兼具硬盤和閃存優(yōu)點(diǎn) IBM計(jì)劃2年內(nèi)推出新型納米線磁疇存儲器
[導(dǎo)讀]據(jù)Tech Review報(bào)導(dǎo)，IBM超高密度 Racetrack 存儲器開發(fā)又有新的進(jìn)展，據(jù)稱這一新型存儲器同時(shí)具有硬盤超高容量與閃存微型、高速、耐用的特性。按照目前的開發(fā)進(jìn)程，原型產(chǎn)品預(yù)估可望于2年內(nèi)問世。據(jù)報(bào)導(dǎo)，Racetrack
據(jù)Tech Review報(bào)導(dǎo)，IBM超高密度 Racetrack 存儲器開發(fā)又有新的進(jìn)展，據(jù)稱這一新型存儲器同時(shí)具有硬盤超高容量與閃存微型、高速、耐用的特性。按照目前的開發(fā)進(jìn)程，原型產(chǎn)品預(yù)估可望于2年內(nèi)問世。
據(jù)報(bào)導(dǎo)，Racetrack 存儲技術(shù)首見于2004年，當(dāng)時(shí)由IBM旗下的Almaden Research Center研究人員Stuart Parkin所提出。目前Parkin所領(lǐng)導(dǎo)的開發(fā)團(tuán)隊(duì)，已確定在電流影響下，當(dāng)存儲位移動時(shí)，不會覆寫先前存儲的信息。
Racetrack 存儲中信息位用域疇(Domain Walls)來代表，域疇是沿著納米線分布的微小磁化區(qū)域（磁疇），在電流作用下，磁疇的極性會翻轉(zhuǎn)，代表0與1的變化。與當(dāng)前存儲技術(shù)不同的是，納米線若垂直嵌入芯片中，賽，Racetrack 存儲器便可以3維方式存儲信息。
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