未來10年閃存將發(fā)展到盡頭 3D內(nèi)存接班

SanDisk認為，未來10年閃存將發(fā)展到盡頭，3D內(nèi)存技術(shù)將成為閃存的接班人。

SanDisk上周表示，由于閃存具有局限性，它的發(fā)展未來將走到盡頭，SanDisk希望3D讀寫內(nèi)存能夠成為替代產(chǎn)品，這種技術(shù)是由SanDisk2005年收購的Matrix半導(dǎo)體公司開發(fā)。

3D內(nèi)存芯片將內(nèi)存陣列從橫向排列改為縱向排列，從而能夠垂直存儲更多數(shù)據(jù)。

SanDisk總裁兼首席運營官Sanjay Mehrotra上周表示：“SanDisk正在開發(fā)3D讀寫內(nèi)存，我們認為這種產(chǎn)品在未來10年將代替NAND閃存。”

SanDisk已經(jīng)宣布和東芝合作開發(fā)3D內(nèi)存。

SanDisk主席兼首席執(zhí)行官Eli Harari說，自從收購了Matrix后，他們在3D內(nèi)存開發(fā)方面取得了不小的進步，目前，圍繞這種技術(shù)，SanDisk已經(jīng)取得了200多項專利。

不過SanDisk發(fā)言人Michael Wong 說，3D內(nèi)存取代閃存還有很長一段路要走。