臺(tái)灣開(kāi)發(fā)出9納米超節(jié)能內(nèi)存 預(yù)計(jì)5到10年內(nèi)量產(chǎn)

據(jù)香港中通社報(bào)道，臺(tái)灣“國(guó)研院”納米（臺(tái)稱(chēng)“奈米”）組件實(shí)驗(yàn)室領(lǐng)先全球，開(kāi)發(fā)出全球最小的9納米功能性電阻式內(nèi)存(R-RAM)數(shù)組晶胞；這個(gè)新內(nèi)存在幾乎不需耗電的情況下，1平方厘米面積內(nèi)可儲(chǔ)存1個(gè)圖書(shū)館的文字?jǐn)?shù)據(jù)，將讓信息電子產(chǎn)品的輕薄短小化有無(wú)限發(fā)揮的可能性，這項(xiàng)技術(shù)預(yù)計(jì)在5到10年內(nèi)進(jìn)入量產(chǎn)。

臺(tái)灣“國(guó)研院”院長(zhǎng)陳文華，以及負(fù)責(zé)“9納米超節(jié)能內(nèi)存”開(kāi)發(fā)的何家驊博士12月14日召開(kāi)記者會(huì)，公布這項(xiàng)重大研究成果。

何家驊指出，隨著可攜式3C產(chǎn)品對(duì)體積越來(lái)越小以及容量越來(lái)越大的需求日益增加，如何能研發(fā)出體積更小、記憶量更大的內(nèi)存，是全球研究人員努力的目標(biāo)。

如今臺(tái)灣開(kāi)發(fā)出最小的9納米功能性電阻式內(nèi)存(R-RAM)數(shù)組晶胞，容量比現(xiàn)在的閃存增大20倍，但耗電量卻降低了200倍，應(yīng)用這個(gè)技術(shù)在1平方厘米面積下，可以?xún)?chǔ)存1個(gè)圖書(shū)館的文字?jǐn)?shù)據(jù)，而且可再借立體堆棧設(shè)計(jì)，進(jìn)一步提升容量，讓信息電子產(chǎn)品的輕薄短小化有無(wú)限發(fā)揮的可能性。

這項(xiàng)重要開(kāi)發(fā)成果已于12月8日在美國(guó)舊金山舉行的國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM)正式發(fā)表，引起國(guó)際微電子產(chǎn)學(xué)研界高度重視。

何家驊預(yù)料，這項(xiàng)新技術(shù)5到10年內(nèi)量產(chǎn)，屆時(shí)將可對(duì)全球新臺(tái)幣1兆元的傳統(tǒng)閃存產(chǎn)生重大貢獻(xiàn)，也希望這項(xiàng)技術(shù)能在2025年時(shí)有機(jī)會(huì)協(xié)助臺(tái)灣于全球閃存的市場(chǎng)占有率提升至10%以上的產(chǎn)值。