英寸硅單晶拋光片新產(chǎn)品，填補了國內空白。產(chǎn)品關鍵參數(shù)達到了國際先進水平(如局部平整度小于0.10微米、大于0.09微米的顆粒少于238個/片、表面金屬含量低于1E10個原子/每平方厘米)，可滿足0.13微米-0.10微米線寬的先進集成電路制造技術要求。
天津環(huán)歐半導體材料技術有限公司總經(jīng)理沈浩平介紹說，環(huán)歐公司大直徑區(qū)熔硅生長技術在單晶的熱場設計、生長速度、溫度梯度控制、防高壓電場擊穿等生長工藝方面具有自主創(chuàng)新技術，該技術達到國際同行先進水平，廣泛應用于電力電子產(chǎn)業(yè)及半導體器件，市場前景廣闊。 寧波立立電子股份有限公司用氣相摻氮技術抑制了硅單晶中的空洞(COP)缺陷，提高了集成電路的成品率和降低了IC制備中的成本，在氮氣摻入量的控制及摻入方法具有自主創(chuàng)新性。該技術屬國內獨有，獲得國際同行的認可，并獲得國家三項發(fā)明專利和科技成果獎。
寧波康強電子股份有限公司在鍵合銅絲產(chǎn)品的配方、結構和制備工藝方面具有自主技術創(chuàng)新，產(chǎn)品尺寸、精度、鍵合焊接性能和使用條件方面均達到或優(yōu)于進口同類產(chǎn)品(產(chǎn)品尺寸、精度、鍵合焊接性能與進口相同，抗氧化性、應用條件優(yōu)于進口產(chǎn)品)。產(chǎn)品應用范圍廣(半導體和光電子行業(yè))，替代部分鍵合金絲，為用戶節(jié)約大量成本，該產(chǎn)品目前國內尚沒有可以批量生產(chǎn)的企業(yè)。
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