三星焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向Flash 打算全面稱霸內(nèi)存市場(chǎng)

12月3日消息，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷1年冰河期，今年第3季終于春暖花開(kāi)。更值得注意的是，三星在11月30日晚間宣布，30奈米3-bit MLC NAND Flash開(kāi)始量產(chǎn)，顯示三星關(guān)注焦點(diǎn)不再是DRAM，且稱霸內(nèi)存企圖心十足。

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，DRAM產(chǎn)業(yè)原已因供過(guò)于求而虧損，去年金融風(fēng)暴更是雪上加霜，DRAM價(jià)格暴跌，DDR2 1Gb eTT最低來(lái)到0.59美元，連三星也無(wú)可避免陷入虧損，Hynix、爾必達(dá)(Elpida)、美光(Micron)極力苦撐，中國(guó)臺(tái)灣業(yè)者更陷入嚴(yán)重現(xiàn)金流出，做一顆賠一顆的窘?jīng)r，只能大幅減產(chǎn)以止血。

德廠奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)終在今(2009)年初申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，成為整個(gè)產(chǎn)業(yè)秩序重整的第一步。

三星從今年第1季扭轉(zhuǎn)虧損步入盈余，開(kāi)始投注更多精力在技術(shù)研發(fā)，以拉開(kāi)與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，今年7月宣布40奈米DDR3進(jìn)入量產(chǎn)，時(shí)值第3季傳統(tǒng)旺季，DRAM價(jià)格一路上揚(yáng)，DDR3的需求更快速增長(zhǎng)，合約價(jià)隨后更低于DDR2，開(kāi)啟DRAM世代交換。

三星的策略隨即奏效，今年第3季獲利創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。

此外，還與海力士攜手，讓韓廠全球市占率一舉過(guò)半，甚至越走越高。

然而，三星的野心顯然不只是穩(wěn)坐DRAM龍頭，從今年9月宣布開(kāi)始量產(chǎn)512Mb相位變化隨機(jī)存取內(nèi)存芯片(PRAM)，意欲取代NOR Flash后，11月30日正式宣布，開(kāi)始量產(chǎn)30奈米3-bit MLC NAND Flash，稱霸內(nèi)存市場(chǎng)的企圖心，不言而喻。