STS發(fā)布針對IC量產(chǎn)開發(fā) 12英寸DRIE電漿源
[導(dǎo)讀]電子設(shè)備制造商Surface Technology Systems (STS)公司日前宣布，將開發(fā)一種新的深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)電漿源，該系統(tǒng)將與大量制造IC時所使用的12英寸晶圓有高度兼容性。
DRIE加工法是由德商Robert Bosch GmbH所發(fā)明
電子設(shè)備制造商Surface Technology Systems (STS)公司日前宣布，將開發(fā)一種新的深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)電漿源，該系統(tǒng)將與大量制造IC時所使用的12英寸晶圓有高度兼容性。
DRIE加工法是由德商Robert Bosch GmbH所發(fā)明、STS所開發(fā)的一項重要硅基微細加工技術(shù)，該加工法在MEMS的制造過程中已有長達十年的歷史。隨著電路的越漸復(fù)雜及裝置速度的提升，產(chǎn)業(yè)需求逐漸傾向于將細薄的芯片采用堆棧方式，而非將所有的功能組件都整合于一顆平面的系統(tǒng)單芯片(SoC)中。
當(dāng)堆棧芯片的數(shù)量逐漸增加以及輸出入(I/O)數(shù)增加時，焊線法就變得越來越復(fù)雜以及昂貴，而層間互連法則在這方面有其它優(yōu)勢，包括減少所需的芯片面積、縮短互連距離，且可以將導(dǎo)孔放置于芯片內(nèi)而非芯片邊緣。
隨著2005年P(guān)egasus DRIE來源的推出，STS便比其它傳統(tǒng)的DRIE系統(tǒng)明顯地展示了更高的芯片蝕刻率，使層間互連法更加地吸引IC制造商，也為300mm平臺帶來了同等處理能力的需求。
STS技術(shù)長Leslie Lea解釋道：“當(dāng)MEMS業(yè)界的客戶還仍舊專注于150mm或200mm的芯片加工時，大多數(shù)的主流半導(dǎo)體制造商早已為了降低芯片成本而轉(zhuǎn)移到300mm的芯片使用上。因此，為滿足這些客戶的需求我們決定開發(fā)新的蝕刻工具。我們可期待STS將為那些使用300mm芯片的客戶提供最先進的解決方案?！?/FONT>
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