DRAM價(jià)格跌破現(xiàn)金成本陷入無解習(xí)題
——林育中，康帝科技董事長兼總經(jīng)理、前茂德資深副總、威剛資深顧問
2001年時(shí)，全世界半導(dǎo)體遭遇到號稱30幾年來最不景氣的年頭。做為半導(dǎo)體次產(chǎn)業(yè)的DRAM，也無法自外于整體產(chǎn)業(yè)環(huán)境。2001年11月，DRAM市場售價(jià)接近制造廠商的「現(xiàn)金成本」，這是一個(gè)極其嚴(yán)重的訊號。所謂的“現(xiàn)金成本”，是指廠商在制造每1顆產(chǎn)品時(shí)，所需支出的現(xiàn)金，這個(gè)數(shù)字，與概念中的變動(dòng)成本差距不大，但是多了薪資、租金等與生產(chǎn)數(shù)量無關(guān)的現(xiàn)金支出部分。半導(dǎo)體的產(chǎn)品成本，大約有一半是工藝研發(fā)費(fèi)用的攤提以及機(jī)器設(shè)備的折舊，這些費(fèi)用是早已支出的費(fèi)用，發(fā)生在制造成本賬面之中，但不會(huì)影響現(xiàn)金的水位。另外的如薪資、晶圓、水電、化學(xué)品等，是以現(xiàn)金的方式隨著生產(chǎn)活動(dòng)而支出，這一部分的支出大概也占成本的一半。由于這樣的成本結(jié)構(gòu)，有時(shí)候遭遇虧損的狀況，廠商還能有持續(xù)的現(xiàn)金流入。這樣的營運(yùn)虧損，影響的是對未來工藝研發(fā)的投入，以及機(jī)器設(shè)備產(chǎn)能的擴(kuò)充，不會(huì)有立即的經(jīng)營危機(jī)。
然而在2006年之后，DRAM產(chǎn)業(yè)即陷入持續(xù)的虧損。特別是自2007下半年以后，市場價(jià)格降到現(xiàn)金成本之下，大部分的業(yè)者面臨經(jīng)營現(xiàn)金流出的窘境。而且銀行與資金市場對于DRAM業(yè)者紛縮手。這樣的狀況，其實(shí)比2001年號稱史上最嚴(yán)酷的1年還要慘烈。到底產(chǎn)業(yè)內(nèi)外發(fā)生了什么事，使得整個(gè)產(chǎn)業(yè)從根本上產(chǎn)生了變化？
到21世紀(jì)初，DRAM已經(jīng)有約40年的歷史。它有一些長期的行為模式，譬如每位的單價(jià)每年平均約下降37%；每個(gè)景氣周期大概是4~5年，賺2年、虧3年，但公司大致上能維持營運(yùn)，并持續(xù)工藝微縮與產(chǎn)能擴(kuò)充。產(chǎn)業(yè)的供需失衡，也是景氣循環(huán)的原因，是因?yàn)樵谫Y金投入至產(chǎn)能開出有2年的前置期。它的主要增長動(dòng)力是計(jì)算機(jī)業(yè)，而計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)在20世紀(jì)之前每年的出貨量平均增長15%，出貨量的增長與每臺(tái)計(jì)算機(jī)DRAM使用量的增長構(gòu)成了DRAM需求面的2大支柱。
不再成為工藝開發(fā)的驅(qū)動(dòng)力
這些長期的行為模式因?yàn)?個(gè)因素出現(xiàn)而發(fā)生根本上的變化：一個(gè)是DRAM沒有在新興的手機(jī)產(chǎn)業(yè)中占到策略性的位置，另一個(gè)是DRAM不再成為工藝開發(fā)的驅(qū)動(dòng)力(technologydriver)。
計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)在21世紀(jì)之后增長稍為緩慢，繼之而起的是手機(jī)。預(yù)計(jì)2008年手機(jī)的出貨量會(huì)是計(jì)算機(jī)的5倍左右。手機(jī)產(chǎn)業(yè)的零組件成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新寵?？匆豢茨壳暗腎C設(shè)計(jì)業(yè)，先后坐“股王”位置的，大抵是手機(jī)零件的設(shè)計(jì)公司。手機(jī)其實(shí)也使用DRAM(pseudo-SRAM)，但是其所使用的容量很小。更重要的是pseudo-SRAM的使用是先由NORFlash的制造商購買后，以多芯片封裝的方式組裝成combo，然后再售予手機(jī)制造商。這樣買賣關(guān)系的形成是有歷史因緣的：手機(jī)中原來使用的是NORFlash與SRAM，以后pseudo-SRAM替代了SRAM。
pseudo-SRAM是手機(jī)產(chǎn)業(yè)的后進(jìn)，與手機(jī)公司的商業(yè)關(guān)系自然掌握在前輩NORFlash業(yè)者手中。由于多經(jīng)了這一手，利潤分配的權(quán)力就落在NORFlash的制造商手中。何況NORFlash也是競爭激烈，能夠分給DRAM的利潤極其有限。DRAM廠商必須認(rèn)真面對此一事實(shí)：過去以計(jì)算機(jī)為中心(PCcentric)的數(shù)據(jù)流動(dòng)模式己經(jīng)發(fā)生基本的變化；在日本，許多女孩子的第1次上網(wǎng)經(jīng)驗(yàn)發(fā)生在手機(jī)上，而不是在計(jì)算機(jī)。
如何參與這一個(gè)更寬闊的市場，是所有有作為的DRAM廠商共同戮力以赴的。像有些廠商便選擇了與DRAM工藝相似的CMOSSensor切入，有的是組合多種內(nèi)存，直接供應(yīng)給手機(jī)廠商，以奪回在手機(jī)此一主要戰(zhàn)場的主導(dǎo)權(quán)。
DRAM是大宗物品，競爭力幾乎決定在成本此單一因素，而成本又由工藝微縮的快慢所決定。計(jì)算機(jī)在過去是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主要應(yīng)用市場，所有領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司都曾經(jīng)參與過DRAM市場，并且在DRAM工藝微縮的競賽互爭雄長，像英特爾(Intel)、德儀(TI)或者是東芝(Toshiba)。由于DRAM工藝是激烈競爭的焦點(diǎn)，DRAM工藝微縮的進(jìn)度遠(yuǎn)快于其它產(chǎn)品類別的工藝，如邏輯工藝或是模擬工藝。為了要充分利用工藝研發(fā)的綜效，大的半導(dǎo)體公司過去都是先開發(fā)DRAM工藝，然后將其部分模塊工藝應(yīng)用到其它產(chǎn)品類別的工藝。用業(yè)界的術(shù)語來說，DRAM是technologydriver，工藝羊群的領(lǐng)頭羊。此一趨勢一直延續(xù)到90年代中后期，然后DRAM工藝微縮的發(fā)展被邏輯工藝逐漸超越。但是此一變化在當(dāng)時(shí)對于DRAM產(chǎn)業(yè)并沒有明顯沖擊，主要原因是邏輯工藝和DRAM工藝此時(shí)已相去甚遠(yuǎn)，很少公司同時(shí)在經(jīng)營此2種截然不同的產(chǎn)品市場，technologydriver的綜效也無從發(fā)揮。
21世紀(jì)后，NANDFlash逐漸浮上臺(tái)面，它同時(shí)在手機(jī)的內(nèi)嵌式內(nèi)存與外插式的內(nèi)存(SD卡)斬將鶱旗。數(shù)年之間，它的產(chǎn)值便超過了DRAM的產(chǎn)值。這個(gè)沖擊對于DRAM產(chǎn)生了根本性的變化。
Flash與DRAM相同，也是大宗物品，基本上競爭的也是工藝炮管口徑的大小。更重要的是Flash工藝與DRAM工藝也相去不遠(yuǎn)。但是Flash與DRAM不同的是它不必然是一個(gè)電子機(jī)具(計(jì)算機(jī))的零組件，它本身也可以是一個(gè)消費(fèi)者終端產(chǎn)品，像是SD卡，而且它的應(yīng)用極多元化。這樣的特性吸引了幾乎所有主要的半導(dǎo)體公司加入此一戰(zhàn)場；算一算世界前10大半導(dǎo)體廠，不做Flash的屈指可數(shù)。激烈的競爭讓Flash工藝微縮進(jìn)展神速。目前主流的Flash工藝在40~50納米之間，而DRAM的主流工藝在60~70納米之間，相差至少有一個(gè)世代。
DRAM好，大家好；大家好，DRAM不一定好
因?yàn)镈RAM與Flash在產(chǎn)品性質(zhì)和工藝上的相似，很多在技術(shù)上有能力的公司是兼營2種產(chǎn)品的。Flash的全球市場占有率排行依次是三星(SamsungElectronics)、東芝、海力士(Hynix)及美光(Micron)。其中除了東芝在90年代末期已退出DRAM市場外，其余的目前也都是DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)者。2者兼營當(dāng)然是在研發(fā)、產(chǎn)能及銷售能有綜效，特別是在工藝研發(fā)及產(chǎn)能方面。由于Flash工藝已領(lǐng)先DRAM工藝甚多，因此Flash工藝?yán)硭?dāng)然的成為technologydriver，其開發(fā)完成、甚至已造入量產(chǎn)階段的模塊工藝小幅修改后適用于DRAM工藝的開發(fā)。也因?yàn)楣に囬_發(fā)的前后依賴關(guān)系，兩種產(chǎn)品的生產(chǎn)設(shè)備兼容性甚高，產(chǎn)能可以互通。大體上，最先進(jìn)的工藝設(shè)備會(huì)先用于高密度Flash的生產(chǎn)制造，然后交給低密度的Flash以及主流的DRAM，最后才交給特殊型DRAM與內(nèi)存代工。
此種體制中能占有相對優(yōu)勢的，自然是在工藝競賽中領(lǐng)先的廠商，這是半導(dǎo)體業(yè)的鐵律，毋庸多言。其次是能橫跨兩種產(chǎn)品的廠商，因?yàn)橛醒邪l(fā)的綜效與生產(chǎn)設(shè)備的綜效。生產(chǎn)設(shè)備的綜效容許廠商在兩種產(chǎn)品市場中快速栘動(dòng)產(chǎn)能，調(diào)節(jié)供需，將利益最大化，或者是損失極小化。最尷尬的是只有DRAM產(chǎn)品的廠商，在Flash與DRAM市場、好與壞的4種組合中，只有在DRAM與Flash2者都好的狀況，才有獲利的機(jī)會(huì)。這個(gè)理論也有事實(shí)的支持：東芝半導(dǎo)體經(jīng)營最好，它集中在高密度Flash產(chǎn)品，享盡了產(chǎn)品生命早期的利潤。三星相距不遠(yuǎn)，所以在兩種市場都困難時(shí)，還持續(xù)獲利。海力士正在迎頭趕上，所以在2007年第3季度前，也是盈利狀態(tài)，其后的廠商就比較難受了。
前述的工藝研發(fā)與設(shè)備兼容的體制，大幅的變更了DRAM產(chǎn)業(yè)的生態(tài)。這也解釋了為什么DRAM市場目前慘烈如此，卻還遲遲看不到剝極必復(fù)的景氣反彈。DRAM市場與Flash市場是連通的，在Flash市場未復(fù)蘇之前，DRAM市場要單獨(dú)復(fù)蘇很難，因?yàn)橐坏〥RAM單獨(dú)好轉(zhuǎn)，總會(huì)有不請自來的Flash多余產(chǎn)能來填補(bǔ)空缺。
這個(gè)體制也解釋了為什么DRAM的技術(shù)授權(quán)、甚至是共同開發(fā)如此盛行。DRAM工藝不再是技術(shù)驅(qū)動(dòng)力，而是Flash工藝的衍生性產(chǎn)品。既然不是核心的競爭武器，以制造產(chǎn)品販賣或以技術(shù)授權(quán)來收割利益其實(shí)差別不大。
單純的DRAM業(yè)者要擺脫前述的被動(dòng)地位要能重新在新興產(chǎn)業(yè)中占據(jù)關(guān)鍵位置，這個(gè)道理DRAM的經(jīng)營者都懂。只是在現(xiàn)金流出的狀況下，現(xiàn)金流量表的數(shù)字下降有如定時(shí)炸彈滴答作響。要快、快、快。
2001年時(shí)，全世界半導(dǎo)體遭遇到號稱30幾年來最不景氣的年頭。做為半導(dǎo)體次產(chǎn)業(yè)的DRAM，也無法自外于整體產(chǎn)業(yè)環(huán)境。2001年11月，DRAM市場售價(jià)接近制造廠商的「現(xiàn)金成本」，這是一個(gè)極其嚴(yán)重的訊號。所謂的“現(xiàn)金成本”，是指廠商在制造每1顆產(chǎn)品時(shí)，所需支出的現(xiàn)金，這個(gè)數(shù)字，與概念中的變動(dòng)成本差距不大，但是多了薪資、租金等與生產(chǎn)數(shù)量無關(guān)的現(xiàn)金支出部分。半導(dǎo)體的產(chǎn)品成本，大約有一半是工藝研發(fā)費(fèi)用的攤提以及機(jī)器設(shè)備的折舊，這些費(fèi)用是早已支出的費(fèi)用，發(fā)生在制造成本賬面之中，但不會(huì)影響現(xiàn)金的水位。另外的如薪資、晶圓、水電、化學(xué)品等，是以現(xiàn)金的方式隨著生產(chǎn)活動(dòng)而支出，這一部分的支出大概也占成本的一半。由于這樣的成本結(jié)構(gòu)，有時(shí)候遭遇虧損的狀況，廠商還能有持續(xù)的現(xiàn)金流入。這樣的營運(yùn)虧損，影響的是對未來工藝研發(fā)的投入，以及機(jī)器設(shè)備產(chǎn)能的擴(kuò)充，不會(huì)有立即的經(jīng)營危機(jī)。
然而在2006年之后，DRAM產(chǎn)業(yè)即陷入持續(xù)的虧損。特別是自2007下半年以后，市場價(jià)格降到現(xiàn)金成本之下，大部分的業(yè)者面臨經(jīng)營現(xiàn)金流出的窘境。而且銀行與資金市場對于DRAM業(yè)者紛縮手。這樣的狀況，其實(shí)比2001年號稱史上最嚴(yán)酷的1年還要慘烈。到底產(chǎn)業(yè)內(nèi)外發(fā)生了什么事，使得整個(gè)產(chǎn)業(yè)從根本上產(chǎn)生了變化？
到21世紀(jì)初，DRAM已經(jīng)有約40年的歷史。它有一些長期的行為模式，譬如每位的單價(jià)每年平均約下降37%；每個(gè)景氣周期大概是4~5年，賺2年、虧3年，但公司大致上能維持營運(yùn)，并持續(xù)工藝微縮與產(chǎn)能擴(kuò)充。產(chǎn)業(yè)的供需失衡，也是景氣循環(huán)的原因，是因?yàn)樵谫Y金投入至產(chǎn)能開出有2年的前置期。它的主要增長動(dòng)力是計(jì)算機(jī)業(yè)，而計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)在20世紀(jì)之前每年的出貨量平均增長15%，出貨量的增長與每臺(tái)計(jì)算機(jī)DRAM使用量的增長構(gòu)成了DRAM需求面的2大支柱。
不再成為工藝開發(fā)的驅(qū)動(dòng)力
這些長期的行為模式因?yàn)?個(gè)因素出現(xiàn)而發(fā)生根本上的變化：一個(gè)是DRAM沒有在新興的手機(jī)產(chǎn)業(yè)中占到策略性的位置，另一個(gè)是DRAM不再成為工藝開發(fā)的驅(qū)動(dòng)力(technologydriver)。
計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)在21世紀(jì)之后增長稍為緩慢，繼之而起的是手機(jī)。預(yù)計(jì)2008年手機(jī)的出貨量會(huì)是計(jì)算機(jī)的5倍左右。手機(jī)產(chǎn)業(yè)的零組件成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新寵?？匆豢茨壳暗腎C設(shè)計(jì)業(yè)，先后坐“股王”位置的，大抵是手機(jī)零件的設(shè)計(jì)公司。手機(jī)其實(shí)也使用DRAM(pseudo-SRAM)，但是其所使用的容量很小。更重要的是pseudo-SRAM的使用是先由NORFlash的制造商購買后，以多芯片封裝的方式組裝成combo，然后再售予手機(jī)制造商。這樣買賣關(guān)系的形成是有歷史因緣的：手機(jī)中原來使用的是NORFlash與SRAM，以后pseudo-SRAM替代了SRAM。
pseudo-SRAM是手機(jī)產(chǎn)業(yè)的后進(jìn)，與手機(jī)公司的商業(yè)關(guān)系自然掌握在前輩NORFlash業(yè)者手中。由于多經(jīng)了這一手，利潤分配的權(quán)力就落在NORFlash的制造商手中。何況NORFlash也是競爭激烈，能夠分給DRAM的利潤極其有限。DRAM廠商必須認(rèn)真面對此一事實(shí)：過去以計(jì)算機(jī)為中心(PCcentric)的數(shù)據(jù)流動(dòng)模式己經(jīng)發(fā)生基本的變化；在日本，許多女孩子的第1次上網(wǎng)經(jīng)驗(yàn)發(fā)生在手機(jī)上，而不是在計(jì)算機(jī)。
如何參與這一個(gè)更寬闊的市場，是所有有作為的DRAM廠商共同戮力以赴的。像有些廠商便選擇了與DRAM工藝相似的CMOSSensor切入，有的是組合多種內(nèi)存，直接供應(yīng)給手機(jī)廠商，以奪回在手機(jī)此一主要戰(zhàn)場的主導(dǎo)權(quán)。
DRAM是大宗物品，競爭力幾乎決定在成本此單一因素，而成本又由工藝微縮的快慢所決定。計(jì)算機(jī)在過去是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主要應(yīng)用市場，所有領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司都曾經(jīng)參與過DRAM市場，并且在DRAM工藝微縮的競賽互爭雄長，像英特爾(Intel)、德儀(TI)或者是東芝(Toshiba)。由于DRAM工藝是激烈競爭的焦點(diǎn)，DRAM工藝微縮的進(jìn)度遠(yuǎn)快于其它產(chǎn)品類別的工藝，如邏輯工藝或是模擬工藝。為了要充分利用工藝研發(fā)的綜效，大的半導(dǎo)體公司過去都是先開發(fā)DRAM工藝，然后將其部分模塊工藝應(yīng)用到其它產(chǎn)品類別的工藝。用業(yè)界的術(shù)語來說，DRAM是technologydriver，工藝羊群的領(lǐng)頭羊。此一趨勢一直延續(xù)到90年代中后期，然后DRAM工藝微縮的發(fā)展被邏輯工藝逐漸超越。但是此一變化在當(dāng)時(shí)對于DRAM產(chǎn)業(yè)并沒有明顯沖擊，主要原因是邏輯工藝和DRAM工藝此時(shí)已相去甚遠(yuǎn)，很少公司同時(shí)在經(jīng)營此2種截然不同的產(chǎn)品市場，technologydriver的綜效也無從發(fā)揮。
21世紀(jì)后，NANDFlash逐漸浮上臺(tái)面，它同時(shí)在手機(jī)的內(nèi)嵌式內(nèi)存與外插式的內(nèi)存(SD卡)斬將鶱旗。數(shù)年之間，它的產(chǎn)值便超過了DRAM的產(chǎn)值。這個(gè)沖擊對于DRAM產(chǎn)生了根本性的變化。
Flash與DRAM相同，也是大宗物品，基本上競爭的也是工藝炮管口徑的大小。更重要的是Flash工藝與DRAM工藝也相去不遠(yuǎn)。但是Flash與DRAM不同的是它不必然是一個(gè)電子機(jī)具(計(jì)算機(jī))的零組件，它本身也可以是一個(gè)消費(fèi)者終端產(chǎn)品，像是SD卡，而且它的應(yīng)用極多元化。這樣的特性吸引了幾乎所有主要的半導(dǎo)體公司加入此一戰(zhàn)場；算一算世界前10大半導(dǎo)體廠，不做Flash的屈指可數(shù)。激烈的競爭讓Flash工藝微縮進(jìn)展神速。目前主流的Flash工藝在40~50納米之間，而DRAM的主流工藝在60~70納米之間，相差至少有一個(gè)世代。
DRAM好，大家好；大家好，DRAM不一定好
因?yàn)镈RAM與Flash在產(chǎn)品性質(zhì)和工藝上的相似，很多在技術(shù)上有能力的公司是兼營2種產(chǎn)品的。Flash的全球市場占有率排行依次是三星(SamsungElectronics)、東芝、海力士(Hynix)及美光(Micron)。其中除了東芝在90年代末期已退出DRAM市場外，其余的目前也都是DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)者。2者兼營當(dāng)然是在研發(fā)、產(chǎn)能及銷售能有綜效，特別是在工藝研發(fā)及產(chǎn)能方面。由于Flash工藝已領(lǐng)先DRAM工藝甚多，因此Flash工藝?yán)硭?dāng)然的成為technologydriver，其開發(fā)完成、甚至已造入量產(chǎn)階段的模塊工藝小幅修改后適用于DRAM工藝的開發(fā)。也因?yàn)楣に囬_發(fā)的前后依賴關(guān)系，兩種產(chǎn)品的生產(chǎn)設(shè)備兼容性甚高，產(chǎn)能可以互通。大體上，最先進(jìn)的工藝設(shè)備會(huì)先用于高密度Flash的生產(chǎn)制造，然后交給低密度的Flash以及主流的DRAM，最后才交給特殊型DRAM與內(nèi)存代工。
此種體制中能占有相對優(yōu)勢的，自然是在工藝競賽中領(lǐng)先的廠商，這是半導(dǎo)體業(yè)的鐵律，毋庸多言。其次是能橫跨兩種產(chǎn)品的廠商，因?yàn)橛醒邪l(fā)的綜效與生產(chǎn)設(shè)備的綜效。生產(chǎn)設(shè)備的綜效容許廠商在兩種產(chǎn)品市場中快速栘動(dòng)產(chǎn)能，調(diào)節(jié)供需，將利益最大化，或者是損失極小化。最尷尬的是只有DRAM產(chǎn)品的廠商，在Flash與DRAM市場、好與壞的4種組合中，只有在DRAM與Flash2者都好的狀況，才有獲利的機(jī)會(huì)。這個(gè)理論也有事實(shí)的支持：東芝半導(dǎo)體經(jīng)營最好，它集中在高密度Flash產(chǎn)品，享盡了產(chǎn)品生命早期的利潤。三星相距不遠(yuǎn)，所以在兩種市場都困難時(shí)，還持續(xù)獲利。海力士正在迎頭趕上，所以在2007年第3季度前，也是盈利狀態(tài)，其后的廠商就比較難受了。
前述的工藝研發(fā)與設(shè)備兼容的體制，大幅的變更了DRAM產(chǎn)業(yè)的生態(tài)。這也解釋了為什么DRAM市場目前慘烈如此，卻還遲遲看不到剝極必復(fù)的景氣反彈。DRAM市場與Flash市場是連通的，在Flash市場未復(fù)蘇之前，DRAM市場要單獨(dú)復(fù)蘇很難，因?yàn)橐坏〥RAM單獨(dú)好轉(zhuǎn)，總會(huì)有不請自來的Flash多余產(chǎn)能來填補(bǔ)空缺。
這個(gè)體制也解釋了為什么DRAM的技術(shù)授權(quán)、甚至是共同開發(fā)如此盛行。DRAM工藝不再是技術(shù)驅(qū)動(dòng)力，而是Flash工藝的衍生性產(chǎn)品。既然不是核心的競爭武器，以制造產(chǎn)品販賣或以技術(shù)授權(quán)來收割利益其實(shí)差別不大。
單純的DRAM業(yè)者要擺脫前述的被動(dòng)地位要能重新在新興產(chǎn)業(yè)中占據(jù)關(guān)鍵位置，這個(gè)道理DRAM的經(jīng)營者都懂。只是在現(xiàn)金流出的狀況下，現(xiàn)金流量表的數(shù)字下降有如定時(shí)炸彈滴答作響。要快、快、快。
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