Everspin將MRAM容量提升到16Mb 陰霾開始籠罩SRAM

Everspin MRAM的三大優(yōu)勢分別是：非易失能力(業(yè)內(nèi)最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間)、超快的存取周期、無限次擦寫。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，幾乎與SRAM同一級別，并允許無限制的讀/寫循環(huán)。在每次寫入后，資料能持續(xù)保存超過20年。

此外，與其它存儲器不同，MRAM還擁有優(yōu)異的軟錯誤率(SER, soft error rate)。Everspin科技公司首席運營官Saied Tehrani指出，該特性對于許多工程人員來說就十分重要。這款16Mb MRAM由位寬為16的1,048,576個字組成。引腳和功能可與異步SRAM兼容。

“Everspin的MRAM還有一項重要優(yōu)勢就是環(huán)保，一方面它無鉛，符合RoHS法規(guī)，另一方面，非易失性就不需要電池供電，除卻了電池對環(huán)境的破壞。更重要的是，無需電池還能夠降低系統(tǒng)運行風(fēng)險，提升產(chǎn)品的可靠性?！盨aied強調(diào)說。

由于上述的更高容量、長壽命、無電數(shù)據(jù)保持等多種特性，MR4A16B能夠?qū)⑵淠繕藨?yīng)用瞄向工業(yè)自動化、機器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)儲存、多功能打印機以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設(shè)計的系統(tǒng)。目前，存儲系統(tǒng)/服務(wù)器和工業(yè)自動化是MRAM 的兩大應(yīng)用市場。

據(jù)Saied透露，Everspin正在更先進的工藝節(jié)點上繼續(xù)開發(fā)MRAM產(chǎn)品，以支持其MRAM產(chǎn)品路線圖向非常高密度和更高性能發(fā)展，并試圖不斷降低成本贏得更多客戶，未來支持高密度存儲類應(yīng)用。下一代產(chǎn)品開發(fā)的方向是提高存儲密度，容量為64Mb。

Saied繼續(xù)表示：“Everspin將持續(xù)快速擴展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍圖，我們將不斷提高MRAM產(chǎn)品的容量，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性。”

MR4A16B提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產(chǎn)品和其它非揮發(fā)RAM產(chǎn)品兼容。

從供貨情況看，MR4A16B提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產(chǎn)品和其它非揮發(fā)RAM產(chǎn)品兼容。該產(chǎn)品包括商業(yè)級(0℃至+70℃)和工業(yè)級(-40℃至+85℃)兩種溫度范圍。現(xiàn)已可提供樣品，預(yù)計于2010年7月開始量產(chǎn)。

加入新的16Mb MRAM成員后，現(xiàn)在Everspin的產(chǎn)品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選封裝、容量從256Kb到16Mb的8位和16位并行I/O產(chǎn)品，以及采用DFN封裝、容量從256Kb到1Mb的串行I/O產(chǎn)品。