SEMI中國總裁Mark Ding表示，“中國的投資趨勢不斷進化，相比之前的許多初級項目，未來許多更有前途的晶圓項目將落戶中國。那些帶來先進技術和重大外資的晶圓項目，更容易籌集資金和得到政府支持。”與此同時，中國半導體設備資本開支期待在2006年出現(xiàn)躍增，但預計2007年設備市場開支增長平緩。
SEMI在2006年稍早預測，中國在2006年到2008年間半導體設備開支將達74億美元，比上次預計的數(shù)字增加大約8.7億美元。2004年中國半導體產(chǎn)業(yè)處于迅速發(fā)展，該組織相信對中國市場寄予厚望。但隨后一些晶圓廠未能按計劃開工，因此半導體設備支出的數(shù)字已經(jīng)縮小。
但是，如果把晶圓工廠建設的其他基建和研發(fā)開支算上，SEMI預計中國在此期間的開支將超過98億美元。 單獨設備一項，SEMI相信中國市場年度采購額就達30億美元，占全球的比例從2006年的6%增加到2009年的7%。如果中國半導體市場再次出現(xiàn)繁榮景象，那么這還是保守估計的數(shù)字。
SEMI表示，300毫米晶圓廠將推動70%的設備銷售，未來三年，至少有五座300毫米晶圓廠在建設和設備安裝之中，包括晶圓代工廠中芯國際、內存制造商Hynix ST Semiconductor和IDM/晶圓代工廠商華虹NEC。
據(jù)稱，新的300毫米晶圓廠設備開支將主宰未來市場，入門級技術為0.13微米節(jié)點工藝。SEMI表示，現(xiàn)在中國每年新建晶圓廠帶來的產(chǎn)能增加開始反映出真實的市場需求，到2008年，每年產(chǎn)能增長預計為16%。預計未來三年，半導體材料支出將穩(wěn)定增長。由于2006年建設的300毫米晶圓廠大部分將在2007年開始運作，2007年晶圓半導體材料支出可能比2006年增加58%。
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