韓國三星電子開發(fā)出一款超大容量記憶芯片
2005年9月,三星電子曾首次采用50納米制造技術(shù)開發(fā)出了16Gb容量的NAND閃存記憶芯片。前不久,該公司宣布首次采用40納米制造技術(shù)開發(fā)出了32Gb容量的NAND閃存芯片。這一技術(shù)極大地提高了NAND閃存記憶芯片的使用壽命,也使這種芯片在數(shù)碼相機(jī)、mp3播放器以及其他多媒體工具上得到廣泛應(yīng)用。
三星電子公司總裁黃昌圭表示,新產(chǎn)品有更高的可靠性,還可以更好地控制數(shù)據(jù)存儲。