英特爾發(fā)布首款45納米芯片 晶體管密度翻倍

    據(jù)海外媒體報(bào)道，英特爾公司日前宣布制造出首款采用45納米生產(chǎn)工藝的芯片。與65納米工藝相比，最新的45納米技術(shù)在晶體管密度上提高了兩倍，達(dá)到10億個，開關(guān)速度提高了20%，而功耗卻降低三成。

據(jù)悉，英特爾的45納米工藝被命名為P1266，集成了銅互連(copper interconnects)、低K介電系數(shù)、應(yīng)變硅(strained silicon)和技術(shù)特性。該公司計(jì)劃采用193納米“干式(dry)”光刻掃描器――而非沉浸式(immersion)工具，來制造45納米器件，這也超出了此前一些分析人士進(jìn)行的預(yù)料?！?

英特爾工程師Mark Bohr稱，這些晶體管只有45納米見方，比紅血球還要小1,000倍左右?！安捎?5納米生產(chǎn)工藝后，我們可以在單位面積上放置兩倍數(shù)量的晶體管，并降低能耗。毫無疑問，這項(xiàng)技術(shù)將大幅度提升未來產(chǎn)品和平臺的性能。”

英特爾還表示采用45納米工藝，已制造出153Mbit SRAM原型。該原型器件包含幾個元件，其中包括SRAM陣列、PROM陣列、鎖相環(huán)(PLL)、I/O、寄存器和分立測試結(jié)構(gòu)。英特爾此項(xiàng)聲明顯示其45納米工藝已經(jīng)上路，預(yù)計(jì)將于2007年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。